公开(公告)号：CN106082110A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610244599.2

申请日：2016-04-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·德厄 ,  T·基尔格 ,  D·迈尔 ,  M·梅纳特 ,  F·X·米尔鲍尔 ,  D·波尔沃尔 ,  J·瓦格纳

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00896 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/0194 ,  B81C2201/053 ,  B81C1/00261 ,  B81B7/0058 ,  B81C1/00325 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019

Abstract: 本发明提出了一种制造芯片封装体的方法。在第一晶片上提供多个芯片。每个芯片都包括通向所述芯片的第一主表面的腔。所述腔被临时地填充或盖住。然后所述芯片被单片化。将单片化的芯片嵌设到封装材料中。然后重新暴露所述腔。

公开(公告)号：CN105667087A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201510815484.X

申请日：2015-11-23

Applicant: 施乐公司

Inventor： P·J·奈斯特龙 ,  G·D·雷丁 ,  M·A·赛卢拉

IPC: B41J2/14 ,  B41J2/16 ,  B41J2/01

CPC classification number: B41J2/1621 ,  B41J2/14233 ,  B41J2/1433 ,  B41J2/161 ,  B41J2/162 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1626 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1632 ,  B41J2/1635 ,  B41J2/1639 ,  B81B2201/052 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00214 ,  B81C1/00523 ,  B81C2201/0194 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49401 ,  Y10T29/49798

Abstract: 本发明提供一种用于形成用于静电致动喷墨打印头的多个静电致动器膜片的方法。方法可以包括在蚀刻停止层上形成掩盖致动器膜片层，其中蚀刻停止层插入掩盖膜片层和诸如半导体晶片的操作层之间。掩盖致动器膜片层被图案化以形成多个致动器膜片。多个致动器膜片附连到包括用于致动多个致动器膜片的电路的打印头驱动组件。随后，去除操作层和蚀刻停止层，由此留下附连到打印头驱动组件的多个致动器膜片。

公开(公告)号：CN105371831A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510505681.1

申请日：2015-08-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 田中悟

IPC: G01C19/5656

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0181 ,  B81B2203/058 ,  B81C1/00357 ,  B81C2201/0194 ,  G01P2015/0831 ,  G01C19/5656

Abstract: 本发明提供了一种物理量传感器、电子设备以及移动体，该物理量传感器即使在小型化的情况下也具有高灵敏度，该电子设备以及移动体具备该物理量传感器。本发明所涉及的物理量传感器(100)具有：基板(10)；支承部(40)；通过连结部(30、32)而与支承部(40)连接的可动部(20)；与可动部(20)对置并被配置在基板(10)上的固定电极，可动部(20)具有：第一质量部(20a)；质量小于第一质量部(20a)的第二质量部(20b)；被配置在第一质量部(20a)上的第一可动电极(21)；被配置在第二质量部(20b)上的第二可动电极(22)，固定电极由第一固定电极(50)和第二固定电极(52)构成，在将可动部(20)的长度方向上的可动部(20)的长度设为L，将可动部(20)的长度方向上的第二质量部(20b)的长度设为L2时，满足0.2≤L2/L≤0.48的关系。

公开(公告)号：CN102792715A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201080036868.7

申请日：2010-08-27

Applicant: 美国亚德诺半导体公司

Inventor： 杨·L·匡 ,  陈立 ,  陈都华

IPC: H04R19/00

CPC classification number: H04R19/04 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/0194 ,  H04R19/005 ,  H04R2201/003 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49005 ,  Y10T29/4908

Abstract: 一种双背板MEMS麦克风系统包括夹在两个单晶硅背板之间的柔性膜片。可以通过下述方式来形成这样的MEMS麦克风系统：在独立的晶片中制造每一个背板；以及然后将一个背板从其晶片向另一个晶片转移，使得与膜片形成两个分离的电容器。

公开(公告)号：CN104369543B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201410393734.0

申请日：2014-08-12

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 森茂 ,  金子节夫 ,  浅田秀树

IPC: B41J2/16 ,  B41J2/01

CPC classification number: B41J2/1601 ,  B41J2/0455 ,  B41J2/0458 ,  B41J2/14016 ,  B41J2/14129 ,  B41J2/1626 ,  B41J2/1634 ,  B41J2002/14387 ,  B81C1/00357 ,  B81C1/00817 ,  B81C2201/0194 ,  C09K13/00

Abstract: 本发明提供喷墨打印头及其制造方法和装配有喷墨打印头的绘图设备。制造方法包括：在基板上形成分离辅助层；在分离辅助层上形成加热电阻器、薄膜晶体管和用于喷出液体的喷嘴；将分离辅助层从基板分离；在分离辅助层的与喷嘴相反的表面上形成第一热传导层；和形成墨供给口以将墨从喷墨打印头的第一热传导层侧供给到喷嘴。

公开(公告)号：CN105517948A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201580001168.7

