公开(公告)号：WO2016114173A1

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：PCT/JP2016/050123

申请日：2016-01-05

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 羽田　拓生 ,  山本　観照

IPC: H01L41/253 ,  B81C1/00 ,  H01L41/09 ,  H01L41/113 ,  H04R17/00 ,  H04R31/00

CPC classification number: H01L41/09 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2201/032 ,  B81C1/00682 ,  H01L41/094 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/113 ,  H01L41/253 ,  H01L41/33 ,  H04R17/00 ,  H04R17/10 ,  H04R31/006 ,  H04R2201/003

Abstract: 　圧電デバイスの製造方法は、基板（４）と、基板（４）によって直接または間接的に支持され、基板（４）より上側に配置されたメンブレン状または梁状である振動部とを備え、前記振動部は圧電体層（６）を含む、圧電デバイスの製造方法であって、前記振動部を形成する工程と、前記振動部の少なくとも一部を含む領域に対して局所的に熱処理を施すことによって前記振動部の共振周波数を調整する工程とを含む。

Abstract translation: 本发明提供一种压电装置的制造方法，其特征在于，包括基板（4）和由所述基板（4）直接或间接支撑并具有布置在所述基板（4）的上侧的膜形状或梁状的振动部件， 所述振动部件包括压电层（6），其中所述方法包括用于形成所述振动部件的步骤，以及用于对包括所述振动部件的至少一部分的区域进行局部热处理的步骤，以调节所述共振 振动部分的频率。

公开(公告)号：WO2016064677A1

公开(公告)日：2016-04-28

申请号：PCT/US2015/055988

申请日：2015-10-16

Applicant: MICREL, INC.

Inventor： HSU, Wan-Thai ,  CLARK, John, Ryan

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/24 ,  G01P15/08

CPC classification number: H03H9/2431 ,  B81B2201/0271 ,  H03H9/02244 ,  H03H9/02259 ,  H03H9/02338 ,  H03H9/2452 ,  H03H2009/02251 ,  H03H2009/02283 ,  H03H2009/02307 ,  H03H2009/0233 ,  H03H2009/02346 ,  H03H2009/02496

Abstract: A multiple coil spring MEMS resonator includes a center anchor and a resonator body (106) including two or more coil springs (102a, 102b) extending in a spiral pattern from the center anchor to an outer closed ring (104). Each pair of coil springs originates from opposing points on the center anchor and extends in the spiral pattern to opposing points on the outer ring. The number of coil springs, the length and the width of the coil springs and the weight of the outer ring are selected to realize a desired resonant frequency. The outer ring (104) comprises perpendicular transducers (108) and may comprise holes (130) to adjust the weight of the outer ring (104). A set of drive electrodes (110) and sense electrodes (112) are attached to the substrate.

Abstract translation: 多重螺旋弹簧MEMS谐振器包括中心锚和谐振器本体（106），该谐振器主体包括两个或多个螺旋弹簧（102a，102b），螺旋弹簧以螺旋形图案从中心锚固件延伸到外部闭合环（104）。 每对螺旋弹簧起源于中心锚固件上的相对点，并以螺旋形图案延伸到外圈上的相对点。 选择螺旋弹簧的数量，螺旋弹簧的长度和宽度以及外圈的重量以实现期望的共振频率。 外环（104）包括垂直换能器（108），并且可以包括用于调节外圈（104）的重量的孔（130）。 一组驱动电极（110）和感测电极（112）附接到基板。

公开(公告)号：WO2016034391A1

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：PCT/EP2015/068735

申请日：2015-08-14

Applicant: EPCOS AG

Inventor： SCHÄUFELE, Ansgar

IPC: H01L23/04 ,  B81C1/00 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L21/4817 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/00634 ,  B81C2203/0136 ,  H01L23/04 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung wenigstens einer Abdeckung (11, 12) für ein Bauelement (16) angegeben, bei dem eine Schicht (1, 9) eines Materials auf ein Trägersubstrat (4) aufgebracht wird, wobei die Schicht (1, 9) wenigstens eine Ausnehmung (5) aufweist und wobei die Schicht (1, 9) erwärmt wird, so dass die Ausnehmung (5) zumindest teilweise vom Material der Schicht (1, 9) aufgefüllt wird. Weiterhin wird ein Bauelement (16) angegeben, auf dem mehrere in Dünnschicht-Technologie hergestellte Abdeckungen (14, 15) unterschiedlicher lateraler Ausdehnungen (l 1 , l 2 ) nebeneinander angeordnet sind, wobei die Abdeckungen (14, 15) denselben Krümmungsradius (r 14 , r 15 ) aufweisen.

