公开(公告)号：CN115087517B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202180013002.2

申请日：2021-01-13

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高田畅行 ,  安田穗积

IPC: B24B37/005 ,  B24B37/10 ,  B24B41/06 ,  B24B49/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683

Abstract: 使具有异形部分的未被预对准的基板的定位精度提升。基板处理装置包含：平台，用于支承基板；垫保持架，用于保持研磨垫，研磨垫用于研磨被支承在平台的基板；升降机构，用于使垫保持架相对于基板升降；及至少3个定心机构400A、400B、400C，用于向平台的中心方向按压被支承在平台的基板以进行对位，至少3个定心机构400A、400B、400C分别包含：被配置在平台的周围的旋转轴430、及被安装在旋转轴430的定心构件440，定心构件440包含：旋转轴430向第1方向旋转时与基板WF接触的第1接触部440a、及旋转轴430向与第1方向相反的第2方向旋转时与基板WF接触的第2接触部440b。

公开(公告)号：CN115397612A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202180022839.3

申请日：2021-03-10

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  国立大学法人东海国立大学机构 ,  国立大学法人金泽大学

Inventor： 铃木教和 ,  安田穗积 ,  望月宣宏 ,  桥本洋平

IPC: B24B37/005 ,  B24B53/017 ,  H01L21/304

Abstract: 一种工件的化学机械研磨系统、演算系统、及化学机械研磨的模拟模型的制作方法。本发明关于依据化学机械研磨的实测资料，将化学机械研磨的模拟模型最佳化的网络实体系统(CyberPhysicalSystem)。化学机械研磨系统具备：研磨工件(W)的研磨装置(1)；及演算系统(47)。演算系统(47)具有至少包含输出包含研磨工件(W)的推定研磨率的推定研磨物理量的物理模型的模拟模型。演算系统(47)构成为：将研磨工件(W)的研磨条件输入模拟模型，并从模拟模型输出研磨工件(W)的推定研磨物理量，决定使推定研磨物理量接近研磨工件(W)的实测研磨物理量的模拟模型的模型参数。

公开(公告)号：CN113134785A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202110042947.9

申请日：2021-01-13

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小畠严贵 ,  安田穗积 ,  矢内昭夫 ,  高桥信行 ,  中村贵正 ,  坂田桂介 ,  高田畅行 ,  八木裕治 ,  高田泰弘 ,  渡边和英

IPC: B24B37/11 ,  B24B37/27 ,  B24B37/34 ,  B24B47/12 ,  B24B47/20 ,  B24B47/22 ,  B24B49/12

Abstract: 提供一种能够精密控制晶片、基板、面板等工件的膜厚轮廓的研磨头系统。研磨头系统具备：具有将多个按压力施加于工件(W)的多个压电元件(47)的研磨头(7)；及决定应施加于多个压电元件(47)的电压的多个指令值的动作控制部(10)。

公开(公告)号：CN107186617B

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201710150426.9

申请日：2017-03-14

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 矶野慎太郎 ,  安田穗积 ,  并木计介 ,  锅谷治 ,  福岛诚 ,  富樫真吾 ,  山木晓

IPC: B24B37/30 ,  B24B37/10 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种能够恰当地处理基板的基板研磨方法、基板研磨装置以及用于那样的基板研磨装置的顶环。本发明提供一种基板研磨方法，具备如下工序：输送工序(S2)，在该输送工序(S2)中，利用弹性膜的第一区域吸附基板而将该基板向研磨垫上输送；研磨工序(S4)，在该研磨工序(S4)中，使所述基板与所述研磨垫接触而对所述基板进行研磨；以及提离工序(S6)，在该提离工序(S6)中，利用所述弹性膜的比所述第一区域宽的第二区域吸附所述基板而将所述基板从所述研磨垫提离。

公开(公告)号：CN109093507A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201810965484.1

申请日：2015-03-26

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 福岛诚 ,  安田穗积 ,  並木计介

IPC: B24B37/30 ,  B24B37/32 ,  B24B37/10 ,  B24B7/22 ,  H01L21/687

CPC classification number: B24B37/30

Abstract: 本发明提供一种可在晶片边缘部的狭窄区域精密调整研磨剖面的弹性膜。弹性膜(10)具备：抵接于基板的抵接部(11)；从抵接部(11)周端部向上方延伸的第一边缘周壁(10h)；及具有连接于第一边缘周壁(10h)的内周面(101)的水平部(111)的第二边缘周壁(10g)，第一边缘周壁(10h)的内周面(101)具有相对抵接部(11)垂直延伸的上侧内周面(101a)及下侧内周面(101b)，上侧内周面(101a)从第二边缘周壁(10g)的水平部(111)向上方延伸，下侧内周面(101b)从第二边缘周壁(10g)的水平部(111)向下方延伸。

公开(公告)号：CN106891241A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201611168391.3

