플라스틱 기판들을 처리하기 위한 방법 및 처리 용액의 적어도 부분적인 재생을 위한 장치
    22.
    发明授权
    플라스틱 기판들을 처리하기 위한 방법 및 처리 용액의 적어도 부분적인 재생을 위한 장치 有权
    用于处理塑料基材的方法和用于处理溶液的最小部分再生的装置

    公开(公告)号:KR101640693B1

    公开(公告)日:2016-07-18

    申请号:KR1020147004929

    申请日:2012-08-24

    CPC classification number: C23C18/22 C23C18/12

    Abstract: 본발명은, 과망간산염을포함하는처리용액으로플라스틱부품들을처리하기위한방법에관한것으로, 처리용액의탄산염화합물들의농도는, 동결석출및 후속여과에의한처리용액으로부터의탄산염화합물들의제거에의해서 200 g/ℓ미만의값으로설정되고, 처리용액은과망간산나트륨을포함한다. 또한, 본발명은, 이러한방법의실시를위해서처리용액에포함된탄산염화합물들의농도를감소시킴으로써플라스틱부품들을처리및/또는에칭하기위해이용되는, 과망간산염을포함하는처리용액의적어도부분적인재생을위한장치에관한것으로, 장치는처리용액이재생되게되는적어도하나의냉각탱크를포함하고, 처리용액으로부터탄산염화합물들을분리하기위한하류의필터장치를가지고; 그리고추가적으로본 발명은이러한방법을실시하기위한이러한장치의용도에관한것이다.

    무전해 니켈 도금을 위한 전처리 방법
    27.
    发明公开
    무전해 니켈 도금을 위한 전처리 방법 有权
    化学镀镍的预处理方法

    公开(公告)号:KR1020160023908A

    公开(公告)日:2016-03-03

    申请号:KR1020167003442

    申请日:2010-03-12

    Abstract: 본발명은불필요한니켈도금을억제하는인쇄회로보드의구리형상물상에서의무전해니켈도금방법을개시한다. 상기방법은하기단계를포함한다: i) 구리형상물을팔라듐이온으로활성화하는단계; ii) 과량의팔라듐이온또는이의형성되는침전물을둘 이상의상이한유형의산 (이때, 하나의유형은유기아미노카르복실산임) 을포함하는전처리조성물로제거하는단계; 및 iii) 무전해니켈도금단계.

    Abstract translation: 本发明公开了一种在抑制不必要的镀镍的印刷电路板的铜形状上电镀镍的方法。 该方法包括以下步骤:i)用钯离子激活铜特征; ii)用包含至少两种不同类型的酸的预处理组合物除去过量的钯离子或由其形成的沉淀物,其中一种类型是有机氨基羧酸; 和iii)无电镀镍步骤。

    크롬 표면의 캐소딕 부식 방지 방법
    28.
    发明公开
    크롬 표면의 캐소딕 부식 방지 방법 有权
    铬表面阴极腐蚀保护方法

    公开(公告)号:KR1020160017093A

    公开(公告)日:2016-02-15

    申请号:KR1020167001230

    申请日:2014-06-17

    CPC classification number: C23F13/02 C25D5/14 C25D5/48 C25D9/04 C25D9/08 C25D11/36

    Abstract: 본발명은, 크롬표면을가지는기재, 및니켈, 니켈합금들, 구리및 구리합금들을포함하는군에서선택된, 기재와크롬표면사이적어도하나의중간층의캐소딕부식방지방법에관한것으로, 상기크롬표면은, 상기기재, 적어도하나의애노드및 수용액으로전류를통과시키면서인을함유한적어도하나의화합물을포함하는수용액과접촉되고상기기재는캐소드로서역할을한다. 인화합물은바람직하게 RR2R3P03 유형의포스폰산이고, R 은 n-옥틸, n-노닐, n-데실, n-운데실, n-도데실, n-트리데실, n-테트라데실, n-펜타데실, n-헥사데실, n-헵타데실, n-옥타데실, 비치환된분지형 C8 ~ C18 알킬잔기들로구성된군에서선택되고, R2 및 R3 은 H 또는 Li+, Na+, K+ 및 NH4+ 에서선택된적합한카운터이온이다. 수용액은또한포스폰산의용해도를높이는적어도하나의첨가제를포함한다.

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