公开(公告)号：CN102954812B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201210291313.8

申请日：2012-08-15

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M·霍尔蒂西 ,  T·斯基林皮

IPC: G01D11/24 ,  B81C3/00

CPC classification number: G01D11/245 ,  B81B2201/0235 ,  B81C1/00333 ,  H05K5/0078 ,  Y10T29/49885

Abstract: 本发明建议一种用于制造传感器组件的方法，其中，在第一制造步骤中提供一个线路部件，该线路部件具有至少一个用于力锁合和/或形状锁合地接收传感器元件的接收区域，其中，在用于制造壳体的第二制造步骤中，所述线路部件这样地以塑料材料被包覆注塑，使得所述至少一个接收区域基本上保持没有塑料材料，其中，在第三制造步骤中，所述传感器元件力锁合和/或形状锁合地被固定在所述至少一个接收区域中。

公开(公告)号：CN106946217A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201611107858.3

申请日：2016-12-06

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·伊林 ,  M·阿梅特沃布拉 ,  P·卡佩

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G01P3/00 ,  G01P15/00

CPC classification number: B81B7/0038 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00285 ,  B81C1/00293 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/0172 ,  B81C1/00 ,  G01P3/00 ,  G01P15/00

Abstract: 本发明提出一种用于制造微机械构件的方法，具有衬底和与衬底连接并且与衬底包围第一空穴的罩，其中，在第一空穴中存在第一压力并且包含具有第一化学组分的第一气体混合物，其中，‑在第一方法步骤中，在衬底或在罩中构造连接第一空穴与微机械构件周围环境的进入开口，其中，‑在第二方法步骤中，调节在第一空穴中的第一压力和/或第一化学组分，其中，‑在第三方法步骤中，通过借助于激光将能量或热量引入到衬底或罩的吸收部分中来封闭进入开口，其中，在基本上平行于衬底的主延伸平面走向并且布置在进入开口的基本上垂直于主延伸平面构造的区域的背离第一空穴的一侧上的第一平面和基本上平行于衬底的主延伸平面走向并且布置在进入开口的基本上垂直于主延伸平面构造的区域的面向第一空穴的一侧上的第二平面之间，进入开口通过衬底或罩的在第三方法步骤中过渡到液态聚集态的材料区域基本上完全被填充。

公开(公告)号：CN104145185B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201280060813.9

申请日：2012-11-09

Applicant: 罗伯特·博世有限公司 ,  G·奥布赖恩

Inventor： G·奥布赖恩

IPC: G01P15/125

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/0235 ,  G01P2015/0871 ,  G01P2015/0874

Abstract: 微机电系统(MEMS)包括衬底、位于衬底表面上方位置的第一曲面和沿着平行于衬底的表面的第一轴线与第一曲面大致相对的第二曲面，其中所述第一曲面能够沿着第一轴线在朝向第二曲面的方向上移动。

公开(公告)号：CN106865485A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201510908759.4

申请日：2015-12-10

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 林梦嘉 ,  李勇孝 ,  陈翁宜 ,  李世伟 ,  刘崇显

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B7/008 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0285 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00571 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/014 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00388

Abstract: 本发明公开一种微机电结构及其制作方法。该微机电结构的制作方法，包含首先提供一基底包含一逻辑元件区和一微机电元件区，接着形成一逻辑元件于逻辑元件区，之后全面形成一含氮材料层覆盖逻辑元件区和微机电元件区，然后移除位于微机电元件区内的部分的含氮材料层以在含氮材料层上定义出至少一退缩区域，在形成退缩区域之后，形成至少一介电层覆盖逻辑元件区和微机电元件区，并且介电层填入退缩区域，接续蚀刻位于微机电元件区的部分的介电层以形成至少一孔洞穿透介电层，其中退缩区域环绕孔洞，最后蚀刻基底以形成一腔室。

公开(公告)号：CN104108676B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201410156341.8

申请日：2014-04-18

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： A·A·盖斯伯格

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B7/0048 ,  B81B2201/0235 ,  B81C1/00666

Abstract: 本发明涉及带有压力隔离的MEMS器件及制作方法。MEMS器件（20）包括检验质量结构（26）和位于所述检验质量结构（26）的中央开口（32）中的梁(28、30)，其中所述结构和所述梁悬浮在衬底（22）之上。所述梁(28、30)被定向以便所述梁的纵长边缘(34、36)位于彼此旁边。隔离段（38）介于所述梁(28、30)之间以便每一个梁的中间部分（40）被横向地锚定到相邻隔离段（38）。隔离段（38）提供所述梁之间的电隔离。梁(28、30)通过顺从结构(61、65)被锚定到所述衬底（22），其中所述顺从结构将所述梁和底层衬底中的变形隔离。所述顺从结构(61、65)为所述梁(28、30)提供到所述衬底（22）的导电路径(96、98)，其中所述路径彼此电隔离。

