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公开(公告)号：FR3066336B1
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：FR1754146
申请日：2017-05-11
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor： PROOT JEAN-PIERRE , PAILLET PASCAL
Abstract: L'invention concerne un procédé d'adaptation d'impédance d'un circuit résonnant comportant au moins un élément inductif, au moins un premier élément capacitif en série avec l'élément inductif et au moins un deuxième élément capacitif en parallèle avec l'élément inductif, comportant les étapes de : comparer (33) une première information représentative des pertes (LOSS) dans l'élément inductif à un premier seuil (TH1) ; comparer (35) une deuxième information (V) représentative de la tension aux borne du circuit résonant à un deuxième seuil (TH2) ; et si la première information est inférieure au premier seuil et la deuxième information est inférieure au deuxième seuil, diminuer la valeur du premier élément capacitif et augmenter la valeur du deuxième élément capacitif.
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公开(公告)号：FR3050321B1
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：FR1653371
申请日：2016-04-15
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor： LANOIS FREDERIC , ANKOUDINOV ALEXEI , RODOV VLADIMIR
IPC: H01L29/74
Abstract: L'invention concerne une diode comprenant : une portion de substrat semiconducteur (152) dopé de type N entre des électrodes supérieure (A) et inférieure (K) ; un premier transistor vertical (T11) à canal N, dont la grille (160) est dopée de type N et couplée à l'électrode supérieure, le premier transistor ayant une zone de source (158) incluse dans un caisson (156) dopé de type P, le premier transistor ayant une région de canal (172) située dans ledit caisson ; un deuxième transistor (T12) à canal P ayant une grille (166) dopée de type P et une région de canal (174) située hors dudit caisson, les premier et deuxième transistors étant connectés en série entre les électrodes ; et une zone de sonde (37) dopée de type P, recouverte par la grille du premier transistor, la zone de sonde étant couplée à la grille du deuxième transistor.
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公开(公告)号：FR3062539B1
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：FR1750773
申请日：2017-01-31
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor： BIMBAUD IGOR , COLLEONI ERIC
IPC: H04M1/02
Abstract: L'invention concerne un étui (2) à rabat (24) pour téléphone portable, comportant, dans le rabat : au moins un logement (29) destiné à recevoir une carte (1) à microcircuit ; et au moins une première antenne (34) de communication sans contact, la première antenne étant électriquement connectée à une deuxième antenne (32) placée dans un fond (22) de l'étui.
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公开(公告)号：FR3069987A1
公开(公告)日：2019-02-08
申请号：FR1757425
申请日：2017-08-02
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor： GAUTIER FREDERIC
Abstract: L'invention concerne un élément redresseur (21) comprenant un transistor MOS (23) connecté en série avec une diode Schottky (25), configuré pour recevoir une tension sensiblement constante (Vp) entre la borne de commande du transistor et la borne (29) de la diode Schottky opposée au transistor. L'invention concerne également un convertisseur de tension comprenant un tel élément redresseur (21).
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公开(公告)号：FR3068546A1
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：FR1756179
申请日：2017-06-30
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor： BENABDELAZIZ GHAFOUR , REYMOND CEDRIC , JOUVE DAVID
Abstract: L'invention concerne un convertisseur alternatif-continu réversible, comportant : un premier transistor à effet de champ (S1) et un deuxième transistor à effet de champ (S2) en série entre une première borne (11) et une deuxième borne (12) d'une tension continue (Vdc) ; un élément inductif (L1) reliant un premier point milieu (13) de l'association en série des deux transistors à une première borne (15) d'une tension alternative (Vac) ; un premier triac (T1) et un deuxième triac (T2) en série entre les bornes de tension continue, un deuxième point milieu (17) de l'association en série des deux triacs étant relié à une deuxième borne (16) de la tension alternative.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR3066336A1
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：FR1754146
申请日：2017-05-11
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor： PROOT JEAN-PIERRE , PAILLET PASCAL
Abstract: L'invention concerne un procédé d'adaptation d'impédance d'un circuit résonnant comportant au moins un élément inductif, au moins un premier élément capacitif en série avec l'élément inductif et au moins un deuxième élément capacitif en parallèle avec l'élément inductif, comportant les étapes de : comparer (33) une première information représentative des pertes (LOSS) dans l'élément inductif à un premier seuil (TH1) ; comparer (35) une deuxième information (V) représentative de la tension aux borne du circuit résonant à un deuxième seuil (TH2) ; et si la première information est inférieure au premier seuil et la deuxième information est inférieure au deuxième seuil, diminuer la valeur du premier élément capacitif et augmenter la valeur du deuxième élément capacitif.
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237.发明专利
公开(公告)号：FR3049766B1
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：FR1652712
申请日：2016-03-30
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor： ROUVIERE MATHIEU , FLORENCE ARNAUD
IPC: H01L27/02
Abstract: L'invention concerne un dispositif (210) de protection contre des décharges électrostatiques, comportant : des première (211) et deuxième (212) diodes montées en série entre des première (N1) et deuxième (N2) bornes de connexion du dispositif ; une troisième borne (N3) de connexion reliée au point milieu entre les première (211) et deuxième (212) diodes ; et un condensateur (213) monté en parallèle des première (211) et deuxième (212) diodes, entre les première (N1) et deuxième (N2) bornes.
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公开(公告)号：FR3049768B1
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：FR1652822
申请日：2016-03-31
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor： MENARD SAMUEL
IPC: H01L23/62 , H01L29/747 , H01L29/87
Abstract: L'invention concerne un triac (40) à structure verticale comprenant, du côté de la face supérieure d'un substrat (43) en silicium : une métallisation principale (A1) dont une première partie repose sur une première région (47) d'un premier type de conductivité formée dans une couche (45) du deuxième de type de conductivité, et dont une deuxième partie repose sur une partie de ladite couche ; une métallisation de gâchette (G) reposant sur une deuxième région (51) du premier type de conductivité formée dans ladite couche (45), au voisinage de la première région (47) ; et au moins un barreau (57) de silicium poreux formé dans ladite couche, une première extrémité (57A) dudit barreau étant en contact avec la métallisation de gâchette, et la deuxième extrémité (57B) dudit barreau étant en contact avec la métallisation principale.
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公开(公告)号：FR3061600A1
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：FR1750049
申请日：2017-01-03
Inventor： FIGUIERE LAURENT , LOBASCIO GAETAN , MAS ALEXANDRE
Abstract: Dispositif électronique comprenant une plaque de support (2) qui présente une face de montage (3) et une puce électronique (8) qui présente une face avant (9) et une face arrière (10) opposée à sa face avant et qui est montée sur la plaque de support dans une position telle que la face avant de la puce est en regard de la face de montage de la plaque de support. La face arrière (10) de la puce est pourvue d'une pluralité de rainures arrière (14), de sorte que la face arrière (10) de la puce 8 présente, entre lesdites rainures (14), des zones arrière (15). Une couche arrière (16) en une matière conductrice de la chaleur est étalée sur la face arrière (10) de la puce de sorte à recouvrir au moins en partie lesdites zones arrière (15) et à remplir au moins partiellement lesdites rainures arrière (14).
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公开(公告)号：FR3040539B1
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：FR1558035
申请日：2015-08-28
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor： YVON ARNAUD
IPC: H01L29/872
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