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    Method of micromachining a multi-part cavity
    11.
    发明公开
    Method of micromachining a multi-part cavity 审中-公开
    Verfahren zur Mikrobearbeitung einerKörperhölungmit mehrfachem Profil

    公开(公告)号：EP1077475A2

    公开(公告)日：2001-02-21

    申请号：EP00117155.2

    申请日：2000-08-10

    Applicant: Applied Materials, Inc.

    Inventor： Podlesnik, Dragan V. ,  Chinn, Jeffrey D. ,  Lill, Thorsten B. ,  Pan, Shaoher X. ,  Khan, Anisul ,  Wang, Joan Yiqiong ,  Li, Maocheng

    IPC: H01L21/3065 ,  B81C1/00

    CPC classification number: H01L27/1087 ,  B81B2201/052 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/033 ,  B81C1/00119 ,  B81C2201/016 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3086

    Abstract: The present disclosure pertains to our discovery of a particularly efficient method for etching a multi-part cavity in a substrate. The method provides for first etching a shaped opening, depositing a protective layer over at least a portion of the inner surface of the shaped opening, and then etching a shaped cavity directly beneath and in continuous communication with the shaped opening. The protective layer protects the etch profile of the shaped opening during etching of the shaped cavity, so that the shaped opening and the shaped cavity can be etched to have different shapes, if desired. In particular embodiments of the method of the invention, lateral etch barrier layers and/or implanted etch stops are also used to direct the etching process. The method of the invention can be applied to any application where it is necessary or desirable to provide a shaped opening and an underlying shaped cavity having varying shapes. The method is also useful whenever it is necessary to maintain tight control over the dimensions of the shaped opening.

    Abstract translation: 本公开涉及我们发现用于蚀刻衬底中的多部分空腔的特别有效的方法。 该方法提供了首先蚀刻成形开口，在成形开口的内表面的至少一部分上沉积保护层，然后直接在成形开口下方蚀刻成形腔，并且与成形开口连续连通。 保护层在蚀刻成形腔体期间保护成形开口的蚀刻轮廓，从而如果需要，可以将成形的开口和成形的腔体进行蚀刻以具有不同的形状。 在本发明方法的特定实施例中，横向蚀刻阻挡层和/或注入的蚀刻停止点也用于引导蚀刻工艺。 本发明的方法可以应用于需要或希望提供具有不同形状的成形开口和下面的成形腔的任何应用。 只要需要对成形开口的尺寸进行严格控制，该方法也是有用的。

    SCHICHTSYSTEM MIT EINER SILIZIUMSCHICHT UND EINER PASSIVIERSCHICHT, VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG EINER PASSIVIERSCHICHT AUF EINER SILIZIUMSCHICHT UND DEREN VERWENDUNG
    13.
    发明公开
    SCHICHTSYSTEM MIT EINER SILIZIUMSCHICHT UND EINER PASSIVIERSCHICHT, VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG EINER PASSIVIERSCHICHT AUF EINER SILIZIUMSCHICHT UND DEREN VERWENDUNG 有权
    具有产生钝化层上的硅层及其用途的硅层和钝化层，工艺层SYSTEM

    公开(公告)号：EP1527011A2

    公开(公告)日：2005-05-04

    申请号：EP03735274.7

    申请日：2003-05-06

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

    Inventor： URBAN, Andrea ,  LAERMER, Franz ,  BREITSCHWERDT, Klaus

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00571 ,  B81B2203/033 ,  B81C2201/016 ,  H01L21/0332

    Abstract: A layer system with a silicon layer (11) is disclosed, on which a surface passivation layer (17) is at least partly applied. The passivation layer (17) comprises a first at least extensively inorganic partial layer (14) and a second at least extensively polymeric partial layer (15). A method for production of a passivation layer (17) on a silicon layer (11) is also disclosed, whereby a first inorganic partial layer (14) is applied to the silicon layer (11), an intermediate layer applied to the above and on the intermediate layer a second polymeric partial layer (15) is applied to form the passivation layer (17). The production of the intermediate layer is achieved, whereby in the surface region thereof adjacent to the first partial layer (14), the composition thereof is the same as the first partial layer (14) and in the surface region thereof adjacent to the second partial layer (15) the composition thereof is the same as the second partial layer (15) and that the composition of the intermediate layer varies continuously or stepwise from the composition corresponding to the first partial layer to the composition corresponding to the second partial layer. The disclosed layer system or the disclosed method are particularly suitable for the production of self-supporting structures in silicon.

