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公开(公告)号：CN112640054A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980054879.9
申请日：2019-07-04
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , B05D1/36 , B05D1/40 , B05D3/00 , H01L21/027 , H01L21/306
Abstract: 基板处理方法具有第一工序至第六工序。保持基板(第一工序)。开始利用相机进行拍摄，从而生成拍摄图像(第二工序)。开始从第一喷嘴向基板喷出处理液(第三工序)。停止从第一喷嘴喷出处理液，开始从第二喷嘴喷出处理液(第四工序)。基于针对拍摄图像的图像处理，求出从第二喷嘴喷出处理液的开始时刻与从第一喷嘴喷出处理液的停止时刻之间的时间差(第五工序)。在判定为时间差在规定范围外时，以使时间差处于规定范围内的方式调整开始时刻及停止时刻中的至少任一者(第六工序)。
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公开(公告)号：CN111816589A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010674995.5
申请日：2016-12-23
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。根据本发明的基板处理装置，通过从低表面张力液体供给单元向基板的表面统计低表面张力液体，在基板的表面形成低表面张力液体的液膜。通过从惰性气体供给单元向处于旋转状态的基板的旋转中心位置供给惰性气体，在低表面张力液体的液膜形成从旋转中心位置拓宽的开口，该开口朝向从旋转中心位置远离的方向扩大。低表面张力液体的液附着位置对应开口的扩大而变更为除旋转中心位置以外的至少两个地方，使得液附着位置位于比开口的周缘更靠近外侧的位置。
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公开(公告)号：CN107026105B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201611203951.4
申请日：2016-12-23
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。根据本发明的基板处理装置，通过从低表面张力液体供给单元向基板的表面统计低表面张力液体，在基板的表面形成低表面张力液体的液膜。通过从惰性气体供给单元向处于旋转状态的基板的旋转中心位置供给惰性气体，在低表面张力液体的液膜形成从旋转中心位置拓宽的开口，该开口朝向从旋转中心位置远离的方向扩大。低表面张力液体的液附着位置对应开口的扩大而变更为除旋转中心位置以外的至少两个地方，使得液附着位置位于比开口的周缘更靠近外侧的位置。
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公开(公告)号：CN110214365A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201880008230.9
申请日：2018-01-16
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304
Abstract: 一种基板处理方法，包含：基板保持步骤，将具有金属膜已露出的上表面的基板保持为水平；基板旋转步骤，使所述基板绕着沿铅垂方向的旋转轴线而旋转；液膜形成步骤，将除气后的处理液供给至所述基板的上表面，由此在所述基板上形成所述处理液的液膜；以及膜厚调整步骤，以所述液膜的厚度成为100μm以上的方式来调整所述液膜的厚度。
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公开(公告)号：CN109712910A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811250812.6
申请日：2018-10-25
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法。处理液供给装置包括：供给配管，其输送贮存处理液的处理液箱内的处理液，将从处理液箱输送的处理液供给至处理单元；返回配管，其与供给配管分支连接，使供给配管内的处理液返回处理液箱；第一加热单元，其对在供给配管中设定于比连接有返回配管的分支位置靠上游侧的上游侧被加热部分内的处理液进行加热；第二加热单元，其对在供给配管中设定于比分支位置靠下游侧的下游侧被加热部分内的处理液进行加热；冷却单元，其对设定于返回配管的被冷却部分内的处理液进行冷却；以及第一过滤器，其在比上游侧被加热部分靠上游侧夹装于供给配管，对处理液中的颗粒进行去除。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109661717A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201780053159.1
申请日：2017-09-20
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/768
Abstract: 本发明的基板处理方法对在表面形成有低介电常数覆膜的基板W进行处理。执行致密化工序，在该致密化工序中，通过使低介电常数覆膜的表层部致密化来转换成致密化层。然后，执行修复液供给工序，在该修复液供给工序中，在致密化层形成工序之后，向低介电常数覆膜的表面供给用于修复致密化层的修复液。
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公开(公告)号：CN106104762A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580012432.7
申请日：2015-02-26
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , B08B3/04 , B08B9/032
CPC classification number: B08B9/027 , H01L21/67017 , H01L21/67051
Abstract: 基板处理系统由清洗单元、多个处理液供给单元以及基板处理装置构成。清洗单元在对管道进行清洗时向处理液供给单元的处理单元供给第一清洗液。在将从清洗单元供给的第一清洗液贮存于处理液槽内后，处理液供给单元将处理液槽内的第一清洗液通过管道供给至基板处理装置的处理单元。清洗单元以与利用第一清洗液清洗管道并行的方式准备第二清洗液，并将准备的第二清洗液供给至处理液槽。
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公开(公告)号：CN113544821B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202080019624.1
申请日：2020-02-28
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种用于抑制处理液的混合及随之发生的颗粒产生的技术。基板处理装置具备：多个配管，其用于供给用于进行基板处理的处理液；基板处理部，其与多个配管连接，且用于使用处理液处理基板；和配管配置部，其以彼此接近的方式配置多个配管，配管配置部具备至少一个内壁，该内壁将多个配管中的至少一个配管与其他配管隔开，且将被隔开的各个分区内的气氛密闭。
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公开(公告)号：CN112640054B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN201980054879.9
申请日：2019-07-04
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , B05D1/36 , B05D1/40 , B05D3/00 , H01L21/027 , H01L21/306
Abstract: 基板处理方法具有第一工序至第六工序。保持基板(第一工序)。开始利用相机进行拍摄，从而生成拍摄图像(第二工序)。开始从第一喷嘴向基板喷出处理液(第三工序)。停止从第一喷嘴喷出处理液，开始从第二喷嘴喷出处理液(第四工序)。基于针对拍摄图像的图像处理，求出从第二喷嘴喷出处理液的开始时刻与从第一喷嘴喷出处理液的停止时刻之间的时间差(第五工序)。在判定为时间差在规定范围外时，以使时间差处于规定范围内的方式调整开始时刻及停止时刻中的至少任一者(第六工序)。
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公开(公告)号：CN116646279A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310622850.4
申请日：2017-12-22
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供一种基板清洗装置及基板清洗方法。向基板(9)供给含有溶剂及溶质在内的处理液。通过使溶剂的至少一部分从处理液中挥发而使处理液固化或硬化，由此使处理液成为微粒保持层。向基板(9)上供给去除液并将微粒保持层从基板(9)去除。微粒保持层含有的溶质成分相对于去除液为不溶性或难溶性而溶剂为可溶性。微粒保持层含有的溶质成分具有在加热至改性温度以上的情况下改性而相对于去除液变为可溶性的性质。去除液在形成微粒保持层后不经过使溶质成分改性既被供给的工序。
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