公开(公告)号：KR101282554B1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：KR1020110071790

申请日：2011-07-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키요시히코 ,  미나미마사토

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/683

Abstract: 열 팽창해도 하부 전극과의 사이에 간극이 발생하지 않고, 하부 전극에 있어서의 이상 방전 및 이로전의 발생을 방지할 수 있는 실드 부재를 제공한다.
하부 전극의 직사각형의 탑재면의 한 변을 따라 배치되는 절연성의 긴 형상 물체로 이루어지고, 길이 방향의 한쪽 끝에 마련된 고정용 나사 구멍과 긴 형상 물체의 길이 방향으로 이격되어 마련된 지지용 나사 구멍을 갖는 링 구성 부품을, 각 링 구성 부품의 길이 방향의 한쪽 끝의 단면이 인접하는 다른 링 구성 부품의 길이 방향의 한쪽 끝의 측면에 당접하고, 다른쪽 끝의 측면이 인접하는 다른 링 구성 부품과는 다른 별도의 링 구성 부품의 한쪽 끝의 단면에 당접하도록 조합하여, 각 링 구성 부품의 길이 방향의 한쪽 끝을 고정용 나사 구멍으로 탑재대의 기재에 고정하고, 다른쪽 끝을 지지용 나사 구멍으로 변위 자유롭게 지지하며, 각 구성 부품이 고정단을 기점으로 해서 긴 형상 물체의 길이 방향으로 열 팽창 또는 열 수축 가능하게 배열하고, 하� �� 전극의 각 모서리부를 평면으로 면따기하며, 면따기면에 당접하는 평면을 갖는 삼각형상의 끼워맞춤 부재를 배치했다.

公开(公告)号：KR1020120010165A

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：KR1020110071790

申请日：2011-07-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키요시히코 ,  미나미마사토

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01J37/32651 ,  H01L21/6833

Abstract: PURPOSE: A shield member and a substrate mounting table including the same are provided to prevent the corrosion or erosion of a bottom electrode and to prevent the generation of a gap between the shield member and the bottom electrode. CONSTITUTION: A chamber(11) accepts a rectangular substrate(G). A susceptor(12) is arranged in the lower side of the inside of the chamber. An upper plane of a base material(13) is composed of a substrate loading side(13a) which loads a substrate. A shield ring is arranged in order to surround around the substrate loading side. A power failure plate(16) is arranged on the top of the base material. A direct current power source is contacted to the power failure plate. An insulating ring is arranged in the around the base material.

Abstract translation: 目的：提供一种屏蔽构件和包括该屏蔽构件的基板安装台以防止底部电极的腐蚀或腐蚀，并且防止在屏蔽构件和底部电极之间产生间隙。 构成：室（11）接受矩形衬底（G）。 基座（12）布置在腔室内侧的下侧。 基材（13）的上平面由负载基板的基板装载侧（13a）构成。 为了围绕基板装载侧而围绕屏蔽环。 在基材的顶部设有断电板（16）。 直流电源与停电板接触。 绝缘环布置在基材周围。

公开(公告)号：KR101063064B1

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：KR1020090053566

申请日：2009-06-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미나미마사토 ,  사사키요시히코

IPC: H01L21/3065 ,  G02F1/13

Abstract: 피처리체의 주위에 마련된 정류벽의 휨을 경감하는 것이 가능한 처리 장치를 제공한다.
처리 용기(20)의 내부에 처리 가스를 공급해서 탑재대(3) 상에 탑재된 피처리체(S)에 예컨대 에칭 등의 처리를 실행하기 위한 처리 장치(2)에 있어서, 정류 부재(5)는 피처리체(S)의 각 변을 따라 신장하는 복수의 정류벽(51)을 연결해서 해당 피처리체(S)를 둘러싸도록 구성되고, 각 정류벽(51)은 그 양단부가 지지 부재(52)로 지지되고, 또한 그 상연부가 해당 정류벽(51)의 중앙부를 향해서 서서히 높아지는 형상으로 형성되는 한편, 하연부는 상기 탑재대의 상면과 평행하게 형성되어 있다.

