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    FOURIER-SPEKTROMETER MIT EINEM MEHRMODEN-QUANTENKASKADENLASER, UND VERFAHREN ZUR SPEKTROSKOPISCHEN UNTERSUCHUNG EINER PROBE
    253.
    发明申请
    FOURIER-SPEKTROMETER MIT EINEM MEHRMODEN-QUANTENKASKADENLASER, UND VERFAHREN ZUR SPEKTROSKOPISCHEN UNTERSUCHUNG EINER PROBE 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018172391A3

    公开(公告)日：2018-09-27

    申请号：PCT/EP2018/057105

    申请日：2018-03-21

    Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

    Inventor： RÖBEN, Benjamin ,  HEMPEL, Martin ,  LÜ, Xiang ,  BIERMANN, Klaus ,  SCHROTTKE, Lutz ,  GRAHN, Holger T.

    IPC: G01J3/453 ,  G01J3/42 ,  H01S5/34 ,  G01J3/433

    Abstract: Ein Fourier-Spektrometer zur spektroskopischen Untersuchung einer Probe umfasst einen Mehrmoden-Quantenkaskadenlaser (QCL), der eine aktive QCL-Region in einem Laserresonator, die zur Erzeugung von Laserlicht mit Emissionsfrequenzen gemäß einer Vielzahl von Resonatormoden des Laserresonators konfiguriert ist, eine Anregungseinrichtung, die zur elektrischen Anregung der aktiven QCL-Region mittels eines elektrischen Pumpstroms konfiguriert ist, und eine Abstimmeinrichtung enthält, mit der die Resonatormoden einstellbar sind, ein Interferometer zur Erzeugung eines auf dem Laserlicht basierenden Interferogramms, eine Detektoreinrichtung zur Detektion des Interferogramms nach einer Wechselwirkung mit der Probe und zur Erfassung eines Detektorsignals, welches das detektierte Interferogramm beinhaltet, innerhalb einer Detektormesszeit, und eine Auswertungseinrichtung, die zur Erfassung eines Spektrums der Probe durch eine Fourier-Transformation des detektierten Interferogramms konfiguriert ist, wobei die Abstimmeinrichtung des QCL zur periodischen spektralen Variation der Resonatormoden mit einer zeitlichen Abstimmperiode geringer als 1 min jeweils in einem spektralen Abstimmintervall konfiguriert ist, das mindestens gleich dem Abstand benachbarter Resonatormoden des Laserresonators ist, die aktive QCL-Region zur Erzeugung des Laserlichts mit den Emissionsfrequenzen im Bereich von 1 THz bis 6 THz konfiguriert ist, wobei die Emissionsfrequenzen des Laserlichts einen spektralen Emissionsbereich von mindestens 50 GHz abdecken, und die Detektoreinrichtung zur zeitlichen Mittelung des Detektorsignals über die zeitliche Abstimmperiode der Abstimmeinrichtung des QCL ausgelegt ist. Es wird auch ein Verfahren zur spektroskopischen Untersuchung einer Probe mit dem Spektrometer beschrieben.

    STRAHLUNGSDETEKTOR UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
    254.
    发明申请
    STRAHLUNGSDETEKTOR UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018153557A1

    公开(公告)日：2018-08-30

    申请号：PCT/EP2018/050501

    申请日：2018-01-10

    Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

    Inventor： RÄMER, Adam ,  SHEVCHENKO, Sergey

    IPC: H01L31/02 ,  H01L31/112 ,  H01Q1/22 ,  H01Q9/28 ,  H01Q23/00 ,  H01L29/04

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft einen Strahlungsdetektor und ein Verfahren zu dessen Herstellung. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung einen Strahlungsdetektor zur Detektion von THz-Strahlung basierend auf einem Feldeffekttransistor (FET) mit einer an die FET-Struktur monolithisch integrierten Antennenstruktur und ein Verfahren zur Herstellung einer solchen monolithisch integrierten Detektoranordnung. Ein erfindungsgemäßer Strahlungsdetektor (100) umfasst eine Antennenstruktur (10); und eine Feldeffekttransistor-, FET-, Struktur (20) mit einem Source-Bereich (24), einem Gate-Bereich (26), und einem Drain-Bereich (28), wobei diese Bereiche (24, 26, 28) auf einem Substrat (70) angeordnet sind und durch Metallisierung voneinander unabhängige elektrisch leitfähige Elektrodenstrukturen (34, 36, 38) ausbilden, wobei die Gate-Elektrodenstruktur (36) die Source-Elektrodenstruktur (34) oder die Drain-Elektrodenstruktur (38) in einer ersten Ebene (E1 ) vollständig umschließt; sich die umschlossene Elektrodenstruktur (34, 38) bis oberhalb der Gate-Elektrodenstruktur (36) erstreckt und dort die Umschließung in einer zweiten Ebene (E2) oberhalb der ersten Ebene (E1) zumindest abschnittsweise flächig überdeckt; wobei zwischen den von der umschlossenen Elektrodenstruktur (34, 38) überdeckten Bereichen der Gate-Elektrodenstruktur (36) ein elektrisch isolierender Bereich (42) zur Ausbildung eines Kondensators (40) mit einer Metall-Isolator-Metall-, MIM-, Struktur angeordnet ist. Das erfindungsgemäße Verfahren zum Herstellung eines Strahlungsdetektors (100) eignet sich zur Herstellung besonders bevorzugter Ausführungsformen eines erfindungsgemäßen Strahlungsdetektors (100).

