公开(公告)号：KR101102740B1

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：KR1020107019264

申请日：2009-06-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요네나가도미히로 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/22 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67303

Abstract: 복수의 서셉터에 각각 탑재된 기판을 한번에 가열할 때, 각 기판의 면내 온도의 균일성을 제어할 수 있도록 한다. 웨이퍼를 탑재하는 도전성 부재로서 그 중심부(126)와 둘레가장자리부(124)로 전기적으로 분할해서 이루어지는 유도 발열체(122)를 갖는 복수의 서셉터(120)와, 각 서셉터를 1열로 배열하도록 지지하는 석영 보트(112)와, 각 서셉터의 주위를 둘러싸도록 처리실(102)내에 배치되고, 온도 조절 자유롭게 구성된 유도 코일(130)과, 고주파 전류 회로(200)로부터 유도 코일에 인가하는 2개의 주파수의 고주파 전류를 제어함으로써, 유도 발열체의 중심부의 발열량과 둘레가장자리부의 발열량의 비율을 변화시켜 온도 제어를 실행하는 제어부(300)를 마련하였다.

Abstract translation: 当安装在多个基座中的每一个基座上的基板同时被加热时，可以控制每个基板的平面内温度的均匀性。 多个基座120，每个基座具有与用于安装晶片的导电构件的中心部分126和外围边缘部分124电隔离的感应加热元件122， 感应线圈130，以包围基座的方式配置在处理容器102内，以包围基座并构成温度控制; 通过控制高频电流，和用于改变的产生的热的量和运行温度控制感应加热元件的中心的热值的周边部分的比提供一控制单元300。

公开(公告)号：KR101088931B1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：KR1020067006035

申请日：2004-09-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 야마사키히데아키 ,  마츠다츠카사 ,  고미아츠시 ,  하타노다츠오 ,  다치바나,미츠히로 ,  마츠자바고우메이 ,  가와노유미코 ,  레우싱크게르트제이. ,  멕펠리펜톤알 ,  말호트라산드라지 ,  시몬앤드류에이치. ,  유르카스존제이

IPC: H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/045 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4408 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 본 발명은 간헐적 전구체 가스 플로우 프로세스(intermittent precursor gas flow process)를 사용하여 기판 상에 금속 층을 형성하기 위한 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 환원성 가스에 기판을 노출시킴과 아울러 그 기판을 금속-카르보닐 전구체(metal-carbonyl precursor) 가스의 펄스에 노출시키는 것을 포함한다. 상기 프로세스는 소망의 두께를 지닌 금속 층이 기판 상에 형성될 때까지 실행된다. 상기 금속 층은 기판 상에 형성될 수 있거나, 그 대안으로 금속 층은 금속 핵형성 층 상에서 형성될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020100035176A

公开(公告)日：2010-04-02

申请号：KR1020107002918

申请日：2008-09-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  엘피다 메모리 가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  아리마스스무 ,  가키모토아키노부 ,  히로타도시유키 ,  기요무라다카카즈

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68742 ,  H01L28/55

Abstract: A film is formed so that the atomic ratio of Sr to Ti, i.e., Sr/Ti, in the film is not less than 1.2 and not more than 3. The film is then annealed in an atmosphere containing not less than 0.001% and not more than 80% of Oat 500°C or above. An SrO film forming step and a TiO film forming step are repeated a plurality of times so that a sequence, in which a plurality of SrO film forming steps or/and a plurality of TiO film forming steps are performed continuously, is included. When Sr is oxidized after the adsorption of Sr, Oand HO are used as an oxidizing agent.

Abstract translation: 形成膜，使得膜中的Sr与Ti的原子比（即Sr / Ti）不小于1.2且不大于3.然后将膜在含有不少于0.001％的气氛中进行退火 超过80％的燕麦500°C或以上。 重复SrO膜形成步骤和TiO膜形成步骤多次，使得连续进行多个SrO膜形成步骤或/和多个TiO膜形成步骤的顺序被包括在内。 在Sr吸附后Sr被氧化时，使用O和HO作为氧化剂。

公开(公告)号：KR1020090107081A

公开(公告)日：2009-10-12

申请号：KR1020097018326

申请日：2008-02-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가키모토아키노부 ,  가와노유미코

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C23C16/40 ,  C23C16/404 ,  C23C16/405 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31691

Abstract: A substrate is arranged in a processing chamber, the substrate is heated, and an Sr material, a Ti material and an oxidizing agent are introduced into the processing chamber in the form of gas, the gases are reacted on the heated substrate, and an SrTiO3 film is formed on the substrate. As the Sr material, an Sr amine compound or an Sr imine compound is used.