公开(公告)号：CN104925735B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201510116966.6

申请日：2015-03-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 古畑诚

IPC: B81B7/00 ,  G01C23/00

CPC classification number: B81B7/0041 ,  B81B7/007 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/025 ,  B81B2207/092 ,  B81B2207/097 ,  G01P15/125 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种电子装置、电子模块、电子设备以及移动体。电子装置具备对第一基材和第二基材之间进行密封而形成的收纳空间和被收纳于收纳空间内的第一功能元件和第二功能元件，收纳空间在俯视观察时被配置在第一基材和所述第二基材被接合的框状的接合部的内部区域内，接合部包含设置于一方的第一接合区域和设置于另一方的第二接合区域，所述电子装置还具备第一布线部和第二布线部，第一布线部与第一功能元件连接，并具有从内部区域经由第一接合区域而朝向收纳空间的外部的第一方向，第二布线部与第二功能元件电连接，并具有从内部区域经由第二接合区域而朝向收纳空间的外部的第二方向。

公开(公告)号：CN103226024B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310028223.4

申请日：2013-01-25

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： K.埃利安 ,  F-P.卡尔茨 ,  H.托伊斯

IPC: G01D5/12

CPC classification number: H01L29/84 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2203/0361 ,  B81C1/00246 ,  G01L1/20 ,  G01P15/124

Abstract: 本发明公开了传感器器件和方法。一种传感器器件包括半导体芯片。所述半导体芯片具有对于机械载荷敏感的感测区域。柱被机械地耦合到所述感测区域。

公开(公告)号：CN103663344B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201310415336.X

申请日：2013-09-12

Applicant: 快捷半导体(苏州)有限公司 ,  快捷半导体公司

Inventor： 戴维·L·马克斯 ,  B·伯坎肖 ,  J·布雷泽克

IPC: H01L23/48

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B7/0041 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0136 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/096 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  H01L23/481 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L28/82 ,  H01L29/84 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请涉及一种包括多材料填充物的改进型硅通孔。一种装置包括：衬底，其具有设置在所述衬底内的至少一个孔，其中，所述衬底包括：沟槽，其具有大体上成梯形的横截面，所述沟槽贯穿所述衬底在所述衬底的下表面和所述衬底的上表面之间延伸，其中，所述沟槽的顶部通向顶部开口，并且所述沟槽的底部通向底部开口，所述顶部开口比所述底部开口要大。所述装置可以包括：口状体，其围绕所述顶部开口并且在所述上表面和所述顶部开口之间延伸，其中，所述上表面的口状体开口比所述沟槽的所述顶部开口要大，其中，所述孔包括：电介质层，其设置在沟槽的内表面上。所述装置包括：填充物，其设置在所述沟槽内，所述电介质层夹在所述填充物和所述衬底之间。

公开(公告)号：CN106082108A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201510736299.1

申请日：2015-11-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周仲彥 ,  詹志仁 ,  蔡嘉雄 ,  李汝谅 ,  谢元智

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00357 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/0132

Abstract: 本发明提供了一种形成IC(集成电路)器件的方法。方法包括：接收第一晶圆，第一晶圆包括第一衬底并且包括设置在其上表面上的等离子体反射层。等离子体反射层配置为从其反射等离子体。在第二晶圆的下表面上形成介电保护层，其中，第二晶圆包括第二衬底。将第二晶圆接合至第一晶圆，从而在等离子体反射层和介电保护层之间形成腔体。利用等离子体实施蚀刻工艺以形成从第二晶圆的上表面延伸并且穿过介电保护层进入腔体内的开口。也提供了通过上述方法形成的结构。本发明实施例涉及用于减少背侧硅损坏的结构。

公开(公告)号：CN105980292A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201480058060.7

申请日：2014-10-20

Applicant: 美国亚德诺半导体公司

Inventor： 陈立 ,  T·K·努南 ,  杨光隆

IPC: B81B7/00

CPC classification number: B81B7/0035 ,  B81B3/0094 ,  B81B7/0041 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/095 ,  B81C1/00293 ,  B81C3/001 ,  B81C2203/019

Abstract: 罩式微机械设备具有位于第一气密室内的可动微机械结构以及在第二气密室内的一个以上的互连，所述第二气密室气密地隔离于所述第一气密室，以及在其罩上的屏障层，其中罩面向第一气密室，使得第一气密室隔离于来自罩的除气。