公开(公告)号：KR1020170138053A

公开(公告)日：2017-12-14

申请号：KR1020170069055

申请日：2017-06-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76879

Abstract: 본발명은, 1D 레이아웃기술에의한패턴형성에있어서, 노광공정의횟수를저감할수 있는패턴형성방법을제공하는것이다. 본발명은, 바탕막상에반복된라인패턴형상의제1막을형성하는공정과, 상기제1막의측면에상기제1막과는에칭선택성이다른제2막을형성하는공정과, 상기제1막을제거하지않고상기제2막의상면및 측면에상기제1막및 상기제2막과는에칭선택성이다른제3막을형성하는공정과, 상기제3막상에개구부를갖는레지스트패턴을형성하는공정과, 상기레지스트패턴을에칭마스크로하여상기제3막을에칭함으로써상기제1막의상면, 상기제2막의상면및 상기제3막의상면이노출된오목부를형성하는공정과, 상기오목부에서상면이노출된상기제2막이잔존하도록상기오목부에서상면이노출된상기제1막및 상기제3막을에칭함으로써상기바탕막의상면을노출시키는공정과, 상면이노출된상기바탕막을에칭함으로써상기바탕막을관통하는관통구멍을형성하는공정을포함하는패턴형성방법에의해, 상기과제를해결한다.

Abstract translation: 本发明的一个目的是提供一种图案形成方法，其能够减少通过1D布局技术的图案形成中的曝光步骤的数量。 本发明，并且所述第一步骤的步骤中，与所述第一的第一膜的第一膜侧的刻蚀选择性，以形成从所述第一薄膜上重复膜形成不同的线图案形状的膜，以及除去所述第一膜 在第二膜的上表面和侧表面上形成与第一膜和第二膜的蚀刻选择性不同的第三膜;在第三膜上形成具有开口的抗蚀剂图案; 通过使用抗蚀剂图案作为蚀刻掩模，在第一层上表面上的第三膜的蚀刻，所述第二膜的上表面和所述第三膜的上表面是形成在凹部中露出的凹部和所述上表面暴露所述第一的步骤 通过蚀刻其中上表面在所述凹部中暴露的所述第一膜和所述第三膜以使得所述第二膜保留，从而暴露所述基膜的上表面， 包括成形工艺的图案形成室 上述问题通过一种方法解决。

公开(公告)号：KR101322112B1

公开(公告)日：2013-10-28

申请号：KR1020120007578

申请日：2012-01-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0228 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31116 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은, 공정수를 삭감할 수 있고, 제2 레지스트막을 성막할 때의 제1 레지스트막의 용해를 방지할 수 있으며, 노광 장치의 해상도 이하의 미세한 개구부를 형성할 수 있는 마스크 패턴의 형성 방법을 제공한다.
본 발명의 마스크 패턴의 형성 방법은, 제1 레지스트막(14)에, 배열되는 제1 개구부(14a)를 형성하는 공정과, 제1 개구부(14a)의 측벽(14b)을 피복하도록 제1 막(15)을 성막하는 공정과, 제1 막(15) 상에 성막한 제2 레지스트막(16)에, 제1 개구부(14a)와 교대로 배열되는 제2 개구부(16a)를 형성하는 공정과, 제2 개구부(16a)의 측벽(16b)을 피복하도록 제2 막(17)을 성막하는 공정과, 제1 측벽부(17a)로서 남도록 제2 막(17)의 일부를 제거하는 공정과, 제1 레지스트막(14)에 제2 개구부(16a)에 대응한 제3 개구부(14d)를 형성하고, 측벽(14b)이 제2 측벽부(15a)로 피복되어 이루어진 제4 개구부(14g)를 형성하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020120132693A

公开(公告)日：2012-12-07

申请号：KR1020127028853

申请日：2011-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미 ,  이가라시요시키 ,  나리시게가즈키 ,  무카와다카히토

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32139

Abstract: 반사 방지막 상에 형성된 포토 레지스트막으로 이루어지는 제 1 라인부를 마스크로 해서 상기 반사 방지막을 에칭하는 것에 의해서, 상기 포토 레지스트막과 상기 반사 방지막으로 이루어지는 제 2 라인부를 갖는 패턴을 형성하는 제 1 패턴 형성 공정과, 상기 포토 레지스트막에 전자를 조사하는 조사 공정과, 상기 제 2 라인부를 등방적으로 피복하도록 산화 실리콘막을 성막하는 산화 실리콘막 성막 공정과, 상기 산화 실리콘막을 상기 제 2 라인부의 상부에서 제거하고 상기 제 2 라인부의 측벽부로서 잔존하도록, 상기 산화 실리콘막을 에치백하는 에치백 공정과, 상기 제 2 라인부를 애싱하는 것에 의해서, 상기 산화 실리콘막으로 이루어지고 상기 측벽부로서 잔존하는 제 3 라인부를 포함하는 마스크 패턴을 형성하는 제 2 패턴 형성 공정을 포함하는 마스크 패턴의 형성 방법이 제공된다..

