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    정전용량형 압력 센서용 부유 멤브레인
    191.
    发明公开
    정전용량형 압력 센서용 부유 멤브레인 审中-实审
    用于电容式压力传感器的浮动膜

    公开(公告)号：KR1020170036061A

    公开(公告)日：2017-03-31

    申请号：KR1020177005281

    申请日：2015-07-24

    Applicant: 에이엠에스 인터내셔널 에이쥐

    Inventor： 베슬링,빌렙프레데릭아드리아누스 ,  퓨넨버그,렘코헨리쿠스빌헤무스 ,  반데아브루트,캐스퍼 ,  올드센,마틴 ,  구센즈,마틴

    IPC: B81C1/00 ,  G01L9/00 ,  H01L29/84

    CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/014 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0072 ,  G01L9/0073 ,  G01L9/12 ,  H01L29/84

    Abstract: 부유멤브레인을형성하기위한방법의일 실시예는제1 전기전도성물질을희생층의상부및 경계트렌치내에증착하는단계를포함한다. 상기제1 전기전도성물질은상기경계트렌치상부에모서리전이부분을형성한다. 본방법은상기제1 전기전도성물질의요철지형의적어도일부를제거하는상기제1 전기전도성물질의일부를제거하는단계를더 포함한다. 본방법은제2 전기전도성물질을증착하는단계를더 포함한다. 상기제2 전기전도성물질은상기경계트렌치를지나도록연장형성된다. 본방법은식각개구부를통해상기희생층을제거하고상기제2 전기전도성물질하부에캐비티를형성하는단계를더 포함한다. 상기제1 전기전도성물질은상기캐비티의측벽경계의일부를형성한다.

    Abstract translation: 用于形成浮置膜的方法的一个实施例包括在牺牲层的顶部和边界沟槽内沉积第一导电材料。 第一导电材料在边界沟槽上形成边缘过渡部分。 该方法还包括去除第一导电材料的一部分以去除第一导电材料的至少一部分不规则形貌。 该方法还包括沉积第二导电材料。 第二导电材料延伸超过边界沟槽。 该方法还包括通过蚀刻开口去除牺牲层并且在第二导电材料下方形成空腔。 第一导电材料形成空腔的侧壁边界的一部分。

    에칭방법 및 장치
    194.
    发明授权
    에칭방법 및 장치 有权
    蚀刻方法和系统

    公开(公告)号：KR100804858B1

    公开(公告)日：2008-02-20

    申请号：KR1020067027668

    申请日：2005-06-23

    Applicant: 가부시키가이샤 아루박

    Inventor： 모리카와야스히로 ,  하야시도시오 ,  스우고우코우

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/30655 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/014 ,  H01J37/3255 ,  H01J2237/334

    Abstract: Etching method and system capable of deep etching with a large mask selection ratio and an excellent anisotropy. The etching system comprises a floating electrode sustained in potentially floating state while facing a substrate electrode provided in a vacuum chamber, a material for forming an etching protection film provided on the side of the floating electrode facing the substrate electrode, and a control means for applying high frequency power intermittently to the floating electrode. In the etching method, a sputter film is formed on the substrate by applying high frequency power to the floating electrode using the material for forming an etching protection film provided on the side facing the substrate electrode of the floating electrode disposed oppositely to the substrate electrode as a target material and using only rare gas as main gas. Subsequently, application of high frequency power to the floating electrode is interrupted, the substrate is etched by introducing etching gas into the vacuum chamber, and formation of the sputter film on the substrate and etching of the substrate are repeated according to a scheduled sequence (Fig. 1).

    광 차폐 기능을 가진 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치및 그 방법
    195.
    发明公开
    광 차폐 기능을 가진 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치및 그 방법 失效
    使用具有光过滤功能的空间光学调制器的显示装置及其方法

    公开(公告)号：KR1020070063120A

    公开(公告)日：2007-06-19

    申请号：KR1020050123033

    申请日：2005-12-14

    Applicant: 삼성전기주식회사

    Inventor： 이승우 ,  김천기 ,  유승원

    IPC: G02B26/00 ,  G02B26/08 ,  G02B26/10

    CPC classification number: G02B26/105 ,  B81C2201/014 ,  G02B26/0808 ,  G02B26/0858

    Abstract: A display device using an optical modulator with a light shielding function and a method thereof are provided to mechanically restrict signal distortion caused due to electrical on/off operations and to prevent the rising or falling time from being extended. A display device using an optical modulator(340) with a light shielding function is composed of light sources(305,310,315) for emitting the light; the optical modulator for emitting the diffracted light by reflecting and diffracting the light emitted from the light source; a light shielding unit(320) for mechanically opening or shielding the light emitted from the light source; and an optical scanner(350) rotated according to a pre-set period to reflect the light passing through the light shielding unit and then emit the reflected to a screen.

    Abstract translation: 提供了使用具有遮光功能的光调制器的显示装置及其方法，用于机械地限制由于电开/关操作引起的信号失真并且防止上升或下降时间延长。 使用具有遮光功能的光调制器（340）的显示装置由用于发光的光源（305,310,315）构成; 光调制器，用于通过反射和衍射从光源发射的光来发射衍射光; 遮光单元，用于机械地打开或遮蔽从光源发出的光; 以及根据预设周期旋转的光学扫描器（350），以反射通过遮光单元的光，然后将反射发射到屏幕。

    수직 단차 구조물의 제작 방법
    197.
    发明授权
    수직 단차 구조물의 제작 방법 失效
    垂直偏移结构的制造方法

    公开(公告)号：KR100574465B1

    公开(公告)日：2006-04-27

    申请号：KR1020040036507

    申请日：2004-05-21

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 이상우 ,  김종팔 ,  이병렬

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00626 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/045 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/014 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G02B26/0841

    Abstract: 웨이퍼에 완전한 수직단차를 형성하는 수직 단차 구조물 제작 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 수직 단차 구조물 제작 방법은 본 발명에 따른 수직 단차 구조물 제작 방법은 소정의 웨이퍼에 식각을 수행하여 제1 트렌치(trench)를 형성한 후, 제1 트렌치에 소정의 물질을 주입하는 제1 트렌치 형성 단계, 소정의 웨이퍼에 제1 박막을 증착하여 제2 및 제3 트렌치의 식각 위치를 결정하는 제1 패터닝(patterning)을 수행하고, 제1 박막 및 소정의 웨이퍼에 제2 박막을 증착하여 제3 트렌치의 식각 위치를 잠시 보호하는 제2 패터닝을 수행한 후, 소정의 웨이퍼에 식각을 수행하여 제2 트렌치를 형성하는 제1 식각 단계, 제2 트렌치의 측면에 보호막을 형성한 후, 소정의 웨이퍼에 식각을 수행하여 제2 트렌치를 수직 확장하는 제2 식각 단계, 제2 박막을 제거한 후 제2 박막이 제거된 위치에 식각을 수행하여 제3 트렌치를 형성하는 제3 식각 단계 및 소정의 웨이퍼에 식각을 수행하여 제2 식각 단계에서 수직 확장된 제2 트렌치 및 제3 트렌치를 수평 확장하는 제4 식각 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 구조물 사이의 수평간극이 보다 좁혀진다.
    수직 단차, 트렌치, 패터닝

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