Abstract:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a raster scan charged particle beam drawing method for exposing a desired pattern efficiently with high reliability, and to provide an aligner and a process for fabricating a device. SOLUTION: The charged particle beam drawing method for drawing a pattern by turning irradiation on/off while raster scanning a charged particle beam comprises a first drawing step for drawing the pattern of an object for measuring the line width, a second drawing step performing the first drawing step by shifting the drawing position of the pattern in the measuring direction of line width following to the first drawing step, a step for measuring the dose of charged particles from the pattern fixed in the first drawing step and the second drawing step, and a step for determining the line width of the drawing pattern based on the dose of charged particles thus measured and the drawing position. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
Abstract:
본 발명은 플라스마 전자 소스 장치(150)에 관한 것이다. 그 장치는, 플라스마가 발생되는 캐소드 방전 챔버(100), 캐소드 방전 챔버에 설치된 출구 홀(120)로서, 플라스마(107)로부터의 전자가 캐소드 방전 챔버(100)와 애노드(104) 사이에 제공된 가속 필드에 의해 상기 출구 홀로부터 추출되는 것인, 상기 출구 홀, 적어도 하나의 플라스마 구속 디바이스(예를 들어, 전자기 코일(103)), 및 플라스마로부터의 전자 추출을 허용하는 제1 값과 플라스마로부터의 전자 추출을 금지하는 제2 값 사이에서 적어도 하나의 플라스마 구속 디바이스를 스위칭하기 위한 스위칭 메커니즘(190)을 포함한다. 연관된 방법, 특히, 작업대 상에 제공되는 파우더 베드의 적어도 하나의 층의 부분들의 연속하는 용융을 통해 3차원 물품을 형성하도록 장치(150)를 사용하는 방법이 또한 제공된다.
Abstract:
집적회로의 디바이스 구조(82)를 나노프로브하는 방법은 1차 대전된 입자 빔(25)을 디바이스 구조의 제1 영역을 가로질러 스캔하는 단계 - 상기 제1 영역 가까이에 적어도 하나의 프로브(24a, 26a, 28a, 30a)로써, 그리고 상기 디바이스 구조의 제2 영역(91)은 상기 1차 대전된 입자 빔으로부터 마스크됨 - 를 포함한다. 상기 방법은 2차 전자 이미지(94)를 형성하기 위해 상기 디바이스 구조의 상기 제1 영역 및 상기 적어도 하나의 프로브로부터 방출된 2차 전자들(35)을 수집하는 단계를 더 포함한다. 상기 2차 전자 이미지는 이미지화된 부분들로서 상기 제2 영역 및 상기 적어도 하나의 프로브 그리고 이미지화되지 않은 부분으로서 상기 제2 영역을 포함한다. 이와는 다르게, 상기 제2 영역은 상기 제1 영역보다 더 빠른 스캔 레이트로 상기 대전된 입자 빔에 의해 스캔될 수 있다. 그리하여, 상기 제2 영역도 또한 상기 2차 전자 이미지의 이미지화된 부분이 되도록 한다.