公开(公告)号：TWI382456B

公开(公告)日：2013-01-11

申请号：TW093122682

申请日：2004-07-29

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 爾瑞那 謙托J ,  ARENA, CHANTAL J. ,  托馬西尼 皮爾瑞 ,  TOMASINI, PIERRE ,  寇帝 奈爾 ,  CODY, NYLES ,  波爾 麥特喜愛斯 ,  BAUER, MATTHIAS

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

公开(公告)号：TW201023250A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：TW098137301

申请日：2009-11-03

Applicant: ASM美國股份有限公司

Inventor： 吉文斯 麥克 ,  古德曼 馬修G ,  霍金斯 馬克 ,  哈勒克 布拉德 ,  特后司特 赫伯特

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45589 ,  C23C16/45591

Abstract: 本發明提供一種反應室,此反應室中界定有反應空間,其中此反應空間為可調節的,以形成流過此反應空間之氣體之實質穩定之層流。此實質穩定之層流經配置以提高在反應室內處理之基板上之沈積均勻性,以提供可預測之沈積輪廓。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种反应室,此反应室中界定有反应空间,其中此反应空间为可调节的,以形成流过此反应空间之气体之实质稳定之层流。此实质稳定之层流经配置以提高在反应室内处理之基板上之沉积均匀性,以提供可预测之沉积轮廓。

公开(公告)号：TW201003748A

公开(公告)日：2010-01-16

申请号：TW098114220

申请日：2009-04-29

Applicant: ASM美國股份有限公司

Inventor： 史考特 羅賓 查理斯 ,  強森 梅特

IPC: H01L ,  C23C

CPC classification number: H01L21/02661 ,  C23C16/0209 ,  C30B25/186 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  C30B33/12 ,  H01L21/02381

Abstract: 用以低壓烘烤以於沉積之前移除半導體表面的雜質的方法與系統。短暫且低溫的製程有利地只消耗少量的熱預算，同時仍有效地從半導體的表面移除界面氧。此方法與系統特別適合於磊晶之前用來處理半導體的表面。

Abstract in simplified Chinese: 用以低压烘烤以于沉积之前移除半导体表面的杂质的方法与系统。短暂且低温的制程有利地只消耗少量的热预算，同时仍有效地从半导体的表面移除界面氧。此方法与系统特别适合于磊晶之前用来处理半导体的表面。

公开(公告)号：TWI307912B

公开(公告)日：2009-03-21

申请号：TW091111438

申请日：2002-05-29

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 保羅D 博拉班特 PAUL D. BRABANT ,  喬P 伊塔利安諾 JOE P. KTALIANO

IPC: H01L

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/4405 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/30 ,  C30B31/00 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02052 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

Abstract: 一種低溫快速烘烤以在就地沈積前去除半導體表面雜質的方法。有利地,時間短、低溫方法消耗很少的熱預算,使得本方法更適合具淺接面之高密度電路,此外由於低溫烘烤,尤其合併烘烤前的低溫電漿清潔及低溫晶圓置入,以及烘烤後在低於傳統磊晶沈積溫度的溫度下沈積,能使產能大幅提昇。本發明能在半導體表面上磊晶沈積含矽層,尤其能在矽鍺基極層上進行磊晶沈積,利用低溫烘烤可以清潔矽鍺基極層,以更有助於磊晶沈積,然而矽鍺的受應力結晶結構不會鬆散。

Abstract in simplified Chinese: 一种低温快速烘烤以在就地沉积前去除半导体表面杂质的方法。有利地,时间短、低温方法消耗很少的热预算,使得本方法更适合具浅接面之高密度电路,此外由于低温烘烤,尤其合并烘烤前的低温等离子清洁及低温晶圆置入,以及烘烤后在低于传统磊晶沉积温度的温度下沉积,能使产能大幅提升。本发明能在半导体表面上磊晶沉积含硅层,尤其能在硅锗基极层上进行磊晶沉积,利用低温烘烤可以清洁硅锗基极层,以更有助于磊晶沉积,然而硅锗的受应力结晶结构不会松散。