    SILICON-RICH NITRIDE ETCH STOP LAYER FOR VAPOR HF ETCHING IN MEMS DEVICE FABRICATION
    15.
    发明申请
    SILICON-RICH NITRIDE ETCH STOP LAYER FOR VAPOR HF ETCHING IN MEMS DEVICE FABRICATION 审中-公开
    用于MEMS器件制造中的蒸汽高温蚀刻的富硅氮弧蚀刻层

    公开(公告)号：WO2010147839A2

    公开(公告)日：2010-12-23

    申请号：PCT/US2010038158

    申请日：2010-06-10

    Applicant: ANALOG DEVICES INC ,  TSAU CHRISTINE H ,  NUNAN THOMAS KIERAN

    Inventor： TSAU CHRISTINE H ,  NUNAN THOMAS KIERAN

    CPC classification number: G01P15/125 ,  B81C1/0019 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/016 ,  B81C2201/053 ,  G01P15/0802 ,  H01L21/31116

    Abstract: A thin silicon-rich nitride film (e.g., having a thickness in the range of around 100A to 10000A) deposited using low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD) is used for etch stop during vapor HF etching in various MEMS wafer fabrication processes and devices. The LPCVD silicon-rich nitride film may replace, or be used in combination with, a LPCVD stoichiometric nitride layer in many existing MEMS fabrication processes and devices. The LPCVD silicon-rich nitride film is deposited at high temperatures (e.g., typically around 650-900 degrees C). Such a LPCVD silicon-rich nitride film generally has enhanced etch selectivity to vapor HF and other harsh chemical environments compared to stoichiometric silicon nitride and therefore a thinner layer typically can be used as an embedded etch stop layer in various MEMS wafer fabrication processes and devices and particularly for vapor HF etching processes, saving time and money in the fabrication process.

    Abstract translation: 使用低压化学气相沉积（LPCVD）沉积的薄的富硅氮化物膜（例如，厚度在约100A至10000A的范围内）用于各种MEMS晶片制造工艺和器件中的蒸气HF蚀刻期间的蚀刻停止 。 LPCVD富硅氮化物膜可以在许多现有的MEMS制造工艺和器件中替代或与其组合使用LPCVD化学计量氮化物层。 LPCVD富硅氮化物膜在高温（例如典型地约650-900℃）下沉积。 与化学计量的氮化硅相比，这种LPCVD富硅氮化物膜通常对蒸汽HF和其它苛刻的化学环境具有增强的蚀刻选择性，因此较薄的层通常可用作各种MEMS晶片制造工艺和器件中的嵌入式蚀刻停止层，以及 特别是对于蒸汽HF蚀刻工艺，节省了制造过程中的时间和金钱。

    SCHICHTSYSTEM MIT EINER SILIZIUMSCHICHT UND EINER PASSIVIERSCHICHT, VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG EINER PASSIVIERSCHICHT AUF EINER SILIZIUMSCHICHT UND DEREN VERWENDUNG
    16.
    发明申请
    SCHICHTSYSTEM MIT EINER SILIZIUMSCHICHT UND EINER PASSIVIERSCHICHT, VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG EINER PASSIVIERSCHICHT AUF EINER SILIZIUMSCHICHT UND DEREN VERWENDUNG 审中-公开
    具有硅层和被动层的层系统，用于在硅层上产生被动层的方法及其用途

    公开(公告)号：WO2004016546A2

    公开(公告)日：2004-02-26

    申请号：PCT/DE2003/001436

    申请日：2003-05-06

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  URBAN, Andrea ,  LAERMER, Franz ,  BREITSCHWERDT, Klaus

    Inventor： URBAN, Andrea ,  LAERMER, Franz ,  BREITSCHWERDT, Klaus

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00571 ,  B81B2203/033 ,  B81C2201/016 ,  H01L21/0332

    Abstract: Es wird ein Schichtsystem mit einer Siliziumschicht (11) vorgeschlagen, auf der zumin­dest bereichsweise oberflächlich eine Passivierschicht (17) aufgebracht ist, wobei die Passivierschicht (17) eine erste, zumindest weitgehend anorganische Teilschicht (14) und eine zweite, zumindest weitgehend polymere Teilschicht (15) aufweist. Weiter wird ein Verfahren zur Erzeugung einer Passivierschicht (17) auf einer Siliziumschicht (11) vor­ geschlagen, wobei auf der Siliziumschicht (11) eine erste, anorganische Teilschicht (14), auf dieser eine Zwischenschicht und auf dieser eine zweite, polymere Teilschicht (15) er­zeugt wird, die die Passivierschicht (17) bilden. Die Erzeugung der Zwischenschicht er­folgt derart, dass die Zwischenschicht in ihrem der ersten Teilschicht (14) benachbarten Oberflächenbereich wie die erste Teilschicht (14) und in ihrem der zweiten Teilschicht (15) benachbarten Oberflächenbereich wie die zweite Teilschicht (15) zusammengesetzt ist, und dass die Zusammensetzung der Zwischenschicht kontinuierlich oder stufenweise von der Zusammensetzung entsprechend der ersten Teilschicht in die Zusammensetzung entsprechend der zweiten Teilschicht übergeht. Das vorgeschlagene Schichtsystem oder das vorgeschlagene Verfahren eignet sich besonders bei der Erzeugung von freitragenden Strukturen in Silizium.

