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公开(公告)号：CN107055458A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611233685.X
申请日：2016-12-28
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B7/0038 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81C1/00285 , B81C2203/0163 , B81B2201/0228 , B81C1/00015
Abstract: 用于微机械构件(100)的吸气装置(30)，所述吸气装置具有：‑金属吸气结构，该金属吸气结构在所述微机械构件(100)的空腔中布置；‑其中，所述吸气结构能够借助于限定的电流加热，其中，所述吸气结构的材料能够被限定地蒸发。
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公开(公告)号：CN107963606A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201710979387.3
申请日：2017-10-19
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: G01P15/0802 , B81B2203/0154 , G01P15/032 , G01P15/08 , G01P2015/0828 , G01P2015/0851 , B81B3/0027 , B81B2201/0228 , B81C1/0019
Abstract: 本发明涉及用于传感器元件的微机械弹簧(100)，所述微机械弹簧具有：-沿传感轴线(A)构造的至少两个弹簧区段(10、20)；-其中，所述至少两个弹簧区段(10、20)分别具有限定的长度(L1、L2)；并且-其中，所述至少两个弹簧区段(10、20)具有限定地不同的宽度(B1、B2)。
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公开(公告)号：CN104340948B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201410364783.1
申请日：2014-07-28
Applicant: 原子能和替代能源委员会
IPC: B81B7/02
CPC classification number: B81B7/0058 , B81B7/0038 , B81B7/0077 , B81B2201/0228 , B81B2207/096 , B81C1/00285 , B81C1/00301 , B81C1/00682 , B81C2201/053 , B81C2203/0136 , B81C2203/0163 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225
Abstract: 本发明涉及一种包括机械加强盖并且具有吸气效应的封装结构。一种用于封装至少一个微型装置(104)的结构(100)，所述至少一个微型装置(104)被制造在基底(102)上和/或基底(102)中并且被定位在至少一个在所述基底和刚性地附接到所述基底上的盖(106)之间形成的腔(110)中，其中，所述盖至少包括：一层第一材料层(112)，所述第一材料层(112)的一个表面(114)形成了所述腔的内壁，以及刚性地附接到所述第一材料层的至少所述表面上的机械加强部分(116)，所述机械加强部分(116)部分地覆盖所述第一材料层的所述表面并且具有气体吸收和/或吸附性能，并且其中，所述机械加强部分的第二材料的杨氏模量高于所述第一材料的杨氏模量。
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公开(公告)号：CN106323173A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610642260.8
申请日：2016-06-24
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
CPC classification number: G01C19/5726 , B81B2201/0228 , B81B2201/04 , B81B2203/053 , G01C19/5621 , G01C19/5656 , G01C19/574 , G01C25/00 , G01P15/032 , G01P15/093 , G01P21/00 , G01P2015/0822 , G02B6/29331 , G01B11/02 , G01C19/56
Abstract: 提供了用于MEMS传感器的针对基于时间的光学敏感元件的系统和方法。在一个实施例中，一种用于集成波导的基于时间的光学敏感元件传感器的方法包括：将由光源生成的光束发射到在第一基板中单片制造的集成波导光学敏感元件中，集成波导光学敏感元件包括光学输入端、耦合端和光学输出端；以及通过在光学输出端测量光束的衰减，来探测耦合端和与耦合端隔开一间隙的移动传感器部件之间的重叠面积的改变，其中，移动传感器部件关于包括耦合端的第一基板的表面做平面内移动，且耦合端被定位为探测移动传感器部件的边沿的移动。
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公开(公告)号：CN106248067A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610542711.0
申请日：2016-04-28
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
CPC classification number: G01B11/272 , B81B2201/0228 , B81B2201/04 , B81B2203/053 , G01C19/5621 , G01C19/5656 , G01C25/00 , G01P15/093 , G01P15/13 , G01P21/00 , G01P2015/0822 , G02B6/12 , G02B6/4295 , G02B6/43 , G02B2006/12138 , G01C19/00 , G01C19/32
Abstract: 提供了用于高度集成的光学读出MEMS传感器的系统和方法。在一个实施例中，一种用于集成波导光学拾取器传感器的方法包括：将由激光光源产生的激光束发射到在第一基板内单片制作的集成波导光学拾取器中，该集成波导光学拾取器包括光学输入端口、耦合端口和光学输出端口；以及通过测量在光学输出端口处激光束的衰减，检测激光束从耦合端口到与耦合端口分离一定间隙的传感器部件的耦合的量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105628054A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201511025641.3