公开(公告)号：TW200839029A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：TW097101458

申请日：2008-01-15

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 艾爾斯 凱 艾瑞克 ELERS, KAI-ERIK

IPC: C23C ,  H01L

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/4554

Abstract: 可控地產生導電性的氮化鉭薄膜的方法。此方法包括使反應空間內的基板接觸鉭源材質、氫的電漿激發態物質以及氮源材質的交替的且順次的脈衝。氫的電漿激發態物質還原鉭的氧化態,藉此在基板上形成實質上導電性的氮化鉭薄膜。在某些實施例中,氫的電漿激發態物質與沈積之金屬薄膜內的鹵化物殘留物反應並且移除鹵化物殘留物。

Abstract in simplified Chinese: 可控地产生导电性的氮化钽薄膜的方法。此方法包括使反应空间内的基板接触钽源材质、氢的等离子激发态物质以及氮源材质的交替的且顺次的脉冲。氢的等离子激发态物质还原钽的氧化态,借此在基板上形成实质上导电性的氮化钽薄膜。在某些实施例中,氢的等离子激发态物质与沉积之金属薄膜内的卤化物残留物反应并且移除卤化物残留物。

公开(公告)号：TW200831695A

公开(公告)日：2008-08-01

申请号：TW096141030

申请日：2007-10-31

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 艾爾斯 凱 艾瑞克 ELERS, KAI-ERIK

IPC: C23C

CPC classification number: C23C16/32 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45542

Abstract: 本發明提供了形成金屬碳化物薄膜的方法。根據優選的實施例,在原子層沈積(ALD)製程中,藉由使反應空間內的基板交替地並順次地接觸金屬源化學物質、還原劑以及碳源化學物質的空間和時間上相分離的氣相脈衝以形成金屬碳化物薄膜。該還原劑優選地從氫的受激態物質和含矽化合物所構成的族群中選出。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供了形成金属碳化物薄膜的方法。根据优选的实施例,在原子层沉积(ALD)制程中,借由使反应空间内的基板交替地并顺次地接触金属源化学物质、还原剂以及碳源化学物质的空间和时间上相分离的气相脉冲以形成金属碳化物薄膜。该还原剂优选地从氢的受激态物质和含硅化合物所构成的族群中选出。

公开(公告)号：TW200829714A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：TW096141034

申请日：2007-10-31

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 艾爾斯 凱 艾瑞克 ELERS, KAI-ERIK

IPC: C23C ,  H01L

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/50 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

Abstract: 本發明藉由電漿强化原子層沈積而形成金屬化合物膜。根據較佳方法,藉由選擇電漿參數以調節膜中一或多種金屬之氧化態,來控制膜或薄膜組成。在某些實施例中,選擇電漿參數,以獲得富含金屬之金屬化合物膜。金屬化合物膜可以是閘極疊層之組件,例如閘電極。另外,可選擇電漿參數而獲得具有預定功函數之間極疊層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明借由等离子强化原子层沉积而形成金属化合物膜。根据较佳方法,借由选择等离子参数以调节膜中一或多种金属之氧化态,来控制膜或薄膜组成。在某些实施例中,选择等离子参数,以获得富含金属之金属化合物膜。金属化合物膜可以是闸极叠层之组件,例如闸电极。另外,可选择等离子参数而获得具有预定功函数之间极叠层。

公开(公告)号：TW200721282A

公开(公告)日：2007-06-01

申请号：TW095130234

申请日：2006-08-17

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 小帕格里亞羅 羅伯特H. PAGLIARO, JR., ROBERT H.

