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公开(公告)号：CN107381497A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710527246.8
申请日：2017-06-30
Applicant: 西安交通大学
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/02 , B81C1/00134
Abstract: 一种基于可动栅极式场效应晶体管的微力传感器及其制备方法，结构包括由四根直梁支撑的中间质量块，中间质量块前端设置探针，中间质量块前后布置有平衡、工作栅极阵列，平衡、工作栅极阵列相对中间质量块的中心偏移，中间质量块、直梁、探针与SiO2绝缘层不接触，p型Si基底部分区域形成源、漏极，源、漏极之间的区域形成导电沟道，部分区域形成P+电极；制备方法先在P型Si基底制备好源极、漏极、导电沟道、P+电极并热氧生成SiO2绝缘层并进行刻蚀图形化，然后与另一块多晶硅键合，对多晶硅部分区域进行硼离子重掺杂形成工作栅极阵列，前部刻蚀出探针的图形，再刻蚀完成中间质量块，直梁的全部图形化，本发明微力传感器能够用于nN量级微力的测量。
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公开(公告)号：CN107128872A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710328761.3
申请日：2017-05-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B7/0009 , B81B2201/02 , B81C1/0038 , B81C1/00388 , B81C1/00396
Abstract: 本发明涉及一种新型偏振非制冷红外焦平面探测器，包括半导体基座、金属反射层、绝缘介质层、支撑层、保护层、金属电极层、热敏层，所述保护层包括第一保护层和第二保护层，所述第二保护层设置所述热敏层上，所述第二保护层上设有偏振结构，所述偏振结构包括光栅支撑层和设置在所述光栅支撑层上金属光栅结构，采用微桥倒置，微桥下面没有支撑桥墩，结构不容易产生变形；采用了三层微桥结构，第一层为红外辐射吸收结构，第二层为热绝缘微桥结构，第三层为偏振结构，有效提升像素的填充系数及提高入射红外辐射的吸收效率；还涉及一种新型偏振非制冷红外焦平面探测器的制备方法，两层牺牲层可以连续进行蚀刻，晶圆表面非常平整。
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公开(公告)号：CN106477512A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201611047735.5
申请日：2016-11-23
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , B81B7/02 , B81B2201/02 , B81C1/00261 , B81C1/00269 , B81C1/00325 , H01L23/3107
Abstract: 本发明提供了一种压力传感器及其封装方法，所述压力传感器包括层叠设置的基板与压力传感器芯片，所述压力传感器芯片包括衬底、形成于所述衬底背离基板一侧的腔体以及与所述腔体配合设置的敏感膜，所述腔体呈扁平状，所述衬底上设有的第一焊盘；所述基板设有电连接至第一焊盘的第二焊盘；所述压力传感器还包括沿所述敏感膜的外周设置的第一围坝、设置于基板上且不超出所述第一围坝的硬质密封层、以及位于所述敏感膜上方并与所述第一围坝相抵接的承压部件，其中，第一焊盘位于第一围坝的外侧。采用本发明压力传感器及其封装方法，避免敏感膜直接承受外界应力，降低破损几率，同时通过硬质密封层实现更好的防护，延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN109476475A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780028300.2
申请日：2017-05-05
Applicant: AMS有限公司
IPC: B81B7/00
CPC classification number: B81B7/0048 , B81B3/0021 , B81B7/0058 , B81B2201/02 , B81B2201/0264 , B81B2201/0292 , B81B2203/0127 , B81B2203/051
Abstract: 一种用于安装在电路板(CB)上的传感器组件包括插件(I)，该插件具有在插件(I)的第一和第二主表面(MS1、MS2)之间延伸的至少一个开口(O1、O2、O3、O4)。插件(I)包括至少两个应力解耦元件，每个应力解耦元件包括柔性结构(F1、F2、F3、F4)，该柔性结构由插件(I)的被至少一个开口(O1、O2、O3、O4)之一部分地包围的相应部分形成。传感器芯片(S)连接到第一主表面(MS1)上的柔性结构(F1、F2、F3、F4)。至少两个板连接元件(SB)布置在第一主表面(MS1)上并且适于将组件连接到电路板(CB)。
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公开(公告)号：CN107907103A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711346349.0
申请日：2017-12-15
Applicant: 扬州大学
CPC classification number: G01C9/00 , B81B7/02 , B81B2201/02
Abstract: 一种声表面波双轴倾角感测结构，属于微机电传感技术领域。在硅单晶基片背面制作多个声表面波谐振器组，在硅单晶基片正面制作正对各个声表面波谐振器的输入/输出电极对，各个输入/输出电极对阵列上方制作双端固支悬挂电极，依据基片的倾斜角度，分别与对应的输入/输出电极对阵列中的其中一个输出电极接触，或者与对应的输入/输出电极对之间的间隙接触，连通或者不连通对应的声表面波谐振器与输出信号电极，输出或者无输出相应谐振频率的谐振信号，可得到所述声表面波双轴倾角感测结构基片所处的平面状态与水平状态的双轴倾角。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106986302A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710102458.1