公开(公告)号：KR100978957B1

公开(公告)日：2010-08-30

申请号：KR1020080020438

申请日：2008-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미나미마사토 ,  사사키요시히코

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/3065

Abstract: 기판을 탑재했을 때에 기판의 이면에 상처가 나는 것을 방지한다.
본 발명에 따른 기판 탑재대는, 기재(基材)(110)와, 기재 상에 형성되고, 기판 G가 탑재되는 유전성 재료층(120)과, 유전성 재료층 상에 형성된 복수의 볼록부(142)를 구비하며, 상기 각 볼록부(142)는 기판 G와의 접촉 부분인 상부(144)를 기판 G보다도 낮은 경도의 재료로 구성하였다.

公开(公告)号：KR100929945B1

公开(公告)日：2009-12-04

申请号：KR1020080094142

申请日：2008-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키가즈오 ,  미나미마사토 ,  도죠도시히로

IPC: H05H1/24 ,  H01L21/3065

Abstract: To provide a plasma treatment device in which a high in-plane uniformity of plasma can be obtained and a temperature controlling can be easily done even in case of a larger treating vessel and a still higher frequency of a high frequency power source. An impedance adjusting part 60 is connected between a treatment vessel 2 of the plasma treatment device and an internal wall plate 6 made of a conductor provided to cover a wall part of the treatment vessel 2. An impedance value from a lower electrode 5, a cathode electrode, up to a matching box 42, a grounding case, through plasma, the internal wall plate 6 and the wall part of the treatment vessel 2 shall be bigger than the impedance value from the lower electrode 5 up to the matching box 42, a grounding case, through plasma, an upper electrode 3, an anode electrode, and the treatment vessel 2.

Abstract translation: 为了提供一种等离子体处理装置，其中，即使在处理容器较大且高频电源的频率更高的情况下，也可以获得等离子体的高平面内均匀性并且容易进行温度控制。 阻抗调整部60连接在等离子体处理装置的处理容器2与由覆盖处理容器2的壁部的导体构成的内壁板6之间。来自下部电极5，阴极 电极直到匹配盒42，通过等离子体的接地盒，处理容器2的内壁板6和壁部应大于从下电极5直到匹配盒42的阻抗值，a 通过等离子体，上电极3，阳极电极和处理容器2接地的情况。

公开(公告)号：KR1020080109646A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：KR1020080054848

申请日：2008-06-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키요시히코 ,  미나미마사토

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01J37/32082

Abstract: A main chuck and a plasma processing apparatus using the same is provided to prevent the gap formation caused by thermal expansion difference between the segment of the shield material and material as a pressure tool pressurizes segments in order to come close. A main chuck(3) mounting substrate in the process chamber performing the plasma processing to substrate comprises a material(5), a loader(6), and a shield material. Material is metals. The loader has the substrate prepared in the upper part. The shield material is made of the insulating ceramic prepared in order to surround the surrounding of the upper part of material and the loader. The shield material is divided to a plurality of segments(7a). The shield material has the pressure tool(50) which pressurizes segment in order to come close.

Abstract translation: 提供了一种主卡盘和使用其的等离子体处理装置，以防止作为压力工具的屏蔽材料的部分和材料之间的热膨胀差引起的间隙形成为了靠近而增加部分。 在执行对基板的等离子体处理的处理室中安装基板的主卡盘（3）包括材料（5），装载器（6）和屏蔽材料。 材料是金属。 装载机具有在上部准备的基板。 屏蔽材料由绝缘陶瓷制成，以便围绕材料的上部和装载器的周围。 屏蔽材料被分成多个段（7a）。 屏蔽材料具有压力工具（50），该压力工具对段进行加压以便接近。

公开(公告)号：KR1020060121702A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：KR1020060045781

申请日：2006-05-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시기요시 ,  미나미마사토

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01L21/3065 ,  H02N13/00

Abstract: An electrostatic absorption electrode and a processing apparatus are provided to prevent an abnormal discharge in a gas passage and easily repair when the abnormal discharge occurs. An electrostatic absorption electrode is structured by a plurality of bases(30,31), which are separated from each other. The electrostatic absorption electrode has a mounting surface for mounting a processed object. A heat transfer medium passage contacts with the mounting surface at a gap of at least two bases, and supplies a heat transfer medium to another surface of the processed object. A surface of the base for forming at least the heat transfer medium passage is coated with insulation materials. The heat transfer medium passage is formed to have an angle with respect to a perpendicular direction.

