荷電粒子線装置および荷電粒子線の計測方法
    221.
    发明专利
    荷電粒子線装置および荷電粒子線の計測方法 有权
    充电颗粒光束装置和测量充电颗粒光束的方法

    公开(公告)号:JP2015056331A

    公开(公告)日:2015-03-23

    申请号:JP2013190000

    申请日:2013-09-13

    CPC classification number: H01J37/28 H01J37/244 H01J37/265 H01J2237/043

    Abstract: 【課題】荷電粒子線装置において、2次電子放出量の計測精度と、荷電粒子線画像の安定性とを両立させる。【解決手段】荷電粒子線装置において、第1のトリガ信号により検出信号の抽出を開始し、第2のトリガ信号により前記検出信号の抽出を終了し、第1のトリガ信号と第2のトリガ信号の間隔時間Tを等分割するN回(Nは自然数)の第3のトリガ信号により検出信号のサンプリングをN回行い、間隔時間Tを等分割した分割時間&Dgr;Tのそれぞれにおいてサンプリングされた信号を積分して平均化することによって二次荷電粒子を計測し、分割時間&Dgr;Tを、計測された二次荷電粒子の数がエルゴード性が満たされる最小の荷電粒子数より多くなるように制御する。【選択図】図2

    Abstract translation: 要解决的问题:为了获得二次电子发射量的测量精度和带电粒子束装置中带电粒子束图像的稳定性两者。解决方案:在带电粒子束装置中,通过以下步骤开始检测信号的提取: 第一触发信号,检测信号的提取由第二触发信号结束,检测信号被采样N次(N是自然数),用于将第一触发信号和第二触发信号的间隔时间T等分三分之一 触发信号N次,通过对通过等分间隔时间T获得的每个分割时间&Dgr; T中采样的信号进行积分和平均信号来测量二次带电粒子,并且分配时间&Dgr; T被控制,使得测量的次级 带电粒子大于满足遍历性的带电粒子的最小数量。

    Charged particle beam drawing method, aligner, and process for fabricating device
    226.
    发明专利
    Charged particle beam drawing method, aligner, and process for fabricating device 有权
    充电颗粒光束绘图方法,对准器和制造器件的工艺

    公开(公告)号:JP2008004597A

    公开(公告)日:2008-01-10

    申请号:JP2006169798

    申请日:2006-06-20

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a raster scan charged particle beam drawing method for exposing a desired pattern efficiently with high reliability, and to provide an aligner and a process for fabricating a device. SOLUTION: The charged particle beam drawing method for drawing a pattern by turning irradiation on/off while raster scanning a charged particle beam comprises a first drawing step for drawing the pattern of an object for measuring the line width, a second drawing step performing the first drawing step by shifting the drawing position of the pattern in the measuring direction of line width following to the first drawing step, a step for measuring the dose of charged particles from the pattern fixed in the first drawing step and the second drawing step, and a step for determining the line width of the drawing pattern based on the dose of charged particles thus measured and the drawing position. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种用于以高可靠性有效地曝光所需图案的光栅扫描带电粒子束描绘方法,并提供对准器和制造器件的工艺。 解决方案:在光栅扫描带电粒子束的同时通过转动照射开/关来绘制图案的带电粒子束描绘方法包括:用于绘制用于测量线宽度的物体的图案的第一拉伸步骤,第二拉伸步骤 通过在第一拉伸步骤之后移动线宽度的测量方向上的图案的绘制位置来执行第一拉伸步骤,从在第一拉伸步骤和第二拉伸步骤中固定的图案测量带电粒子的剂量的步骤 以及基于由此测量的带电粒子的剂量和绘制位置来确定绘图图案的线宽的步骤。 版权所有(C)2008,JPO&INPIT

    멀티 하전 입자빔의 블랭킹 장치, 멀티 하전 입자빔 묘화 장치, 및 멀티 하전 입자빔의 불량빔 차폐 방법
    227.
    发明公开
    멀티 하전 입자빔의 블랭킹 장치, 멀티 하전 입자빔 묘화 장치, 및 멀티 하전 입자빔의 불량빔 차폐 방법 无效
    多重粒子束多孔充填粒子束的绘制装置和多颗粒光束的波束遮蔽方法

    公开(公告)号:KR1020160028385A

    公开(公告)日:2016-03-11

    申请号:KR1020150123575

    申请日:2015-09-01

    Abstract: 본발명의일태양의멀티하전입자빔의블랭킹장치는, 제1 전극과, 제1 전극에, 멀티하전입자빔중의대응빔을빔 ON과빔 OFF의상태로전환하기위한블랭킹제어용의상이한 2 개의전위를선택적으로인가하는제1 전위인가부와, 제1 전극과조가되어대응빔의블랭킹편향을행하는, 그라운드접속된제2 전극을각각가지고, 어레이배치되어, 멀티하전입자빔의대응빔의블랭킹제어를행하는복수의개별블랭킹기구와, 복수의개별블랭킹기구의제2 전극의전위를그라운드전위로부터변경하는적어도 1 개의전위변경부를구비하고, 전위변경부는, 복수의개별블랭킹기구의적어도 1 개의제1 전극의전위가그라운드전위로고정된경우에, 그라운드전위로고정된제1 전극에대응하는제2 전극의전위를그라운드전위로부터변경하는것을특징으로한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种多带电粒子束的消隐装置,包括:第一电极; 第一电位施加单元,其选择性地向第一电极施加两个不同的电位,用于控制消隐以将多带电粒子束的响应光束切换到光束开和光束断开状态; 多个单独的消隐装置,排列成阵列,与第一电极配对并执行响应光束的消隐偏转,其中每个消隐装置具有连接到地的第二电极; 以及至少一个电位改变单元,其将各个消隐装置处的第二电极的电位从基态电位改变。 在将各个消隐装置的第一电极中的至少一个的电位固定为基态电位的情况下,电位改变单元将与固定的第一电极对应的第二电极的电位改变为基态电 基态电势的潜力。 根据本发明的实施例,用于多带电粒子束的消隐装置可以控制和防止多带电粒子束产生在不能控制消隐的束打开状态下固定的故障光束。