Abstract translation: 提供了一种方法，用于产生至少一个盖（11，12），用于一个组件（16），其中的层（1,9）的材料到载体基底的施加（4），其中所述层（1,9） 具有至少一个凹部（5），并且其中所述加热层（1,9），使得所述凹部（5）由该层的材料填充至少部分（1,9）。 此外，一个部件（16）设置，在不同的横向范围（L1，L2）的薄膜技术（14,15）制造的多个盖被并排布置，所述盖（14，15）具有相同的曲率半径（R14，R15） 有。

公开(公告)号：WO2016011000A1

公开(公告)日：2016-01-21

申请号：PCT/US2015/040342

申请日：2015-07-14

Applicant: BUTTERFLY NETWORK, INC.

Inventor： ROTHBERG, Jonathan, M. ,  ALIE, Susan, A. ,  FIFE, Keith, G. ,  SANCHEZ, Nevada, J. ,  RALSTON, Tyler, S.

IPC: B06B1/02

CPC classification number: G01N29/2406 ,  A61B8/4483 ,  B06B1/0292 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/036 ,  B81C2203/0792 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/146 ,  H01L2924/1461

Abstract: Micromachined ultrasonic transducers integrated with complementary metal oxide semiconductor (CMOS) substrates are described, as well as methods of fabricating such devices. Fabrication may involve two separate wafer bonding steps. Wafer bonding may be used to fabricate sealed cavities (306) in a substrate (302). Wafer bonding may also be used to bond the substrate (302) to another substrate (304), such as a CMOS wafer. At least the second wafer bonding may be performed at a low temperature.

Abstract translation: 与互补金属氧化物半导体（CMOS）基板集成的微加工超声换能器以及制造这种装置的方法进行了描述。 制造可能涉及两个单独的晶片结合步骤。 晶片接合可以用于在衬底（302）中制造密封空腔（306）。 晶片接合也可以用于将衬底（302）接合到另一衬底（304），例如CMOS晶片。 至少第二晶片接合可以在低温下进行。

公开(公告)号：WO2015075115A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：PCT/EP2014/075115

申请日：2014-11-20

Applicant: SAGEM DEFENSE SECURITE

Inventor： JEANROY, Alain ,  ONFROY, Philippe

IPC: G01C19/574 ,  B81B3/00 ,  G01P15/097

CPC classification number: G01C19/574 ,  B81B3/0021 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00658 ,  G01P15/097 ,  G01P2015/084

Abstract: Capteur inertiel de type MEMS, comprenant un bâti auquel au moins un premier corps sismique et un deuxième corps sismique sont reliés par des moyens élastiques pour être mobiles dans un plan de suspension, des transducteurs pour maintenir en vibration les corps sismiques et pour déterminer un mouvement des corps sismiques dans le plan de suspension, et une unité de commande reliée aux transducteurs par des moyens de conduction électrique. Les transducteurs comportent au moins une électrode solidaire du premier corps sismique et une électrode solidaire du deuxième corps sismique, les deux électrodes étant agencées pour permettre de mesurer directement le mouvement relatif des corps sismiques l'un par rapport à l'autre dans le plan de suspension.

