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    印刷电路板的制造方法
    21.
    发明公开
    印刷电路板的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN1946266A

    公开(公告)日：2007-04-11

    申请号：CN200610142133.8

    申请日：2006-10-08

    Applicant: MEC株式会社

    Inventor： 市桥知子 ,  中岛庆一 ,  栗井良浩 ,  中村幸子 ,  池尻笃泰

    IPC: H05K3/06 ,  B23K26/36 ,  B23K26/18

    Abstract: 本发明提供一种使用多层层叠板来制造印刷电路板的方法，其中预先在表层的铜箔(4a)表面上形成在波长为9.3μm～10.6μm下的吸光度为0.05以上的加工层(5a)，从加工层(5a)侧照射CO2激光，从而在表层的铜箔(4a)和其下面的里层(3a)上形成孔(6)。由此，能够以低加工能量准确地形成规定直径的孔(6)，所以可以提供能够减少对里层铜箔的损伤，加工性优异的印刷电路板的制造方法。

    蚀刻剂及电路基板的制造方法
    22.
    发明公开
    蚀刻剂及电路基板的制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN116601331A

    公开(公告)日：2023-08-15

    申请号：CN202180086278.3

    申请日：2021-09-30

    Applicant: MEC株式会社

    Inventor： 福井优 ,  秋山大作 ,  中根大 ,  西江健二

    IPC: C23F1/14

    Abstract: 本发明是一种蚀刻剂，其选择性地蚀刻包含比铜还贵的金属的贵金属层与铜层共存的被处理物的铜层，该蚀刻剂包含：铜离子、选自环内具有2个以上氮原子的杂环化合物及碳数8以下的含有氨基的化合物所构成群组中的一种以上的含氮化合物、聚烷二醇、以及卤离子；前述蚀刻剂含有0.0005重量％以上7重量％以下的聚烷二醇，且含有1ppm以上250ppm以下的卤离子。

    基板的制造方法以及在该制造方法中使用的铜表面处理剂
    24.
    发明公开
    基板的制造方法以及在该制造方法中使用的铜表面处理剂 有权

    公开(公告)号：CN101280426A

    公开(公告)日：2008-10-08

    申请号：CN200810090377.5

    申请日：2008-04-01

    Applicant: MEC株式会社

    Inventor： 河口睦行

    IPC: C23C22/52 ,  C23F11/00 ,  H05K3/38

    Abstract: 本发明提供一种通过在铜或铜合金表面上形成可提高粘接性的有机皮膜，从而能够提高铜－树脂间的粘接性的基板的制造方法以及在该制造方法中使用的铜表面处理剂。本发明的基板的制造方法包括：使含有氨基四唑化合物、氨基三唑化合物和烷基胺衍生物的处理液与铜或铜合金表面的至少一个表面侧接触的工序；和在接触了所述处理液后的铜或铜合金表面上形成保护层的工序。本发明的铜表面处理剂是用于提高铜或铜合金表面与保护层的粘接性的铜表面处理剂，其含有0.05重量％以上的氨基四唑化合物，0.1重量％以上的氨基三唑化合物，0.1重量％～10重量％的烷基胺衍生物，并且余量为水。

    金属除去液及使用该金属除去液的金属除去方法
    25.
    发明公开
    金属除去液及使用该金属除去液的金属除去方法 失效

    公开(公告)号：CN101153395A

    公开(公告)日：2008-04-02

    申请号：CN200710153789.4

    申请日：2007-09-25

    Applicant: MEC株式会社

    Inventor： 秋山大作 ,  片山大辅

    IPC: C23F1/14 ,  C23F1/16

    CPC classification number: H05K3/26 ,  C23F1/30 ,  C23F1/44 ,  H05K3/108 ,  H05K3/181 ,  H05K2201/0761

    Abstract: 本发明的金属除去液是除去钯、锡、银、钯合金、银合金以及锡合金的溶液，在所述金属除去液中含有链状硫代羰基化合物。本发明的钯、锡、银、钯合金、银合金以及锡合金的除去方法是，使用含有链状硫代羰基化合物的金属除去液，从含有铜或铜合金和选自钯、锡、银、钯合金、银合金以及锡合金中的至少一种金属的体系中选择性地除去铜或铜合金以外的金属。由此可以提供可选择性地除去钯、锡、银、钯合金、银合金以及锡合金的金属除去液以及使用该金属除去液的除去方法，该金属除去液不侵蚀铜，对钯、锡、银、钯合金、银合金以及锡合金等的除去性高，且因不含有害物质而易于操作。

    铜化合物和使用该铜化合物的铜薄膜的制造方法
    26.
    发明公开
    铜化合物和使用该铜化合物的铜薄膜的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN1578594A

    公开(公告)日：2005-02-09

    申请号：CN200410062093.7

    申请日：2004-07-05

    Applicant: MEC株式会社

    Inventor： 王谷稔 ,  久田纯 ,  马渡丰树

    IPC: H05K3/00 ,  H05K3/02 ,  H05K3/40 ,  C23C20/04

    CPC classification number: C23C18/08

    Abstract: 本发明提供一种铜化合物，其分解温度在100℃～300℃的范围内，由1个或多个下述式(1)所示的单元连结而成：[R1COO]n[NH3]mCuX1p(1)式中，n为1～3，m为1～3，p为0～1，n个R1分别表示下述式(2)、CH2X2、CH2X2(CHX2)q、NH2、H，可以相同或不同，或n为2，当2个[R1COO]合在一起就表示为下述式(3)，R2、R3、R4分别为CH2X2、CH2X2(CHX2)q、NH2、H，R5为－(CHX2)r－，X2为H、OH、NH2，r为0～4，q为1～4，X1为NH4+、H2O或溶剂分子，（2）[－OOC－R5－COO－](3)从而，提供能够安全、廉价且容易地形成电子装置等的制造工序中所必需的铜薄膜的铜化合物和使用该铜化合物的铜薄膜的制造方法。

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