    전자빔 묘화 장치, 및 전자빔의 수렴 반각 조정 방법
    228.
    发明公开
    전자빔 묘화 장치, 및 전자빔의 수렴 반각 조정 방법 无效
    电子束绘图装置和调整电子束融合的方法

    公开(公告)号:KR1020150119808A

    公开(公告)日:2015-10-26

    申请号:KR1020150052893

    申请日:2015-04-15

    Abstract: 본발명의일태양의전자빔묘화장치는, 전자빔을방출하는전자총기구와, 광축방향에대하여전자총기구보다후측에배치되고, 전자총기구의높이위치를가변으로조정가능한높이조정부와, 광축방향에대하여높이조정부보다후측에배치되고, 전자빔을수렴시키는전자렌즈와, 전자총기구의높이위치가가변으로조정되어변화된높이위치마다, 소정의위치에전자빔이크로스오버를형성하도록전자렌즈를제어하는렌즈제어부와, 광축방향에대하여전자렌즈보다후측에배치되고, 전자렌즈를통과한상기전자빔을시료상에결상하는대물렌즈를구비한것을특징으로한다.

    Abstract translation: 本发明实施例的电子束光刻设备包括:用于发射电子束的电子枪装置; 高度调节单元,其设置在所述电动枪装置的光轴方向后方,能够调整所述电动枪装置的高度位置; 电光透镜,其设置在所述高度调节单元的光轴方向后方,并且会聚所述电子束; 透镜控制单元,用于通过调节电动枪装置的可变高度位置来控制电镜头,使电子束在每个高度位置的某个位置形成交叉; 以及物镜,其在光轴方向上布置在电透镜后面,并且使用通过电镜的电子束在样品上形成图像。

    전자 빔을 발생시키기 위한 방법 및 장치
    229.
    发明公开
    전자 빔을 발생시키기 위한 방법 및 장치 审中-实审
    用于生成电子束的方法和装置

    公开(公告)号:KR1020150010946A

    公开(公告)日:2015-01-29

    申请号:KR1020147030488

    申请日:2013-04-25

    Abstract: 본 발명은 플라스마 전자 소스 장치(150)에 관한 것이다. 그 장치는, 플라스마가 발생되는 캐소드 방전 챔버(100), 캐소드 방전 챔버에 설치된 출구 홀(120)로서, 플라스마(107)로부터의 전자가 캐소드 방전 챔버(100)와 애노드(104) 사이에 제공된 가속 필드에 의해 상기 출구 홀로부터 추출되는 것인, 상기 출구 홀, 적어도 하나의 플라스마 구속 디바이스(예를 들어, 전자기 코일(103)), 및 플라스마로부터의 전자 추출을 허용하는 제1 값과 플라스마로부터의 전자 추출을 금지하는 제2 값 사이에서 적어도 하나의 플라스마 구속 디바이스를 스위칭하기 위한 스위칭 메커니즘(190)을 포함한다. 연관된 방법, 특히, 작업대 상에 제공되는 파우더 베드의 적어도 하나의 층의 부분들의 연속하는 용융을 통해 3차원 물품을 형성하도록 장치(150)를 사용하는 방법이 또한 제공된다.

    Abstract translation: 本发明的各种实施方式涉及等离子体电子源装置。 该装置包括:阴极放电室,其中产生等离子体,设置在所述阴极放电室中的出射孔,来自等离子体的电子由所述阴极放电室和阳极之间的加速场提取,至少一个等离子体限制 装置和切换机构,用于在允许从等离子体提取电子的第一值和禁止从等离子体中提取电子的第二值之间切换至少一个等离子体约束装置。 还提供了相关的方法。

    집적회로 디바이스 구조의 나노프로빙
    230.
    发明公开
    집적회로 디바이스 구조의 나노프로빙 无效
    纳电集成电路器件结构

    公开(公告)号:KR1020120012777A

    公开(公告)日:2012-02-10

    申请号:KR1020117015967

    申请日:2009-12-09

    Abstract: 집적회로의 디바이스 구조(82)를 나노프로브하는 방법은 1차 대전된 입자 빔(25)을 디바이스 구조의 제1 영역을 가로질러 스캔하는 단계 - 상기 제1 영역 가까이에 적어도 하나의 프로브(24a, 26a, 28a, 30a)로써, 그리고 상기 디바이스 구조의 제2 영역(91)은 상기 1차 대전된 입자 빔으로부터 마스크됨 - 를 포함한다. 상기 방법은 2차 전자 이미지(94)를 형성하기 위해 상기 디바이스 구조의 상기 제1 영역 및 상기 적어도 하나의 프로브로부터 방출된 2차 전자들(35)을 수집하는 단계를 더 포함한다. 상기 2차 전자 이미지는 이미지화된 부분들로서 상기 제2 영역 및 상기 적어도 하나의 프로브 그리고 이미지화되지 않은 부분으로서 상기 제2 영역을 포함한다. 이와는 다르게, 상기 제2 영역은 상기 제1 영역보다 더 빠른 스캔 레이트로 상기 대전된 입자 빔에 의해 스캔될 수 있다. 그리하여, 상기 제2 영역도 또한 상기 2차 전자 이미지의 이미지화된 부분이 되도록 한다.

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