Abstract translation: 本发明涉及一种MEMS惯性传感器，其包括框架，至少第一地震体和第二地震体通过弹性装置连接以便在悬架平面中可移动的传感器，以保持地震体振动并确定 地震体在悬挂平面中的运动，以及通过导电装置连接到换能器的控制单元。 传感器包括刚性地连接到第一地震体的至少一个电极和刚性地连接到第二地震体的一个电极，两个电极被布置成允许直接测量地震体相对于彼此的相对运动 悬架飞机

公开(公告)号：WO2014150091A1

公开(公告)日：2014-09-25

申请号：PCT/US2014/022186

申请日：2014-03-08

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  GRAHAM, Andrew ,  YAMA, Gary ,  O'BRIEN, Gary

Inventor： GRAHAM, Andrew ,  YAMA, Gary ,  O'BRIEN, Gary

IPC: H01L21/28

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/04 ,  B81B2203/053 ,  B81C1/00095 ,  B81C1/00166 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/0177 ,  B81C2203/0136

Abstract: In one embodiment, a method of forming an out-of-plane electrode includes forming an oxide layer above an upper surface of a device layer, etching an etch stop perimeter defining trench extending through the oxide layer, forming a first cap layer portion on an upper surface of the oxide layer and within the etch stop perimeter defining trench, etching a first electrode perimeter defining trench extending through the first cap layer portion and stopping at the oxide layer, depositing a first material portion within the first electrode perimeter defining trench, depositing a second cap layer portion above the deposited first material portion, and vapor releasing a portion of the oxide layer with the etch stop portion providing a lateral etch stop.

Abstract translation: 在一个实施例中，形成平面外电极的方法包括在器件层的上表面上形成氧化物层，蚀刻限定延伸穿过氧化物层的沟槽的蚀刻停止周界，在第一帽层部分上形成 氧化物层的上表面，并且在蚀刻停止周界内限定沟槽，蚀刻延伸穿过第一盖层部分并停止在氧化物层处的第一电极周界，限定沟槽，在第一电极周界限定沟槽内沉积第一材料部分，沉积 在沉积的第一材料部分上方的第二盖层部分，以及用蚀刻停止部分提供横向蚀刻停止物来释放一部分氧化物层的蒸气。

公开(公告)号：WO2014020387A1

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：PCT/IB2013/001487

申请日：2013-07-08

Applicant: SOITEC

Inventor： SADAKA, Mariam ,  ASPAR, Bernard ,  LAGAHE BLANCHARD, Chrystelle

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00301 ,  B81C2203/0735 ,  B81C2203/0792 ,  H01L2224/16 ,  H03H9/10

Abstract: Methods of forming semiconductor devices comprising integrated circuits and microelectromechanical system (MEMS) devices operatively coupled with the integrated circuits involve the formation of an electrically conductive via extending at least partially through a substrate from a first major surface of the substrate toward an opposing second major surface of the substrate, and the fabrication of at least a portion of an integrated circuit on the first major surface of the substrate. A M EMS device is provided on the second major surface of the substrate, and the MEMS device is operatively coupled with the integrated circuit using the at least one electrically conductive via. Structures and devices are fabricated using such methods.

Abstract translation: 形成包括集成电路的半导体器件和与集成电路可操作耦合的微机电系统（MEMS）器件的方法包括形成导电通孔，该导电通孔至少部分地穿过衬底，从衬底的第一主表面向相对的第二主表面延伸 的衬底，以及在衬底的第一主表面上制造集成电路的至少一部分。 在衬底的第二主表面上提供M EMS器件，并且MEMS器件使用至少一个导电通孔与集成电路操作耦合。 使用这种方法制造结构和装置。

公开(公告)号：WO2013092920A2

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：PCT/EP2012/076498

申请日：2012-12-20

Applicant: THE SWATCH GROUP RESEARCH AND DEVELOPMENT LTD

Inventor： HESSLER, Thierry ,  DALLA PIAZZA, Silvio

IPC: G04F5/06

CPC classification number: H03H9/19 ,  B23K26/0057 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/0143 ,  F21V17/02 ,  G04B17/066 ,  G04B17/345 ,  G04C3/12 ,  G04F5/063 ,  G04G17/02 ,  H01L41/0475 ,  H01L41/332 ,  H03H9/215

Abstract: La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un résonateur dans un substrat, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: a) modifier la structure d'au moins une zone du substrat afin de rendre plus sélective ladite au moins une zone; b) graver ladite au moins une zone afin de sélectivement fabriquer ledit résonateur.