申请日：2017-02-24
Applicant: 西安交通大学
CPC classification number: B81C1/00023 , B81B1/00 , B81B2201/02 , B81C2201/01
Abstract: 本公开揭示了一种微米级半导体传感器及其制备方法。本公开所述的微米级半导体传感器采用三电极结构，将硅板刻蚀到设计的形状之后，对收集电极内表面以及提取电极两面进行Ti/Ni/Au膜的镀膜加工，放电阴极表面直接采取ICP刻蚀工艺，加工出微米级硅柱体，在硅柱体表面镀膜，形成微米级金属电极，起放电作用。所述纳米级传感器制备方法包括如下步骤：在硅板上涂光刻胶，在光刻胶上覆盖掩膜版，曝光，去除掩膜版，显影，得到曝光完成的硅板；采用刻蚀剂对得到的硅板进行刻蚀，然后去除光刻胶；再在光刻硅板表面镀金属膜，即得。本公开的微米级半导体传感器电极的制备方法加工精度高，而且该方法加工效率高，适合于大规模生产。
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公开(公告)号：CN106809797A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201611146503.5
申请日：2016-12-13
Applicant: 中航(重庆)微电子有限公司
Inventor： 吉涛
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/02 , B81C1/00261 , B81C1/00317
Abstract: 本发明涉及微机电系统封装领域，尤其涉及一种红外焦平面阵列的晶圆级封装结构，包括红外探测器芯片，其上设置有红外焦平面阵列；红外光窗，设置于所述红外探测器芯片之上，所述红外光窗的边缘与所述红外探测器芯片的边缘密封连接，以形成真空气密封接所述红外焦平面阵列的真空腔体；透镜，设置于所述红外光窗上方，所述透镜的边缘与所述红外光窗的边缘密封连接。本发明所提出的红外焦平面阵列的晶圆级封装结构具备体积小、成本低、可利用半导体工艺大规模生产的优势，且在晶圆级实现了光学元件集成，满足商业级及消费级应用对于成本、体积和生产规模的要求。
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公开(公告)号：CN106672889A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201610724049.0
申请日：2016-08-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/008 , B81B3/0005 , B81B7/0041 , B81B2201/02 , B81B2207/012 , B81C1/00277 , B81C1/00293 , B81C2203/0145 , B81C2203/0172 , B81C2203/019 , B81C2203/0792 , H01L2224/11
Abstract: 半导体结构包括第一器件、第二器件、第一孔洞、第二孔洞和密封物体。第二器件接触至第一器件，其中，在第一器件和第二器件之间形成室。第一孔洞设置在第二器件中并且限定在具有第一圆周的第一端和具有第二圆周的第二端之间。第二孔洞设置在第二器件中并且与第一孔洞对准。密封物体密封第二孔洞。第一端与室连接，并且第一圆周与第二圆周不同。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN106365106A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610847980.8
申请日：2016-09-23
Applicant: 杭州士兰集成电路有限公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B7/0032 , B81B2201/02 , B81B2207/09 , B81C1/00261 , B81C1/00349 , B81C1/00404
Abstract: 本申请公开了MEMS器件及其制造方法。所述MEMS器件包括：衬底；位于衬底上的MEMS传感器，所述MEMS传感器包括在衬底上形成的空腔以及位于空腔上的结构层；以及位于MEMS传感器上的晶体管，其中，所述晶体管的至少一部分形成在所述MEMS传感器的结构层中。该MEMS器件将MEMS传感器和晶体管堆叠形成垂直结构，从而减小芯片尺寸、提高芯片性能以及降低器件成本。
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公开(公告)号：CN105762088A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610228764.5
申请日：2016-04-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: H01L24/83 , B81B7/02 , B81B2201/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81C1/00261 , B81C2203/0118 , H01L2224/83051 , H01L2924/013
Abstract: 本发明公开了一种阻止金属共晶键合合金外溢的方法，先在第一器件结构的器件衬底上制作第一键合金属图形，然后基于第一键合金属图形制作器件保护结构；器件保护结构包括第一槽型腔体，第一槽型腔体的底面为第一键合金属图形；然后在第二器件结构上制作出第二键合金属图形之后，在第一槽型腔体中对第一器件结构和第二器件结构进行金属共晶键合。由于器件保护结构包括第一槽型结构，因此在进行金属共晶键合时，可将金属共晶键合时外溢的液相合金流入第一槽型腔体内，会对外溢的液相合金起到阻隔作用，使之无法自由滚动，从而有效避免外溢的液相合金扩散到器件结构区域。此方式不但提高金属键合的气密等级，而且提高了MEMS器件生产制造的良率。
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