公开(公告)号：CN105600735A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201510784746.0

申请日：2015-11-16

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 田中信幸

IPC: B81B3/00 ,  G01L1/18

CPC classification number: B81C1/00801 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00293 ,  B81C2201/014 ,  B81C2203/0136 ,  G01L5/06 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0045 ,  G01L9/0054 ,  G01L9/0073 ,  G01L9/008 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76283 ,  B81B3/0021 ,  G01L1/18

Abstract: 本发明提供电子装置、物理量传感器、压力传感器以及高度计。电子装置以及物理量传感器具有优异的可靠性，此外，压力传感器、高度计、电子设备以及移动体具备所涉及的电子装置。本发明的物理量传感器(1)具备：基板(2)；压敏电阻元件(5)，其被配置于基板(2)的一面侧；壁部，其以在俯视观察基板(2)时包围压敏电阻元件(5)的方式而被配置在基板(2)的一面侧；顶部，其相对于壁部而被配置于与基板相反的一侧，并同壁部一起构成空洞部(S)，在以横切壁部的剖面进行观察时，所述壁部具有绝缘层(631)和配线层(62、64)，配线层(62、64)以相互协同的方式包围绝缘层(631)，并且与绝缘层(631)相比，相对于能够对绝缘层(631)进行蚀刻的蚀刻液的耐性较高。

公开(公告)号：CN105531220A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201480027801.5

申请日：2014-03-12

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·费 ,  A·格莱汉姆

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  H04R19/00

CPC classification number: H04R19/04 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/014 ,  B81C2203/0714 ,  H04R19/005 ,  H04R31/00

Abstract: 一种微机电系统（MEMS）麦克风具有包含背侧沟槽的衬底，和沉积在该衬底上的在背侧沟槽之上延伸的柔性膜。柔性膜包含第一电极。硅隔板层被沉积在柔性膜的周围部分上。隔板层限定在膜和背侧沟槽上方的声学腔。富硅氮化硅（SiN）背板层被沉积在硅隔板层的顶上，该富硅氮化硅（SiN）背板层在声学腔之上延伸。背板将多个开口限定在声学腔中并且包含用作第二电极的金属化。

公开(公告)号：CN104167433A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201410260339.5

申请日：2014-05-19

Applicant: 弗劳恩霍夫应用研究促进协会

Inventor： 姗姗·顾-斯托普尔 ,  汉斯·约阿希姆·昆泽 ,  乌尔里奇·霍夫曼

IPC: H01L29/06 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81B3/0027 ,  B81B3/0029 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/0163 ,  B81C1/00357 ,  B81C1/00626 ,  B81C2201/014 ,  H01L29/84

Abstract: 本发明涉及一种MEMS结构，其具有由不同的层构成的叠层以及由所述叠层形成的、其厚度变化的弹簧-质量系统，并且其中从所述叠层和所述基底的背侧开始，在横向不同的位置处移除基底、同时留下第一半导体层，或者移除基底、第一蚀刻停止层和第一半导体层，并且本发明涉及用于制造这样的结构的方法。

公开(公告)号：CN104039687A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201380004918.7

申请日：2013-01-03

Applicant: 法国原子能及替代能源委员会

Inventor： 伯纳德·迪姆

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/308

CPC classification number: B81C1/00619 ,  B81B2203/033 ,  B81B2203/0392 ,  B81C1/00103 ,  B81C1/00531 ,  B81C1/00539 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/014 ,  H01L21/3083

Abstract: 一种用于在基板的第一面中蚀刻所期望的复杂图案(50)的方法，包括以下步骤：穿过基板的第一面同时蚀刻至少第一和第二子图案，所蚀刻的子图案通过至少一个隔墙分开，在第一面，第一子图案的宽度大于第二子图案的宽度，并且沿与上述第一面垂直的方向，第一子图案的深度大于第二子图案的深度；移除或者消除上述隔墙以露出期望的复杂图案(50)的步骤。

公开(公告)号：CN103262207A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201180040593.9

申请日：2011-06-21

Applicant: VTT技术研究中心

Inventor： 里卡·普鲁宁 ,  基莫·亨蒂宁 ,  汉努·卡泰卢斯 ,  托米·苏尼

IPC: H01L21/02 ,  B81C1/00 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/0228 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/053 ,  B81C2203/0118 ,  H01L29/02

Abstract: 一种制造多层衬底结构的方法，例如CSOI晶片结构（空腔-SOI，绝缘体上的硅）包括获得第一和第二晶片，如两个硅晶片，其中至少一个晶片可以可选地设置有材料层如氧化物层（302，404），在第一晶片的结合侧形成空腔（306，406），沉积，优选通过ALD（原子层沉积），材料层，如薄氧化铝层，设置在任一个晶片上，以便至少位于面对另一个晶片的位置并覆盖第一晶片的空腔的至少一部分，如其底部、壁和/或边缘，并能够停止蚀刻至底层材料（308，408），例如干蚀刻，并将设置有至少上述ALD层为中间层的晶片结合在一起以形成多层半导体衬底结构（310，312）。介绍了相关的多层衬底结构。