    DIODENLASER MIT VERBESSERTEM MODENPROFIL
    255.
    发明申请
    DIODENLASER MIT VERBESSERTEM MODENPROFIL 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018138209A1

    公开(公告)日：2018-08-02

    申请号：PCT/EP2018/051856

    申请日：2018-01-25

    Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

    Inventor： KAUL, Thorben ,  ERBERT, Götz ,  CRUMP, Paul

    IPC: H01S5/20 ,  H01S5/32

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Laserdiode mit verbessertem Modenprofil. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung einen Breitstreifen-Halbleiterlaser basierend auf einer Extrem Doppel-Asymmetrischen Struktur (EDAS), wobei durch ein optimiertes Modenprofil mit einem verbesserten Modeneinschluss die Leckstromraten und der Serienwiderstand gesenkt,sowie die Ladungsträgerdichte innerhalb des lichtführenden Wellenleiters und der aktiven Zone reduziert werden kann. Der erfindungsgemäße Diodenlaser umfasst eine n-leitend ausgebildete erste Mantelschicht (14), eine n-leitend ausgebildete erste Wellenleiterschicht (12), die auf der ersten Mantelschicht (14) angeordnet ist, eine aktive Schicht (10), die zur Strahlungserzeugung geeignet ist und die auf der ersten Wellenleiterschicht (12) angeordnet ist, eine p-leitend ausgebildete zweite Wellenleiterschicht (16), die auf der aktiven Schicht (10) angeordnet ist, eine p-leitend ausgebildete zweite Mantelschicht(18), die auf der zweiten Wellenleiterschicht (16) angeordnet ist, wobei zwischen der ersten Wellenleiterschicht (12) und der aktiven Schicht (10) eine n-leitend ausgebildete erste Zwischenschicht (11) als Übergangsbereich ausgebildet ist, und zwischen der zweiten Wellenleiterschicht (16) und der aktiven Schicht (10) eine p-leitend ausgebildete zweite Zwischenschicht (15) als Übergangsbereich ausgebildet ist. Dabei ist der erfindungsgemäße Diodenlaser dadurch gekennzeichnet, dass das Asymmetrie-Verhältnisaus der Dicke der ersten Zwischenschicht (11) zur Summe aus der Dicke der ersten Zwischenschicht (11) und der Dicke der zweiten Zwischenschicht (15) kleiner oder größer als 0,5 ist.

    LICHTEMITTERVORRICHTUNG, BASIEREND AUF EINEM PHOTONISCHEN KRISTALL MIT SÄULEN- ODER WANDFÖRMIGEN HALBLEITERELEMENTEN, UND VERFAHREN ZU DEREN BETRIEB UND HERSTELLUNG
    256.
    发明申请
    LICHTEMITTERVORRICHTUNG, BASIEREND AUF EINEM PHOTONISCHEN KRISTALL MIT SÄULEN- ODER WANDFÖRMIGEN HALBLEITERELEMENTEN, UND VERFAHREN ZU DEREN BETRIEB UND HERSTELLUNG 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018108624A1

