公开(公告)号：KR101516112B1

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：KR1020140011518

申请日：2014-01-29

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 강인영 ,  양정승 ,  임승모 ,  강윤성

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  H01L29/84

CPC classification number: G01P15/0922 ,  B06B1/0603 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0271 ,  G01L1/16 ,  G01P15/09 ,  G01P15/097 ,  H01L41/0825

Abstract: 본발명의바람직한제1 실시예에따른 MEMS 센서는가진수단및 감지수단을포함하는가요성기판과, 상기가요성기판에결합된질량체와, 상기가요성기판을지지하는지지부를포함하고, 상기가진수단은다층의압전체부및 상기다층의압전체부에연결된전극부를포함하고, 상기감지수단은압전체및 전극부를포함하고, 상기다층의압전체부는동일방향으로폴링되어, 서로접하는압전체중에서하나의압전체는다른하나의압전체에대하여반대방향으로팽창또는수축되고, 상기가진수단및 감지수단의압전체및 전극부가각각적층되는적층방향에대하여상기가진수단의최상층과상기감지수단의최상층은동일면으로위치된다.

Abstract translation: 根据本发明的期望的第一实施例，MEMS传感器包括：柔性基板，其包括激励装置和检测装置; 耦合到柔性基板的质量; 以及支撑柔性基板的支撑单元。 励磁装置包括多层压电体部分和连接到多层压电体部分的电极单元，并且检测装置包括压电体和电极单元。 多层压电体部分沿相同的方向极化，并且彼此接触的压电体中的一个压电体在与另一个压电体相反的方向上膨胀或收缩。 激励装置的顶层和检测装置的顶层分别位于相对于累积方向的相同表面上，其中检测装置和电极单元的激励装置和压电体被累积。

公开(公告)号：KR1020080069538A

公开(公告)日：2008-07-28

申请号：KR1020080006907

申请日：2008-01-23

Applicant: 파나소닉 주식회사

Inventor： 하시무라,아키노리

IPC: H03H9/24 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H03H3/007

CPC classification number: B81C1/00142 ,  B81B2201/0271

Abstract: An electromechanical resonator and a manufacturing method thereof are provided to form a vibrator through a fixed electrode and a gap and to form a large region and a narrow region in the gap for obtaining high mechanical strength. An electromechanical resonator comprises a resonating part having a fixed electrode(107) and a vibrator(109) formed through the fixed electrode and a gap. The gap includes first and second regions(113,111). The second region is large enough to ignore capacitance between the fixed electrode and the vibrator. The vibrator has air gaps. The air gaps have a large gap and a narrow gap. Maximum electrostatic force is generated at the narrow gap between the vibrator and the fixed electrode. A first insulating layer(103) is formed on a material substrate(101).

Abstract translation: 提供机电谐振器及其制造方法，以通过固定电极和间隙形成振动器，并且在间隙中形成大的区域和狭窄的区域以获得高的机械强度。 机电谐振器包括具有固定电极（107）和通过固定电极形成的振动器（109）和间隙的谐振部分。 间隙包括第一和第二区域（113,111）。 第二区域足够大以忽略固定电极和振动器之间的电容。 振动器有气隙。 气隙间隙较大，间隙较窄。 在振动器和固定电极之间的窄间隙处产生最大的静电力。 在材料基板（101）上形成第一绝缘层（103）。

公开(公告)号：KR1020060100936A

公开(公告)日：2006-09-21

申请号：KR1020060022961

申请日：2006-03-13

Applicant: 아바고 테크놀로지스 제너럴 아이피 (싱가포르) 피티이 리미티드

Inventor： 파지오알샨 ,  던간토마스이

IPC: H03H9/15 ,  H03H9/00

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B2201/0271 ,  B81C2203/0735 ,  H03H9/0557 ,  Y10T29/42

Abstract: 본 발명은 전자 회로와 종방향으로 집적된 음향 공진기를 포함하는 모노리식 장치((monolithic devices)에 관해 개시한다. 일측면에서, 모노리식 집적 장치(150)는 기판(156)과, 기판(156)에 의해 지지되는 전자 회로(154)와, 전자 회로(154) 위의 음향 격리기(acoustic isolator)(158)와, 음향 격리기(158) 위의 음향 공진기(152)를 포함한다. 또한, 모노리식 장치(150)를 제조하는 방법에 대해서도 개시한다.

公开(公告)号：EP3495318A2

公开(公告)日：2019-06-12

申请号：EP18210961.1

申请日：2018-12-07

Applicant: Infineon Technologies AG

Inventor： CHIANG, Chau Fatt ,  CHUA, Kok Yau ,  KUEK, Hsieh Ting ,  BAKAR, Roslie Saini bin ,  ABDUL WAHID, Junny ,  CHONG, Hock Heng ,  POK, Pei Luan ,  LEE, Chee Hong ,  SCHMALZL, Stefan ,  REISS, Werner ,  CHIN, Kon Hoe ,  LIEW, Soon Lee ,  OTHMAN, Nurfarena ,  TUAZON BERNARDEZ, April Coleen

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L25/0657 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00095 ,  B81C2203/0154 ,  B81C2203/032 ,  B81C2203/0792 ,  H01L23/10 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49838 ,  H01L25/065 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06572

Abstract: Embodiments of chip-package and corresponding methods of manufacture are provided. In an embodiment of a chip-package, the chip-package includes: a carrier having a first side and a second side opposing the first side; a first chip coupled to the first side of the carrier; a second chip coupled to the second side of the carrier; an encapsulation with a first portion, which at least partially encloses the first chip on the first side of the carrier, and a second portion, which at least partially encloses the second chip on the second side of the carrier; a via extending through the first portion of the encapsulation, the carrier and the second portion of the encapsulation; and an electrically conductive material at least partly covering a sidewall of the via in the first portion or the second portion of the encapsulation, to electrically contact the carrier at either side.