Abstract translation: 设置静电吸收电极和处理装置，以防止气体通道中的异常放电，并且在发生异常放电时容易修复。 静电吸收电极由彼此分离的多个基底（30,31）构成。 静电吸收电极具有用于安装加工对象的安装面。 传热介质通道在至少两个基座的间隙处与安装表面接触，并且将传热介质供应到被处理物体的另一表面。 用于形成至少传热介质通道的底座的表面涂有绝缘材料。 传热介质通道形成为具有相对于垂直方向的角度。

公开(公告)号：KR102049146B1

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：KR1020170088761

申请日：2017-07-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키요시히코 ,  미나미마사토 ,  후지나가모토키 ,  감베다카후미 ,  야마와쿠쥰 ,  우가진하지메

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683

公开(公告)号：KR101928626B1

公开(公告)日：2018-12-12

申请号：KR1020160144410

申请日：2016-11-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키요시히코 ,  미나미마사토

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/324

Abstract: 제 1 부재 및 제 2 부재 간에 미소 간극이 있어도, 메인터넌스성의 악화나 장치 비용의 증가를 초래하는 일 없이, 제 1 부재로부터 제 2 부재로의 양호하고 또한 균일한 열전달을 확보할 수 있는 기판 탑재대를 제공한다. 처리 용기(2) 내에서 피처리 기판에 처리를 실시하는 기판 처리 장치(1)에서 기판을 탑재하는 기판 탑재대(4)는, 베이스가 되는 금속제의 제 1 부재(6)와, 제 1 부재(6) 상에 마련된 금속제의 제 2 부재(7)와, 제 2 부재(7)의 표면에 마련된, 기판을 탑재하는 기판 탑재부(8)와, 제 1 부재(6)에 마련된 온도 조절 수단(32, 33)과, 제 1 부재(6) 및 제 2 부재(7)의 사이에 개재되며, 유기 재료로 이루어지는 탄성체로 구성된 탄성체 시트(30)와, 탄성체 시트(30)가 개재된 상태에서 제 1 부재(6) 및 제 2 부재(7)의 적어도 외주를 체결하는 나사(31)를 갖고, 탄성체 시트(30)는 제 1 부재(6) 및 제 2 부재(7)가 체결되었을 때에 그들 사이의 미소 간극을 메운다.

公开(公告)号：KR101885416B1

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：KR1020150184048

申请日：2015-12-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 헴미아츠시 ,  미나미마사토 ,  사사키요시히코

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/687

Abstract: 절연재로이루어지는링 부재가그 주위에배치된탑재대에있어서, 파티클이나이상방전의발생을억제하는것이가능한기술을제공하는것. 플라즈마처리장치에마련되는탑재대(3)는, 각기둥형상의금속제의탑재대본체와, 탑재대본체의측부에형성된결합부를이루는오목부(61)와, 오목부(61)에결합하여상기탑재대본체에장착된위치결정부재(7)를구비한다. 위치결정부재(7) 위에는돌기부(72, 73)가마련되고, 이돌기부(72, 73)에링 부재(5)의하면에형성된오목부(55, 56)를감합하도록링 부재(5)를탑재하여마련한다. 따라서링 부재(5) 상면은상하방향의관통구멍이마련되지않은평탄면으로서구성되고, 파티클의발생원인이되는간극이나, 링부재의상면으로부터나사로탑재대에고정하는경우와같은이상방전으로이어지는간극이형성되지않기때문에, 파티클이나이상방전의발생을억제할수 있다.