    Abstract translation:

    本发明涉及具有硅层（11），其上在＆害羞的层系统;施加至少一些区域，表面BEAR悠闲的钝化层（17），其中，所述钝化层（17）包括第一，至少基本上无机的部分层 （14）和第二，至少基本上是聚合物的部分层（15）。 此外，还提供了一种在硅之前在硅层（11）上形成钝化层（17）的方法。 打浆，其中，所述硅层（11）上包括该中间层上的第一无机局部层（14），并在此第二聚合物部分层（15）他＆害羞;证据表明，形成钝化层（17）。 中间层它＆害羞的产生;如下，使得在它的第一部分层的中间层（14）相邻的表面BEAR chenbereich作为第一局部层（14）和在其第二部分层（15）相邻的表面BEAR chenbereich类似于第二局部层（15 ），并且中间层的组成连续地或阶段地从对应于第一局部层的组合物进入对应于第二局部层的组合物。 所提出的层系或所提出的方法特别适用于硅中自支撑结构的制造。

    INTEGRATED CAPACITIVE HUMIDITY SENSOR
    17.
    发明公开
    INTEGRATED CAPACITIVE HUMIDITY SENSOR 审中-公开
    集成电容式湿度传感器

    公开(公告)号：EP3211409A1

    公开(公告)日：2017-08-30

    申请号：EP17154932.2

    申请日：2017-02-07

    Applicant: NXP USA, Inc.

    Inventor： ZHANG, Qing ,  CHOUDHURI, Mohommad Mahbub ,  ZEB, Gui

    IPC: G01N27/22

    CPC classification number: B81B7/008 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2207/015 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/016 ,  B81C2201/019 ,  G01N27/223

    Abstract: A semiconductor device composed of a capacitive humidity sensor comprised of a moisture-sensitive polymer layer electrografted to an electrically conductive metal layer situated on an CMOS substrate or a combined MEMS and CMOS substrate, and exposed within an opening through a passivation layer, packages composed of the encapsulated device, and methods of forming the capacitive humidity sensor within the semiconductor device, are provided.

    Abstract translation: 一种由电容式湿度传感器构成的半导体器件，该电容式湿度传感器包括电接枝到位于CMOS衬底或组合的MEMS和CMOS衬底上的导电金属层并且通过钝化层暴露于开口内的湿敏聚合物层， 封装的器件以及在半导体器件内形成电容式湿度传感器的方法。

    Piezoresistive sensing structure
    19.
    发明公开
    Piezoresistive sensing structure 有权
    压阻传感器

    公开(公告)号：EP1721865A2

    公开(公告)日：2006-11-15

    申请号：EP06075963.6

    申请日：2006-04-28

    Applicant: Delphi Technologies, Inc.

    Inventor： Rich, David B. ,  Crist, Steven M.

    IPC: B81B3/00

    CPC classification number: B81C1/00142 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/032 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/016 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123 ,  G01P2015/0828

    Abstract: A technique for manufacturing a piezoresistive sensing structure (170) includes a number of process steps. Initially, a piezoresistive element (108) is implanted into a first side of an assembly (102,106,104A) that includes a semiconductor material (102,104A). A passivation layer (110A) is then formed on the first side of the assembly (102,106,104A) over the element (108). The passivation layer (110A) is then removed from selected areas on the first side of the assembly (102,106,104A). A first mask is then provided on the passivation layer (110A) in a desired pattern. A beam (152), which includes the element (108), is then formed in the assembly over at least a portion of the assembly (102,106,104A) that is to provide a cavity (103). The passivation layer (110A) provides a second mask, in the formation of the beam (152), that determines a width of the formed beam (152).

    Abstract translation: 制造压阻感测结构（170）的技术包括多个工艺步骤。 最初，将压阻元件（108）注入包括半导体材料（102,104A）的组件（102,106,104A）的第一侧。 然后在元件（108）上方的组件（102,106,104A）的第一侧上形成钝化层（110A）。 然后从组件（102,106,104A）的第一侧上的选定区域去除钝化层（110A）。 然后以期望的图案在钝化层（110A）上提供第一掩模。 然后，包括元件（108）的梁（152）在组件中形成在组件（102,106,104A）的至少一部分上，以提供空腔（103）。 钝化层（110A）在确定所形成的光束（152）的宽度的波束（152）的形成中提供第二掩模。

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