申请日：2016-12-16

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 山木晓 ,  安田穗积 ,  并木计介 ,  锅谷治 ,  福岛诚 ,  富樫真吾 ,  矶野慎太郎

IPC: B24B37/005 ,  B24B37/34

Abstract: 本发明提供一种不依赖于工艺种类、研磨条件而能够防止研磨对象物的滑出的研磨装置、该研磨装置的控制方法以及控制程序。该研磨装置使研磨对象物的被研磨面与研磨部件相对地滑动而研磨被研磨面，具有：按压部，通过对研磨对象物的被研磨面的背面进行按压而将被研磨面按压于研磨部件；保持部件，配置于按压部的外侧，按压研磨部件；存储部，存储有与使用关于保持部件的按压力的信息而确定的防止研磨对象物的滑出的条件相关的信息；以及控制部，获取关于研磨对象物的被研磨面与研磨部件之间的摩擦力的信息或者关于保持部件的按压力的信息，使用该获取的关于摩擦力的信息或者该获取的关于保持部件的按压力的信息来进行控制，以符合防止滑出的条件。

公开(公告)号：CN104044057A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410104150.7

申请日：2005-10-31

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 锅谷治 ,  户川哲二 ,  福岛诚 ,  安田穗积

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/34 ,  B24B49/02

CPC classification number: B24B37/20 ,  B24B37/005 ,  B24B37/10 ,  B24B37/105 ,  B24B37/30 ,  B24B37/32 ,  B24B47/22 ,  B24B49/00 ,  B24B49/16

Abstract: 抛光设备（1）具有抛光垫（22）、用于夹持半导体晶片（W）的顶环（20）、可操作地沿垂直方向移动顶环（20）的垂直运动机构（24）、当顶环（20）的下表面接触抛光垫（22）时可操作地检测顶环（20）的距离测量传感器（46）、可操作地基于距离测量传感器（46）检测到的位置计算顶环（20）抛光半导体晶片（W）的最佳位置的控制器（47）。垂直运动机构（24）包括可操作地将顶环（20）移动到最佳位置的滚珠丝杆机构（30，32，38，42）。

公开(公告)号：CN103252714A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310158460.2

申请日：2008-10-28

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 锅谷治 ,  户川哲二 ,  安田穗积 ,  斋藤康二 ,  福岛诚

IPC: B24B37/32

CPC classification number: B24B37/32

Abstract: 一种抛光设备用于将诸如半导体晶片的基板抛光到平坦镜面光洁度。该抛光设备包括具有抛光表面的抛光台、设置成用于保持基板以及使基板压靠所述抛光表面的顶环本体、设置在所述顶环本体的外周部分并且设置成用于压靠所述抛光表面的保持环、以及固定到所述顶环本体并且设置成用于与所述保持环的环部件滑动接触从而引导所述环部件的运动的保持环引导部。环部件与保持环引导部的相互滑动接触的滑动接触表面中的任意一个包括低摩擦材料。

公开(公告)号：CN101934491A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN201010267843.X

申请日：2005-10-31

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 锅谷治 ,  户川哲二 ,  福岛诚 ,  安田穗积

IPC: B24B29/00 ,  H01L21/304 ,  B24B49/02 ,  B24B53/12 ,  B24B41/047

CPC classification number: B24B37/20 ,  B24B37/005 ,  B24B37/10 ,  B24B37/105 ,  B24B37/30 ,  B24B37/32 ,  B24B47/22 ,  B24B49/00 ,  B24B49/16

Abstract: 抛光设备(1)具有抛光垫(22)、用于夹持半导体晶片(W)的顶环(20)、可操作地沿垂直方向移动顶环(20)的垂直运动机构(24)、当顶环(20)的下表面接触抛光垫(22)时可操作地检测顶环(20)的距离测量传感器(46)、可操作地基于距离测量传感器(46)检测到的位置计算顶环(20)抛光半导体晶片(W)的最佳位置的控制器(47)。垂直运动机构(24)包括可操作地将顶环(20)移动到最佳位置的滚珠丝杆机构(30，32，38，42)。

公开(公告)号：CN101230481A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200710181850.6

申请日：2003-03-25

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 锅谷治 ,  粂川正行 ,  安田穗积 ,  小畠严贵 ,  饭泉健 ,  高田畅行 ,  深谷孝一

IPC: C25F3/00 ,  C25F7/00 ,  H01L21/3063

Abstract: 提供一种例如能省略CMP处理本身，或者既能尽量减小CMP处理的负荷、又能把设置在基片表面上的导电性材料加工成平整状态，并且还能除去(清洗)附着在基片等被加工物的表面上的附着物的电解加工装置，其特征在于具有：电极部，并列地布置了多个电极部件，电极部件包括电极和对电极的表面进行覆盖的离子交换体；保持部，保持被加工物，使被加工物与电极部件的离子交换体自如接触或接近；以及电源，连接到电极部的各电极部件的电极，电极部件的离子交换体具有：表面平滑性良好的离子交换体、以及离子交换容量大的离子交换体。