    公开(公告)日：2018-06-21

    申请号：PCT/EP2017/081498

    申请日：2017-12-05

    Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

    Inventor： BRANDT, Oliver ,  GEELHAAR, Lutz ,  GIUNTONI, Ivano

    IPC: H01S5/10

    Abstract: Eine Lichtemittervorrichtung (100) umfasst ein Substrat (10), und einen photonischen Kristall (20), der auf dem Substrat (10) angeordnet ist und säulen- und/oder wandförmige Halbleiterelemente (21) umfasst, die periodisch, von dem Substrat (10) abstehend angeordnet sind, wobei der photonische Kristall (20) einen Resonator bildet, in dem die Halbleiterelemente (21) in einem ersten Resonatorabschnitt (22) mit einer ersten Periode (d 1 ), in einem zweiten Resonatorabschnitt (23) mit einer zweiten Periode (d 2 ) und in einem dritten Resonatorabschnitt (24) mit einer dritten Periode (d 3 ) angeordnet sind, wobei auf dem Substrat (10) der zweite Resonatorabschnitt (23) und der dritte Resonatorabschnitt (24) an zwei zueinander entgegengesetzten Seiten des ersten Resonatorabschnitts (22) angeordnet sind und die zweite Periode (d 2 ) und die dritte Periode (d 3 ) von der ersten Periode (di) abweichen, der erste Resonatorabschnitt (22) ein Licht emittierendes Medium bildet, und der dritte Resonatorabschnitt (24) einen Auskoppelbereich bildet, durch den ein Teil des Lichtfeldes im ersten Resonatorabschnitt (22) in einer Lichtauskopplungsrichtung parallel zu einer Substratoberfläche (11) des Substrats (10) aus dem Resonator auskoppelbar ist. Es werden auch Verfahren zum Betrieb und zur Herstellung der Lichtemittervorrichtung (100) beschrieben.

    MODULATOR FÜR EINEN DIGITALEN VERSTÄRKER
    257.
    发明申请
    MODULATOR FÜR EINEN DIGITALEN VERSTÄRKER 审中-公开
    数字放大器调制器

    公开(公告)号：WO2017178534A1

    公开(公告)日：2017-10-19

    申请号：PCT/EP2017/058790

    申请日：2017-04-12

    Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

    Inventor： HÜHN, Florian

    IPC: H03F3/189 ,  H03C1/00 ,  H03F3/217 ,  H03F3/38

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft einen Modulator für einen digitalen Verstärker und eine Vorrichtung mit einem solchen Modulator und einem digitalen Verstärker. Der Modulator (100) umfassteinen Pulsformer (110) und eine Steuereinheit (120) zur Steuerung des Pulsformers (110) zur Wandlung eines Eingangssignals in einen für einen digitalen Verstärker konfigurierten Bitstrom (130), der pro Takt eines Trägersignals einen Amplitudenwert kodiert. Der Pulsformer (110) kann einen jeweiligen Amplitudenwert des Eingangssignals mit unterschiedlichen Bitmustern repräsentieren. Das jeweilig durch den Pulsformer verwendete Bitmuster wird durch die Steuereinheit (120) anhand eines entsprechenden, zugehörigen Ansteuerbefehls bestimmt. Der Modulator (100) ist dadurch gekennzeichnet, dass in der Steuereinheit (120) eine Zuordnung (160) der Ansteuerbefehle zu zugehörigen, aus Verstärkung der zugehörigen Bitmuster mit dem digitalen Verstärker (400) resultierenden Amplitudenwerten hinterlegt ist oder zumindest vorgesehen ist, dass die Steuereinheit (120) pro Takt einen Ansteuerbefehl anhand der Zuordnung (160) und des Amplitudenwerts des Eingangssignals auswählt und den Pulsformer (110) entsprechend ansteuert.

    Abstract translation: 本发明涉及用于数字放大器的调制器和具有这种调制器和数字放大器的设备。 gersignals;调制器（100）comprisesa脉冲整形器（110）和用于控制脉冲整形器（110），用于将输入信号转换成A F导航中使用的控制单元（120）每一个Tr的AUML的时钟R的数字放大器BEAR更强配置比特流（130） 编码一个幅度值。 脉冲整形器（110）可以表示具有不同位模式的输入信号的相应幅度值。 由脉冲整形器使用的相应位模式由控制单元（120）基于相应的关联驱动命令来确定。 调制器（100）的特征在于，在所述控制单元（120）的控制命令，以YEARS＆OUML的分配（160）;环形，补强BEAR设防YEARS＆OUML的;强（400）所得到的振幅值被存储环比特模式添加到数字放大器BEAR 或至少设置，所述控制单元（120）每一个基于分配（160）和该输入信号SEL＆AUML的振幅值时钟的驱动指令; HLT并驱动根据的脉冲整形器（110）。

    METHOD FOR GROWING BETA PHASE OF GALLIUM OXIDE (β-Ga2O3) SINGLE CRYSTALS FROM THE MELT CONTAINED WITHIN A METAL CRUCIBLE
    258.
    发明申请
    METHOD FOR GROWING BETA PHASE OF GALLIUM OXIDE (β-Ga2O3) SINGLE CRYSTALS FROM THE MELT CONTAINED WITHIN A METAL CRUCIBLE 审中-公开
    用于从金属坩埚中包含的熔体中生长氧化铝（β-Ga2O3）单晶的相晶相的方法

