公开(公告)号：KR100570250B1

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：KR1020037011870

申请日：2002-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오시마야스히로

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23C16/4405

Abstract: 절연성 물질이 부착된 처리 챔버 내에 카본산을 기화한 클리닝 가스를 공급하고, 또한 처리 챔버 내를 진공 배기한다. 처리 챔버 내에 공급된 클리닝 가스가 처리 챔버 내벽 및 서셉터에 부착된 절연성 물질에 접촉하면, 절연성 물질은 착체화되어, 절연성 물질의 착체가 형성된다. 절연성 물질의 착체는 증기압이 높기 때문에 용이하게 기화한다. 기화한 절연 물질의 착체는 진공 배기로 처리 챔버 밖으로 배출된다.

公开(公告)号：KR1020050108395A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：KR1020057017183

申请日：2004-03-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  요시이나오키 ,  가와무라고헤이 ,  후쿠다유키오 ,  시게오카다카시 ,  고지마야스히코 ,  오시마야스히로 ,  아라미주니치 ,  고미아츠시

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45542 ,  C23C16/34 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45561 ,  Y10T137/86558 ,  Y10T137/86566 ,  Y10T137/86638 ,  Y10T137/86726 ,  Y10T137/86743 ,  Y10T137/86751 ,  Y10T137/86871

Abstract: A processing apparatus is disclosed which is capable of switching supplies of a raw material gas and a reducing gas alternately, while continuously forming a plasma of the reducing gas. An excitation device (12) excites a reducing gas supplied thereinto, and the excited reducing gas is supplied into a process chamber (2). A switching mechanism (20) is arranged between the excitation device (12) and the process chamber (2), and a bypass line (22) is connected to the switching mechanism (20). The switching mechanism (20) switches the flow of the excited reducing gas from the excitation device (12) between the process chamber (2) and the bypass line (22).

Abstract translation: 公开了能够在连续地形成还原气体的等离子体的同时交替地切换原料气体和还原气体的供给的处理装置。 励磁装置（12）激发供给到其中的还原气体，并将被激发的还原气体供给到处理室（2）。 在励磁装置（12）和处理室（2）之间设置有切换机构（20），旁通管路（22）与切换机构（20）连接。 切换机构（20）切换来自处理室（2）和旁通管线（22）之间的激发装置（12）的被激发的还原气体的流动。

公开(公告)号：KR1020040020820A

公开(公告)日：2004-03-09

申请号：KR1020030060523

申请日：2003-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 간난히로시 ,  이시자카다다히로 ,  고지마야스히코 ,  오시마야스히로 ,  시게오카다카시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45557

Abstract: PURPOSE: To provide a treatment apparatus and treatment method capable of shortening the time for switching gaseous raw materials by shortening the time required for evacuation of the gaseous raw materials and of maintaining the temperature on a substrate surface under treatment constant. CONSTITUTION: The treating gases containing gaseous raw materials(TiCl4 and NH3) and inert gas(N2) are supplied into a treating vessel 2. The pressure in the treating vessel 2 is detected by a pressure gage 6 and the flow rate of the treating gases supplied into the treating vessel 2 is controlled in accordance with the result of the detection. Purging of the gaseous raw materials is performed by the inert gas. The flow rate as the entire part of the gaseous raw materials is controlled and the pressure in the treating vessel 2 is maintained constant by maintaining the flow rate of the treating gaseous raw material constant and by controlling the flow rate of the inert gas.

Abstract translation: 目的：提供一种处理装置和处理方法，其能够缩短气态原料的切换时间，缩短气体原料抽真空所需的时间，并将处理温度保持在处理常数上。 构成：将含有气态原料（TiCl 4和NH 3）和惰性气体（N 2）的处理气体供给到处理容器2.处理容器2中的压力由压力计6检测，处理气体的流量 根据检测结果来控制供应到处理容器2中。 气态原料的清除是通过惰性气体进行的。 通过保持处理气态原料的流量恒定并控制惰性气体的流量，控制作为气态原料的整个部分的流量，并且处理容器2中的压力保持恒定。

公开(公告)号：KR100831436B1

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：KR1020010011430

申请日：2001-03-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리시마마사토 ,  오시마야스히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4404

Abstract: 챔버내벽 또는 챔버내부재의 막박리를 저비용이며 효과적으로 방지할 수 있는 CVD 성막방법을 제공한다. 챔버(11)내에 피처리체를 존재시키지 않는 상태로, 패시베이션용 가스를 공급하고, 챔버(11)내벽 및/또는 챔버내부재(20)표면에 패시베이션막을 형성한다. 이어서 챔버내로 피처리체를 존재시키지 않는 상태에서, 프리코트용 가스를 공급하고, 패시베이션막의 표면에 프리코트막을 형성한다. 그 후 챔버(11)내에 피처리체를 장입하고, 챔버(11)에 성막용가스를 공급하고, 피처리체 (W)에 대하여 성막처리를 행한다.

公开(公告)号：KR1020070100409A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：KR1020077019956

申请日：2006-12-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이데신지 ,  오시마야스히로 ,  가시와기유사쿠

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L23/5329 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: Disclosed is a method for forming an SiOCH film which is characterized in that an SiOCH film is formed on a substrate by repeating, a plurality of times, a unit film forming process which includes a deposition step wherein an SiOCH film element is deposited by a plasma CVD method using an organosilicon compound as the raw material, and a hydrogen plasma processing step wherein the deposited SiOCH film element is treated with hydrogen plasma.