Abstract translation: 将衬底布置在处理室中，加热衬底，将Sr材料，Ti材料和氧化剂以气体形式引入处理室中，气体在加热的衬底上反应，并且将SrTiO 3 在基板上形成膜。 作为Sr材料，使用Sr胺化合物或Sr亚胺化合物。

公开(公告)号：KR1020080037729A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：KR1020087006700

申请日：2006-07-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  가와노유미코

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/4481

Abstract: A raw material feeding device for feeding a gaseous raw material formed by the sublimation of a solid raw material into a film formation system, characterized by comprising a raw material container for holding the solid raw material therein, the first heating means placed on the first side of the container, the second heating means placed on the second side thereof, the first temperature control means for conducting the first management of controlling the first and second heating means so as to make the temperature of the first side higher than that of the second side and thereby sublimate the solid raw material on the first side, and the second temperature control means for conducting the second management of controlling the first and second heating means so as to make the temperature of the second side higher than that of the first side and thereby sublimate the solid raw material on the second side.

Abstract translation: 一种用于将通过固体原料的升华形成的气态原料供给到成膜系统中的原料供给装置，其特征在于包括用于将固体原料保持在其中的原料容器，第一加热装置放置在第一侧 所述第二加热装置设置在所述第二侧上，所述第一温度控制装置用于进行第一管理以控制所述第一和第二加热装置，以使所述第一侧的温度高于所述第二侧的温度 从而使第一侧的固体原料升华，以及第二温度控制装置，用于进行第二管理以控制第一和第二加热装置，以使第二侧的温度高于第一侧的温度，从而 在第二面升华固体原料。

公开(公告)号：KR1020080023741A

公开(公告)日：2008-03-14

申请号：KR1020087001229

申请日：2006-10-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  가와노유미코

IPC: C23C16/34 ,  H01L29/78

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28556 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: Disclosed is a film-forming method comprising a film-forming step wherein a thin metal compound film of a high-melting-point metal is formed on the surface of an object to be processed which is placed in an evacuatable process chamber by supplying a high-melting-point metal organic raw material gas and a nitrogen-containing gas into the process chamber. The partial pressure of the nitrogen-containing gas is set at not more than 17% in the film-forming step for increasing the concentration of carbon contained in the thin film. ® KIPO & WIPO 2008

Abstract translation: 公开了一种成膜方法，其包括成膜步骤，其中在被处理物体的表面上形成高熔点金属的薄金属化合物膜，该物体通过提供高的位置而放置在可抽空的处理室中 - 熔点金属有机原料气和含氮气体进入处理室。 在用于提高薄膜中所含的碳浓度的成膜步骤中，含氮气体的分压设定为不超过17％。 ®KIPO＆WIPO 2008

公开(公告)号：KR1020070092764A

公开(公告)日：2007-09-13

申请号：KR1020077019006

申请日：2001-12-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고지마야스히코 ,  아리마스스무 ,  야마사키히데아키 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/68721 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6835 ,  H01L2924/3025

Abstract: After a thin film is deposited on a treatment surface of a wafer and the wafer is transferred out of a treatment chamber, a contact projection of a clamp is brought into contact with a susceptor to heat the clamp. Next, a wafer is disposed on the susceptor by elevating the clamp when the wafer, on which a thin film is not deposited, is transferred in. Thereafter, the clamp is brought into contact with the wafer and the wafer is stabilized to a predetermined temperature. Thereafter, a thin film is deposited on a treatment surface of the wafer.