公开(公告)号：CN101341590A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200680047950.3

申请日：2006-12-18

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 简·桑斯基 ,  韦伯·D·范诺尔特

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76229 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/014

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，其中采用分层结构来提供钻蚀结构，所述分层结构包括牺牲层，该牺牲层被夹在两个刻蚀停止层(8，11)之间，并且将半导体薄膜(9)从体衬底(1)分开。在分层结构中形成了穿过半导体层(9)厚度和穿过上刻蚀停止层(8)的访问沟槽(4)和支撑沟槽(5)。支撑沟槽在牺牲层(12)和下刻蚀停止层中延伸得更深，并且被填充。牺牲层被暴露并且通过对刻蚀停止层具有选择性的刻蚀被刻蚀掉，以形成空腔(30)，并且牺牲层实现了经由包括填充的支撑沟槽的垂直支撑结构而被附着在体衬底上的半导体薄膜。

公开(公告)号：CN101228091A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200680026516.7

申请日：2006-07-19

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： 笹川照夫 ,  克拉伦斯·徐 ,  马尼什·科塔里 ,  苏里亚·普拉卡什·甘蒂 ,  杰弗里·B·桑普塞尔

IPC: B81B3/00

CPC classification number: G02B26/0841 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0307 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/014 ,  G02B26/001

Abstract: 一种微机电系统装置，其具有由被保护材料包围的牺牲材料所形成的支撑结构。所述微机电系统装置包含上面形成有电极的衬底。另一电极通过腔与所述第一电极分离，并形成可移动层，所述可移动层被由牺牲材料形成的支撑结构支撑。

公开(公告)号：CN1986386A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200610169098.9

申请日：2006-12-20

Applicant: 施乐公司

Inventor： P·J·尼斯特伦 ,  N·贾 ,  K·刘

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B41J2/16 ,  B41J2/14

CPC classification number: B81C1/00801 ,  B41J2/14 ,  B41J2/16 ,  B41J2/1626 ,  B41J2/1639 ,  B41J2002/043 ,  B81B2201/052 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/014

Abstract: 一种用于制造微型机械装置的初始结构，所述结构在操作配置中具有多个层，每个层顺序相互层叠，所述层包括第一牺牲层、第二牺牲层和所需下面层，所述第一牺牲层具有与所需下面层类似的材料蚀刻性能，所述第二牺牲层具有与所述所需下面层完全不同的材料蚀刻性能，其中所述第二牺牲层大致经得起用来去除所述第一牺牲层的材料，并且其中所述第二牺牲层能够在所述第一牺牲层通过所述蚀刻去除时保护下面层。

公开(公告)号：CN106794981B

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201580041645.2

申请日：2015-07-24

Applicant: ams国际有限公司

Inventor： 威廉·弗雷德里克·阿德里亚努斯·贝斯林 ,  雷莫科·亨里卡斯·威廉默斯·皮嫩伯格 ,  卡斯珀·万德尔阿武特 ,  马滕·奥尔德森 ,  马丁·古森斯

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/014 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0072 ,  G01L9/0073 ,  G01L9/12 ,  H01L29/84

Abstract: 一种用于形成悬置膜的方法的实施方式包括在牺牲层上方和边界沟槽内沉积第一导电材料。第一导电材料在边界沟槽上方形成角过渡部。该方法还包括去除第一导电材料的一部分，所述去除将第一导电材料的不平坦形貌的至少一部分去除。该方法还包括沉积第二导电材料。第二导电材料延伸到边界沟槽之外。该方法还包括通过蚀刻开口去除牺牲层并且在第二导电材料下方形成腔。第一导电材料限定腔的侧壁边界的一部分。

公开(公告)号：CN104053626B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201280063151.0

申请日：2012-10-29

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： S·洛萨 ,  R·佩祖托 ,  R·坎佩代利 ,  M·阿兹佩提亚乌尔奎亚 ,  M·珀尔提 ,  L·埃斯波西托

IPC: B81C1/00

CPC classification number: H01L21/02178 ,  B81B7/0032 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81C1/00595 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/053 ,  H01L21/0228

Abstract: 一种用于制造用于保护中间结构层(22)免于用氢氟酸的蚀刻的保护层(25)的方法，中间结构层(22)由能够被氢氟酸蚀刻或破坏的材料制成，该方法包括下列步骤：通过原子层沉积在中间结构层(22)上形成氧化铝的第一层；对氧化铝的第一层执行热结晶工艺，形成第一中间保护层(25a)；通过原子层沉积在第一中间保护层之上形成氧化铝的第二层；以及对氧化铝的第二层执行热结晶工艺，形成第二中间保护层(25b)，以及由此完成保护层(25)的形成。用于形成保护层(25)的方法可以例如在诸如陀螺仪或加速计的惯性传感器的制造步骤期间使用。