申请日：2015-12-30
Applicant: 杭州士兰微电子股份有限公司 , 杭州士兰集成电路有限公司
CPC classification number: G01C25/00 , B81B2201/0228 , B81C1/00261 , B81C1/00301
Abstract: 本发明提供了一种惯性传感器及其制作方法，在封帽硅片和器件硅片键合之后，刻蚀形成封帽硅片上的深槽引线窗口的同时，利用器件硅片上的图形化的金属电极层作为掩膜刻蚀形成压点柱，避免在形成可动质量块的过程中，采用的氢氟酸气相腐蚀工艺腐蚀压点柱结构下层的牺牲氧化层和隔离层，不会造成支撑压点柱的氧化层面积缩小或使压点柱被悬浮而使器件失效，有利于缩小压点柱的面积从而缩小整个惯性传感器的面积，提高惯性传感器的可靠性。
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公开(公告)号：CN105480935A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510646926.2
申请日：2015-10-08
Applicant: 因文森斯公司
CPC classification number: B81C1/0023 , B81B7/0038 , B81B7/0041 , B81B7/02 , B81B2201/0228 , B81B2207/017 , B81C1/00285 , B81C2203/019 , B81C2203/035 , B81C2203/0785
Abstract: 一种集成MEMS装置，包括两个基底，其中该第一和第二基底被联接在一起并且在其间具有两个闭合空间。该第一和第二基底之一包括一个除气源层和一个除气阻挡层以便调节这两个闭合空间内的压力。该方法包括在基底上沉积并且构图除气源层和第一除气阻挡层，从而产生两个截面。在这两个截面中的一者中，该除气源层的顶表面没有被该除气阻挡层所覆盖并且在这两个截面中的另一者中，该除气源层被封装在该除气阻挡层中。该方法还包括保形地沉积第二除气阻挡层并且蚀刻该第二除气阻挡层以便在该除气源层的侧壁上留下该第二除气阻挡层的间隙。
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公开(公告)号：CN107993998A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711016614.9
申请日：2017-10-26
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: H01L23/48 , H01L21/768 , B81B7/00
CPC classification number: B81B7/0006 , B81B2201/0228 , B81B2203/0315 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C3/001 , B81C2203/036 , H01L21/76898 , H01L23/481
Abstract: 本公开提供了在集成电路中形成硅穿孔(TSV)。描述具有硅穿孔(TSV)的集成电路基板。TSV是延伸通过其中形成集成电路的硅基板的孔。TSV可以在集成电路基板上形成集成电路之前形成，从而允许使用可以以相对小的尺寸制造的通孔材料。集成电路基板可以与具有微机电系统(MEMS)器件的基板结合。在某些这种情况下，集成电路基板的电路可远离MEMS基板，因为TSV可以提供从集成电路基板的电路侧到MEMS器件的电连接。
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公开(公告)号：CN107963607A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711036185.1
申请日：2017-10-30
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Inventor： 黄向向 , 杨敏 , 道格拉斯.雷.斯巴克斯 , 关健
CPC classification number: B81B7/02 , B81B7/0038 , B81B2201/0207 , B81B2201/0228 , B81B2201/0264 , B81B2201/0271 , B81C3/001
Abstract: 一种全覆盖吸气剂晶圆级电子元件及其封装方法，全覆盖吸气剂晶圆级电子元件的基本构成单元包含下述几个部分：器件晶圆(1)、腔体晶圆(2)；其二者通过键合工艺使两个晶圆键合成为一体，键合工艺通过键合层(5)来实现，在二者之间还设置有腔体(3)；腔体(3)内的腔体晶圆(2)内表面或是在器件晶圆(1)表面覆盖有一层有活性的覆盖层即吸气层结构(4)；吸气层结构(4)的成分为下述几种元素之一或其组合及其氧化物：Ti，Co，Zr，Fe；吸气层结构(4)的厚度范围在500nm-2um。吸气层结构(4)的制备应用物理气相沉积工艺：溅射或蒸发或二者的组合。本发明结构和工艺简单，成本低，技术效果优良；具有可预期的较为巨大的经济和社会价值。
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公开(公告)号：CN105480935B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201510646926.2
申请日：2015-10-08
Applicant: 应美盛公司
CPC classification number: B81C1/0023 , B81B7/0038 , B81B7/0041 , B81B7/02 , B81B2201/0228 , B81B2207/017 , B81C1/00285 , B81C2203/019 , B81C2203/035 , B81C2203/0785
Abstract: 一种集成MEMS装置，包括两个基底，其中该第一和第二基底被联接在一起并且在其间具有两个闭合空间。该第一和第二基底之一包括一个释气源层和一个释气阻挡层以便调节这两个闭合空间内的压力。该方法包括在基底上沉积并且构图释气源层和第一释气阻挡层，从而产生两个截面。在这两个截面中的一者中，该释气源层的顶表面没有被该释气阻挡层所覆盖并且在这两个截面中的另一者中，该释气源层被封装在该释气阻挡层中。该方法还包括保形地沉积第二释气阻挡层并且蚀刻该第二释气阻挡层以便在该释气源层的侧壁上留下该第二释气阻挡层的间隙。
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