Abstract translation: 在将薄膜沉积在晶片的处理表面上并将晶片从处理室中移出之后，使夹具的接触突起与基座接触以加热夹具。 接下来，当在其上没有沉积薄膜的晶片被转移时，通过提升夹具来将晶片设置在基座上。此后，使夹具与晶片接触，并且将晶片稳定在预定温度 。 此后，在晶片的处理表面上沉积薄膜。

公开(公告)号：KR100737255B1

公开(公告)日：2007-07-10

申请号：KR1020010014487

申请日：2001-03-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  가와노유미코

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L27/10814

Abstract: 반도체 장치는 적어도 하나의 층간 절연막, 저장 전극, 커패시터 절연막, 플레이트 전극 및 보호막을 포함한다. 상기 층간 절연막은 반도체 기판 상에 배치된다. 상기 저장 전극은 금속 재료로 이루어지며 상기 층간 절연막 상에 배치된다. 상기 커패시터 절연막은 절연 금속 산화물로 이루어지며 상기 저장 전극 상에 배치된다. 상기 플레이트 전극은 텅스텐 질화물로 이루어지며 상기 커패시터 절연막 상에 배치된다. 상기 보호막은 상기 플레이트 전극으로부터 질소의 외부 확산을 억제하기 위하여 상기 플레이트 전극 상에 배치된다. 또한, 상기 반도체 장치의 제조 방법이 기재되어 있다.

Abstract translation: 该半导体器件包括至少一个层间绝缘膜，存储电极，电容器绝缘膜，平板电极和保护膜。 层间绝缘膜设置在半导体衬底上。 存储电极由金属材料制成并设置在层间绝缘膜上。 电容器绝缘膜由绝缘性的金属氧化物构成，配置在存储电极上。 平板电极由氮化钨制成并设置在电容器绝缘膜上。 保护膜设置在平板电极上以抑制氮从平板电极的外部扩散。 此外，描述半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：KR1020070061898A

公开(公告)日：2007-06-14

申请号：KR1020077009377

申请日：2005-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  가와노유미코 ,  루싱크거트제이

IPC: C23C16/16 ,  C23C16/06

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76873

Abstract: A method for depositing a Ru metal layer on a substrate is presented. The method includes providing a substrate in a process chamber, introducing a process gas in the process chamber in which the process gas comprises a carrier gas, a ruthenium-carbonyl precursor, and hydrogen. The method further includes depositing a Ru metal layer on the substrate by a thermal chemical vapor deposition process. In one embodiment of the invention, the ruthenium-carbonyl precursor can contain Ru3(CO)12. and the Ru metal layer can be deposited at a substrate temperature resulting in the Ru metal layer having predominantly Ru(002) crystallographic orientation.

Abstract translation: 介绍了一种在衬底上沉积Ru金属层的方法。 该方法包括在处理室中提供衬底，在工艺气体中引入工艺气体，其中工艺气体包括载气，羰基钌前体和氢。 该方法还包括通过热化学气相沉积工艺在基底上沉积Ru金属层。 在本发明的一个实施方案中，羰基钌前驱体可含有Ru 3（CO）12。 并且Ru金属层可以在衬底温度下沉积，导致Ru金属层主要具有Ru（002）晶体取向。

公开(公告)号：KR100710929B1

公开(公告)日：2007-04-23

申请号：KR1020057000404

申请日：2003-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  가와노유미코 ,  야마모토노리히코

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45561 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4412

Abstract: 본 발명의 성막장치(100)는 소스 가스를 생성하기 위한 원료를 넣는 원료 용기(10)와, 반도체 기판(101)에 성막 처리를 실행하기 위한 처리 용기(120)와, 원료 용기(10)로부터 처리 용기(120)에 상기 소스 가스를 공급하기 위한 원료 공급라인(30)과, 터보분자 펌프(14) 및 드라이 펌프(16)로 이루어지는 진공 펌프 시스템을 가진, 처리 용기(120)를 배기하기 위한 배기라인(32)과, 원료 공급라인(30)으로부터 분기하여 처리 용기(120) 및 터보분자 펌프(14)를 바이패스하여 배기라인(32)에 합류하는 프리 플로우 라인(33)을 구비하고, 원료 공급라인(30)은 6.4mm보다 큰 내경의 배관을 포함하고, 프리 플로우 라인(33)에 터보분자 펌프(15)가 마련된 것을 특징으로 한다.