申请日：2015-04-01

Applicant: 歌尔声学股份有限公司

Inventor： 邹泉波 ,  王喆

IPC: B81C99/00

CPC classification number: B81C1/00896 ,  B81C1/00357 ,  B81C2201/0194 ,  B81C2203/01 ,  B81C2203/0127 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/11312 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  B81C99/008

Abstract: 本发明公开了一种MEMS转移方法、制造方法、器件及设备。该用于MEMS转移的方法包括：在激光透明的承载体的第一表面上沉积激光吸收层；在激光吸收层上形成MEMS结构；将MEMS结构附着到接收体上；以及从承载体侧执行激光剥离，以去除承载体。通过本发明，可以通过简单、低成本的方式实现高品质MEMS结构的转移。

公开(公告)号：CN104843635A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510086498.2

申请日：2015-02-17

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： D·哈贝雷尔

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81B1/004 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/04 ,  B81B2201/047 ,  B81B2203/0353 ,  B81C1/00087 ,  B81C1/00103 ,  B81C2201/0194 ,  B81C2203/0172

Abstract: 本发明涉及一种用于制造微机械部件的方法以及一种微机械部件。方法包括以下步骤：提供具有第一外表面和第二外表面的衬底，第二外表面背离第一外表面；构造穿过衬底从衬底的第一外表面直到衬底的第二外表面的通孔；在衬底的第二外表面上安装光学功能层，其中，光学功能层遮盖通孔；在衬底的第一外表面处如此移除衬底的第一区段，使得形成相对于衬底的第二外表面倾斜的第三外表面，第三外表面背离衬底的第二外表面，其中，倾斜的第三外表面包围通孔；通过分离衬底的具有通孔的第一部分和光学功能层的安装在第一部分处的第二部分与衬底的剩余部和光学功能层的剩余部来分离微机械部件。

公开(公告)号：CN103626116A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310248896.0

申请日：2013-06-21

Applicant: 霍尼韦尔国际公司

Inventor： R.苏皮诺 ,  G.H.罗登

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00523 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/0194

Abstract: 本发明涉及蚀刻嵌在玻璃中的牺牲特征来制造微机电系统结构的方法。在一个实施例中，提供了一种制造微机电系统结构的方法。所述方法包括：在最接近硅基板的第一表面的掺杂层中制造加工结构。所述硅基板的第一表面被结合到第一平面玻璃结构上，一个或更多个第一牺牲特征被嵌入在所述第一平面玻璃结构中。所述方法还包括：进行蚀刻从而移除硅基板的主体，其中所述主体为所述硅基板上面的第一表面的倒像，其中蚀刻移除硅基板的主体并且剩留下了结合在所述第一平面玻璃结构上的加工结构。所述方法还包括：进行蚀刻从而从所述第一平面玻璃结构上面移除一个或更多个第一牺牲特征。

公开(公告)号：CN103145090A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210518396.X

申请日：2012-12-05

Applicant: 林清富

Inventor： 林清富 ,  林子敬 ,  许书嘉

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C99/008 ,  B81B2207/056 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0194

Abstract: 本发明是有关于一种大面积薄型单晶硅的制作技术，特别是有关一种利用金属辅助蚀刻技术在硅基板或硅晶圆上制作微米结构或纳米结构并脱离硅基板或晶圆的方法。此方法借由金属催化剂沉积、纵向蚀刻、侧向蚀刻、而使微米结构或纳米结构剥离或转移等简单的工艺，形成薄型单晶硅，并将基板表面处理后，使基板进行回收用于重复制作薄型单晶硅，而对基板做充分的利用，达到降低其制作成本的目的与增加应用的范围。

公开(公告)号：WO2013126927A2

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：PCT/US2013/027826

申请日：2013-02-26

Applicant: SOLEXEL, INC.

Inventor： YONEHARA, Takao ,  RANA, Virendra, V. ,  SEUTTER, Sean ,  MOSLEHI, Mehrdad, M. ,  TAMILMANI, Subramanian

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/268 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/7813 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0054 ,  B23K26/0057 ,  B23K26/0093 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/082 ,  B23K26/0869 ,  B23K26/244 ,  B23K26/702 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/52 ,  B42D25/00 ,  B81C1/0038 ,  B81C1/0088 ,  B81C2201/0192 ,  B81C2201/0194 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76259 ,  H01L25/0657 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  Y02E10/547 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: Methods and systems are provided for the split and separation of a layer of desired thickness of crystalline semiconductor material containing optical, photovoltaic, electronic, micro-electro-mechanical system (MEMS), or optoelectronic devices, from a thicker donor wafer using laser irradiation.

Abstract translation: 提供了用于将包含光学，光伏，电子，微电子机械系统（MEMS）或光电子器件的期望厚度的晶体半导体材料的层分离和分离成的方法和系统， 使用激光照射的更厚的施主晶片。