Abstract translation: 公开了一种形成SiOCH膜的方法，其特征在于，通过重复多次重复多次制备包括沉积步骤的单元成膜工艺在基板上形成SiOCH膜，其中通过等离子体沉积SiOCH膜元件 使用有机硅化合物作为原料的CVD法和氢等离子体处理工序，其中沉积的SiOCH膜元件用氢等离子体处理。

公开(公告)号：KR100724181B1

公开(公告)日：2007-05-31

申请号：KR1020057024111

申请日：2004-04-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  오시마야스히로 ,  요시이나오키 ,  시게오카다카시 ,  가와무라고헤이 ,  후쿠다유키오 ,  고지마야스히코

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/7685 ,  H01L2221/1078

Abstract: 처리 용기 내의 피처리 기판에 성막하는 성막 방법으로서, 할로젠 원소를 포함하지 않는 유기 금속 화합물로 이루어지는 제 1 원료 가스를 상기 처리 용기 내에 공급한 후, 상기 제 1 원료 가스를 상기 처리 용기 내로부터 제거하는 제 1 공정, 및 수소 또는 수소 화합물을 포함하는 제 2 원료 가스를 상기 처리 용기 내에 공급한 후, 상기 제 2 원료 가스를 상기 처리 용기 내로부터 제거하는 제 2 공정을 반복하여 이루어지는 제 1 막 성장 공정; 및 금속 할로젠화물로 이루어지는 제 3 원료 가스를 상기 처리 용기 내에 공급한 후, 상기 제 3 원료 가스를 상기 피처리 기판으로부터 제거하는 제 3 공정, 및 수소 또는 수소 화합물을 포함하는 제 4 원료 가스를 상기 처리 용기 내에 공급한 후, 상기 제 4 원료 가스를 상기 처리 용기 내로부터 제거하는 제 4 공정을 반복하여 이루어지는 제 2 막 성장 공정으로 이루어지는 성막 방법을 사용했다.

公开(公告)号：KR100697897B1

公开(公告)日：2007-03-20

申请号：KR1020057003044

申请日：2003-08-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 간난히로시 ,  이시자카다다히로 ,  고지마야스히코 ,  오시마야스히로 ,  시게오카다카시

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/26

Abstract: 본 발명의 기판 처리 장치는 기판을 수용(收容)하는 처리용기와, 상기 처리용기 내에 상기 처리용기 내를 클리닝하기 위한 클리닝 가스를 공급하는 클리닝 가스 공급계와, 상기 처리용기 내를 배기하는 배기 장치와, 상기 배기 장치의 작동 상태를 검출하는 작동 상태 검출기와, 상기 작동 상태 검출기의 검출 결과에 근거하여 상기 클리닝의 종점을 검출하는 종점 검출기를 구비하고 있다.

公开(公告)号：KR1020050058459A

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：KR1020057003044

申请日：2003-08-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 간난히로시 ,  이시자카다다히로 ,  고지마야스히코 ,  오시마야스히로 ,  시게오카다카시

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/26

Abstract: A substrate processing unit comprises a processing vessel for receiving a substrate, a cleaning gas supply system for supplying cleaning gas to the processing vessel so as to clean the interior of the processing vessel, an exhauster for exhausting the processing vessel, an operating state detector for detecting the operating state of the exhauster, and an end point detector for detecting the end point of the cleaning on the basis of the detection result from the operating state detector.

Abstract translation: 衬底处理单元包括用于接收衬底的处理容器，用于向处理容器提供清洁气体以清洁处理容器内部的清洁气体供应系统，用于排出处理容器的排气器，用于排出处理容器的操作状态检测器 检测排气器的运行状态，以及终点检测器，用于根据来自运行状态检测器的检测结果来检测清洗的终点。

公开(公告)号：KR1020010088407A

公开(公告)日：2001-09-26

申请号：KR1020010011430

申请日：2001-03-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리시마마사토 ,  오시마야스히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4404

Abstract: PURPOSE: To provide a CVD film deposition method by which the peeling of a film in the inner wall of a chamber or a member in the chamber can effectively be prevented at a low cost. CONSTITUTION: The inside of a chamber 11 is fed with gas for passivation in a state in which the body to be treated is not present to deposit a passivation film on the surface of the inner wall of the chamber 11 and/or a member 20 in the chamber, successively, the inside of the chamber is fed with gas for precoat in a state in which the body to be treated is not present to deposit a precoat film on the surface of the passivation film, after that, the inside of the chamber 11 is charged with the body to be treated, the inside of the chamber 11 is fed with gas for film deposition, and, the body W to be treated is subjected to film deposition treatment.

Abstract translation: 目的：提供一种CVD膜沉积方法，通过该方法可以以低成本有效地防止室内壁或室内部件上的膜的剥离。 构成：腔室11的内部在被处理体不存在的状态下供给用于钝化的气体，以将钝化膜沉积在腔室11的内壁表面和/或构件20的表面上 在腔室内连续地供给预处理气体，在待处理体不存在的状态下，在钝化膜的表面上沉积预涂膜，此后，腔室内部 对被处理体11进行充填，向室内供给用于成膜的气体，对被处理体W进行成膜处理。