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/02052 ,  Y10S438/906

Abstract: 提出生產具有高穩定性而能防止氧化之原始的末端氫化矽表面的方法。根據製程中的步驟20,使用高純度、被加熱的具有界面活性劑稀釋氫氟酸對矽晶圓進行處理。在之後的步驟30中,使用超純水在室溫下對晶圓進行同位沖洗,然後在之後的乾燥步驟40中進行乾燥。替代方案為在步驟22中使用稀釋氫氟酸對矽晶圓進行處理,在步驟32中所用充氫氣的水進行沖洗,以及在步驟42中進行乾燥。此方法所生產的矽晶圓在正常且乾淨的室內環境下超過3天是穩定的,且被證明到最後沒有明顯的氧化物再成長超過8天。

Abstract in simplified Chinese: 提出生产具有高稳定性而能防止氧化之原始的末端氢化硅表面的方法。根据制程中的步骤20,使用高纯度、被加热的具有界面活性剂稀释氢氟酸对硅晶圆进行处理。在之后的步骤30中,使用超纯水在室温下对晶圆进行同位冲洗,然后在之后的干燥步骤40中进行干燥。替代方案为在步骤22中使用稀释氢氟酸对硅晶圆进行处理,在步骤32中所用充氢气的水进行冲洗,以及在步骤42中进行干燥。此方法所生产的硅晶圆在正常且干净的室内环境下超过3天是稳定的,且被证明到最后没有明显的氧化物再成长超过8天。

公开(公告)号：TW200636900A

公开(公告)日：2006-10-16

申请号：TW095101876

申请日：2006-01-18

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 樊都魯黎亞 凱爾 FONDURULIA, KYLE ,  懷特 卡爾 WHITE, CARL

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/68785 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45517 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/45587 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4582 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/4586 ,  C30B35/00 ,  H01L21/67236 ,  H01L21/68714 ,  H01L21/68742

Abstract: 本發明提供一種半導體晶圓支撐腳組件。一晶座具有至少三個支撐腳，其經組態為將一晶圓提高至前述晶座之上表面之上。每一支撐腳包括一上腳以及一下腳，其藉由一呈卡口座形式之快速釋放機構而鎖定在一起。上腳由一諸如聚苯並咪唑之非金屬材料製成。在電動馬達或氣動汽缸的驅動下，晶座由一提昇機構驅動向上以及向下。晶座相對前述支撐腳向上以及向下移動。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体晶圆支撑脚组件。一晶座具有至少三个支撑脚，其经组态为将一晶圆提高至前述晶座之上表面之上。每一支撑脚包括一上脚以及一下脚，其借由一呈卡口座形式之快速释放机构而锁定在一起。上脚由一诸如聚苯并咪唑之非金属材料制成。在电动马达或气动汽缸的驱动下，晶座由一提升机构驱动向上以及向下。晶座相对前述支撑脚向上以及向下移动。

公开(公告)号：TW200501237A

公开(公告)日：2005-01-01

申请号：TW093106618

申请日：2004-03-12

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 保羅D. 布蘭特 BRABANT, PAUL D. ,  喬瑟分P. 義特理諾 ITALIANO, P. JOSEPH ,  權特爾J. 艾倫奈 ARENA, CHANTAL J. ,  佩瑞爾 湯米希尼 TOMASINI, PIERRE ,  艾翁 拉吉馬克斯 RAAIJMAKERS, IVO ,  馬提阿斯 布爾 BAUER, MATTHIAS

IPC: H01L

CPC classification number: C30B29/08 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661

Abstract: 沈積磊晶層，像是磊晶鍺與矽鍺的方法。在將含鍺的結構層由高溫製程冷卻到較低的沈積溫度期間，矽或鍺的化合物會被提供到基底，會產生平順、薄、無缺陷的鍺或矽鍺層，在鬆散的高鍺含量晶種層與一層覆蓋的緊密層之間也可以有一層漸層鬆散的矽鍺層。

Abstract in simplified Chinese: 沉积磊晶层，像是磊晶锗与硅锗的方法。在将含锗的结构层由高温制程冷却到较低的沉积温度期间，硅或锗的化合物会被提供到基底，会产生平顺、薄、无缺陷的锗或硅锗层，在松散的高锗含量晶种层与一层覆盖的紧密层之间也可以有一层渐层松散的硅锗层。