    公开(公告)号：WO2016110385A1

    公开(公告)日：2016-07-14

    申请号：PCT/EP2015/079938

    申请日：2015-12-16

    Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

    Inventor： GALAZKA, Zbigniew ,  UECKER, Reinhard ,  KLIMM, Detlef ,  BICKERMANN, Matthias

    IPC: C30B29/16 ,  C30B15/20 ,  C30B17/00 ,  C30B11/00

    CPC classification number: C30B29/16 ,  C30B11/005 ,  C30B11/006 ,  C30B15/08 ,  C30B15/20 ,  C30B15/34 ,  C30B17/00

    Abstract: A method for growing beta phase of gallium oxide (β-Ga 2 O 3 ) single crystals from the melt contained within a metal crucible surrounded by a thermal insulation and heated by a heater. A growth atmosphere provided into a growth furnace has a variable oxygen concentration or partial pressure in such a way that the oxygen concentration reaches a growth oxygen concentration value (C2, C2', C2") in the concentration range (SC) of 5 - 100 vol. % below the melting temperature (MT) of Ga 2 O 3 or at the melting temperature (MT) or after complete melting of the Ga 2 O 3 starting material adapted to minimize creation of metallic gallium amount and thus eutectic formation with the metal crucible. During the crystal growth step of the β-Ga 2 O 3 single crystal from the melt at the growth temperature (GT) the growth oxygen concentration value (C2, C2', C2") is maintained within the oxygen concentration range (SC).

    Abstract translation: 从包含在由绝热体包围并被加热器加热的金属坩埚内的熔体中生长氧化镓（β-Ga 2 O 3）单晶的β相的方法。 提供到生长炉中的生长气氛具有可变的氧浓度或分压，使得氧浓度达到浓度范围（SC）为5-100的生长氧浓度值（C2，C2'，C2“） 体积％低于Ga 2 O 3的熔融温度（MT），在熔融温度（MT）下或完全熔化之后，适于最小化金属镓的量的产生，并因此与金属坩埚形成共晶，在晶体生长步骤期间 在生长温度（GT）下，熔体中的β-Ga2O3单晶的生长氧浓度值（C2，C2'，C2“）保持在氧浓度范围（SC）内。

    WELLENLEITERANORDNUNG
    259.
    发明申请
    WELLENLEITERANORDNUNG 审中-公开
    纤维排列

    公开(公告)号：WO2014090243A1

    公开(公告)日：2014-06-19

    申请号：PCT/DE2013/200319

    申请日：2013-11-26

    Applicant: HUMBOLDT-UNIVERSITÄT ZU BERLIN ,  FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

    Inventor： HENZE, Rico ,  THIES, Andreas ,  BENSON, Oliver

    IPC: G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/136

    CPC classification number: G02B6/122 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1223 ,  G02B6/136 ,  G02B2006/12097 ,  G02B2006/121

    Abstract: Die Erfindung bezieht sich auf eine Wellenleiteranordnung (10) mit einem Substrat (20) und mindestens einem streifenförmigen Wellenleiter aus einem wellenführenden Schichtmaterial (30), wobei sich der Streifenwellenleiter entlang einer Längsrichtung streifenförmig erstreckt und Wellen entlang seiner Längsrichtung derart führen kann, dass die Wellenausbreitungsrichtung der Längsrichtung des Streifenwellenleiters entspricht, wobei der Brechungsindex des Substrates (20) größer als der Brechungsindex des Schichtmaterials (30) ist und wobei der Streifenwellenleiter zur vertikalen Wellenführung eine Wellenleiterbrücke (60) bildet, die oberhalb einer Ausnehmung (100) im Substrat (20) angeordnet ist und dort zumindest abschnittsweise von dem Substrat (20) räumlich getrennt ist.

    Abstract translation: 本发明涉及一种包括衬底（20）和至少一个带状波导制成的波导层材料（30）的波导组件（10），所述沿纵向条形波导延伸的带状，并可能导致沿其纵向波，使得波的传播方向 该条形波导的纵向方向对应于所述基底的折射率（20）比所述层材料（30）的折射率大，并且其中所述条形波导到垂直波导管，波导管桥（60），位于所述基板的凹部（100）上述（20） 设置，并有至少部分地从所述基板（20）在空间上分离。

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