Abstract translation: 本发明涉及一种在衬底中制造谐振器的方法，其特征在于包括以下步骤：a）修改衬底的至少一个区域的结构，以便使所述至少一个区域更具选择性; b）蚀刻所述至少一个区域以选择性地制造所述谐振器。

公开(公告)号：WO2012172866A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：PCT/JP2012/060589

申请日：2012-04-19

Applicant: 株式会社大真空 ,  古城 琢也

Inventor： 古城　琢也

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/04 ,  H03B5/32

CPC classification number: H05K5/061 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0271 ,  H01L23/10 ,  H01L41/0533 ,  H01L2224/16225

Abstract: 　底部と底部から延出した壁部からなるベースと、導電性材料を含む蓋とを封止部材を介して気密封止し、壁部に囲まれたキャビティ内に電子部品素子を搭載し、ベースに電極パッドと、壁部に形成された壁部用ＧＮＤ配線パターンとキャビティ内におけるベースの一主面に形成された電子部品素子用ＧＮＤ配線パターンとを有する配線パターンと、接地用のＧＮＤ端子が含まれた外部端子とを設けた電子部品パッケージについて、壁部用ＧＮＤ配線パターンと電子部品素子用ＧＮＤ配線パターンとを連結する連結部が、ベースの平面視においてキャビティに露出せずに底部と壁部との積層間に設けることで、封止部材の濡れ拡がりが原因となる電子部品素子の動作不良を防止する。

Abstract translation: 电子部件封装具有通过密封构件气密地密封的基座和盖子，所述基座包括底部部分和从底部部分延伸的壁部分，并且所述盖子包括导电材料。 电子部件封装还具有安装在由壁部包围的空腔内的电子部件元件。 电子部件封装还在基底上设置有电极焊盘，布线图案，其包括形成在壁部上的壁部GND布线图案和形成在基部的一个主面上的电子部件元件GND布线图案 空腔和外部端子，包括用于接地的GND端子。 在该电子部件封装中，通过将壁部GND布线图案和电子部件GND布线图案之间的连接部分连接在底部的连接部分之间来防止由于密封部件的润湿而引起的电子部件元件的故障 截面和壁部分，以便不在基部的平面视图中暴露于空腔。

公开(公告)号：WO2012108283A3

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：PCT/JP2012051903

申请日：2012-01-24

Applicant: CANON KK ,  KATO AYAKO ,  TORASHIMA KAZUTOSHI ,  SOEDA YASUHIRO ,  WATANABE SHINICHIRO

Inventor： KATO AYAKO ,  TORASHIMA KAZUTOSHI ,  SOEDA YASUHIRO ,  WATANABE SHINICHIRO

IPC: B81B3/00 ,  B06B1/02 ,  G01N29/24

CPC classification number: H01L41/33 ,  B06B1/0292 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0191

Abstract: Provided is a method of manufacturing a capacitive electromechanical transducer using fusion bonding, which is capable of reducing fluctuations in initial deformation among diaphragms caused at positions having different boundary conditions such as the bonding area, thereby enhancing the uniformity of the transducer and stabilizing the sensitivity and the like. The method of manufacturing a capacitive electromechanical transducer includes: forming an insulating layer on a first silicon substrate and forming at least one recess; fusion bonding a second silicon substrate onto the insulating layer; and thinning the second silicon substrate and forming a silicon film. The method further includes, before the bonding of the second silicon substrate onto the insulating layer, forming a groove in the insulating layer at the periphery of the at least one recess.

Abstract translation: 提供一种使用熔接的制造电容式机电换能器的方法，其能够减少在具有不同边界条件（例如接合面积）的位置处引起的膜片之间的初始变形的波动，从而增强换能器的均匀性并稳定灵敏度， 类似。 制造电容式机电换能器的方法包括：在第一硅衬底上形成绝缘层并形成至少一个凹槽; 将第二硅衬底熔合到所述绝缘层上; 并使第二硅衬底变薄并形成硅膜。 该方法还包括在将第二硅衬底接合到绝缘层之前，在至少一个凹部的周边处在绝缘层中形成凹槽。