公开(公告)号：EP3038974A4

公开(公告)日：2017-07-26

申请号：EP14839979

申请日：2014-08-26

Applicant: SILEX MICROSYSTEMS AB

Inventor： KÄLVESTEN EDVARD ,  EBEFORS THORBJÖRN ,  SVEDIN NIKLAS

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/50 ,  H01L23/00 ,  H01L23/08 ,  H01L23/48

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/095 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/0153 ,  B81C2201/036 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0145 ,  H01L21/50 ,  H01L23/08 ,  H01L24/94 ,  H01L2924/16235

公开(公告)号：EP2973665A4

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：EP14770043

申请日：2014-03-08

Applicant: BOSCH GMBH ROBERT

Inventor： GRAHAM ANDREW ,  YAMA GARY ,  O'BRIEN GARY

IPC: H01L21/28

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/04 ,  B81B2203/053 ,  B81C1/00095 ,  B81C1/00166 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/0177 ,  B81C2203/0136

Abstract: In one embodiment, a method of forming an out-of-plane electrode includes forming an oxide layer above an upper surface of a device layer, etching an etch stop perimeter defining trench extending through the oxide layer, forming a first cap layer portion on an upper surface of the oxide layer and within the etch stop perimeter defining trench, etching a first electrode perimeter defining trench extending through the first cap layer portion and stopping at the oxide layer, depositing a first material portion within the first electrode perimeter defining trench, depositing a second cap layer portion above the deposited first material portion, and vapor releasing a portion of the oxide layer with the etch stop portion providing a lateral etch stop.

Abstract translation: 在一个实施例中，形成平面外电极的方法包括在器件层的上表面上形成氧化物层，蚀刻限定延伸穿过氧化物层的沟槽的蚀刻停止周界，在第一帽层部分上形成 氧化层的上表面和蚀刻停止周界界定沟槽内，蚀刻延伸穿过第一覆盖层部分并停止在氧化物层处的第一电极周界，限定沟槽，在第一电极周界界定槽内沉积第一材料部分，沉积 在沉积的第一材料部分上方的第二盖层部分，以及用蚀刻停止部分提供横向蚀刻停止的部分氧化物层的蒸气。

公开(公告)号：EP2341030B1

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：EP10171574.6

申请日：2010-08-02

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Baik, Chan-wook ,  Hong, Seog-woo ,  Suh, Hwan-soo

IPC: H01J25/34 ,  B81C1/00 ,  H01L23/66 ,  H01P11/00 ,  H01L25/00

CPC classification number: B81C1/00063 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/019 ,  H01J25/34 ,  H01L25/50 ,  H01L2924/0002 ,  H01P11/003 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP2617129B1

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：EP11752575.8

申请日：2011-09-09

Applicant: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

Inventor： HENTZ, Sébastien ,  ANDREUCCI, Philippe ,  COLINET, Eric ,  DURAFFOURG, Laurent ,  LABARTHE, Sébastien

IPC: B81B3/00 ,  H02N2/18 ,  H02N2/00 ,  H03H9/02 ,  H03H9/24

CPC classification number: H02N2/18 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0109 ,  H02N2/22 ,  H03H9/02259 ,  H03H9/2405 ,  H03H2009/0244 ,  H03H2009/02496 ,  Y10T29/42

公开(公告)号：EP2676366A1

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：EP12747759.4

申请日：2012-02-17

Applicant: Teknologian Tutki Muskeskus VTT.

Inventor： PENSALA, Tuomas ,  JAAKKOLA, Antti ,  GANCHENKOVA, Maria ,  PRUNNILA, Mika ,  KIIHAMÄKI, Jyrki

IPC: H03H9/02 ,  H03H3/007 ,  B81B3/00

CPC classification number: H03H9/02448 ,  B81B3/0078 ,  B81B2201/0271 ,  H01L41/18 ,  H03H3/0072 ,  H03H3/0076 ,  H03H9/2405 ,  H03H9/2447 ,  H03H2009/02503 ,  H03H2009/02519 ,  H03H2009/241 ,  H03H2009/2442 ,  Y10T29/42

Abstract: The invention concerns a micromechanical device and method of manufacturing thereof. The device comprises an oscillating or deflecting element (16) made of semiconductor material comprising n-type doping agent and excitation or sensing means (10, 14) functionally connected to said oscillating or deflecting element (16). According to the invention, the oscillating or deflecting element (16) is essentially homogeneously doped with said n-type doping agent. The invention allows for designing a variety of practical resonators having a low temperature drift.

公开(公告)号：EP2008965A3

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：EP08158743.8

申请日：2008-06-23

Applicant: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

Inventor： Robert, Philippe

IPC: B81B3/00 ,  G01L1/18 ,  G01C19/00 ,  G01P15/08 ,  G01P15/097 ,  H03H9/02

CPC classification number: B81B3/0086 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0271 ,  G01C19/574 ,  G01C19/5755 ,  G01C19/5769 ,  G01L1/183 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/097 ,  H03H9/02259

Abstract: La présente invention concerne un dispositif résonant à détection dans le plan piézorésistive réalisé en technologies de surfaces sur un substrat, qui comprend un résonateur (10) relié à ce substrat par au moins un encastrement (12), des moyens d'excitation (14) de ce résonateur et des moyens de détection comprenant au moins une jauge de contrainte de type poutre suspendue réalisée en matériau piézorésistif (11), dans lequel chaque jauge de contrainte a un plan commun avec le résonateur, et est relié à ce résonateur (10) en un point situé en dehors de cet au moins un encastrement (12) pour augmenter 1a contrainte vue par cette jauge de contrainte.