公开(公告)号：KR101134490B1

公开(公告)日：2012-04-13

申请号：KR1020107005089

申请日：2008-08-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미

IPC: H01L21/3213 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/67178

Abstract: 기판상에 피(被)처리막, 제1막, 감광성의 제2막을 아래로부터 순서대로 형성한다. 그 후, 제2막을 선택적으로 제거하고, 노출된 부분인 제1막을 제거한다. 그 후, 제2막을 마스크로 하여 피처리막을 에칭한다. 그 후, 제1막이 소정의 폭이 되도록, 당해 제1막의 측벽부를 제거한다. 그 후, 적어도 제1막과 피처리막의 상면을 덮도록 제3막을 형성한다. 그 후, 제1막과 제2막을 제거한다. 그 후, 제3막을 마스크로 하여 피처리막을 에칭한다. 그 후, 제3막을 제거한다.

公开(公告)号：KR100503121B1

公开(公告)日：2005-11-11

申请号：KR1019980039143

申请日：1998-09-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미 ,  환퀴

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 예를 들어 반도체웨이퍼 등의 피처리체에 대해 처리액도포 및 노광 후의 현상을 포함한 일련의 처리를 행하는 처리장치 및 처리방법에 관한 것이다.
본 발명의 처리장치는 케이스 내에 설치되고 피처리체에 대해 처리액도포 및 노광 후의 현상을 포함한 일련의 처리를 행하는 복수의 처리유니트와, 각 처리유니트에 대해 피처리체를 반입반출하는 반송기구와, 케이스 내부에 도입된 공기 중에서 해상도를 저하시키는 불순물을 제거하는 필터를 가지는 공기청정기구와, 필터 외측의 불순물의 농도를 검출하는 농도검출기구와, 농도검출기구의 검출결과를 기초로 하여 필터의 교환수명을 예측하는 수명예측수단(50)을 구비한다.
이로써, 해상불량을 발생시키는 불순물을 제거하기 위한 필터의 교환타이밍을 신속히 파악할 수 있고, 수율저하의 문제를 해결함으로써, 신뢰성 높은 처리를 실현할 수 있는 데 적용할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020010103664A

公开(公告)日：2001-11-23

申请号：KR1020010024843

申请日：2001-05-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기타노쥰이치 ,  마쓰야마유지 ,  기타노다카히로 ,  야에가시히데타미

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 기판에 대하여 도포현상처리하는 방법으로서, 기판에 도포액을 공급하여 도포막을 형성하는 공정과, 도포막이 형성된 기판을 가열처리하는 공정과, 상기 가열처리후에 기판을 냉각하는 공정과, 기판에 형성된 도포막에 노광처리하는 공정과, 노광처리후에 기판을 현상하는 공정을 가지며, 더욱 도포막을 형성하는 공정후에, 기판을 노광처리하는 공정전에, 처리가스를 공급하여 도포막의 표면에 처리막을 형성하는 공정을 가진다.
본 발명에 의하면, 도포막을 형성하는 공정후에, 기판을 노광하는 공정전에, 처리가스를 공급하여 도포막의 표면에 처리막을 형성하기 때문에, 이 처리막에 의해, 분위기중의 산소나 수증기 등의 불순물로부터 기판을 보호할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970067586A

公开(公告)日：1997-10-13

申请号：KR1019970010284

申请日：1997-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미 ,  가와카미야스노리 ,  박재훈 ,  간자와게이코 ,  가타노다카유키 ,  도시마다카유키 ,  가카즈유지

IPC: H01L21/027

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
기판의 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
고집적화 회로패턴을 가지는 반도체 디바이스의 제품수율을 향상시키고, 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기판의 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치를 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
공조된 프로세스영역 및 비프로세스영역을 가지는 레지스트 처리시스템내에서 기판을 레지스트처리하는 방법으로, 외부로부터 비프로세스영역내에서 기판을 반입하는 공정과, 기판에 레지스트를 도포하는 공정과, 도포레지스트를 노광처리하는 공정과, 노광된 포토레지스트를 현상처리하는 공정과, 레지스트 도포공정으로부터 현상처리공정까지의 사이에 적어도 1회는 도포레지스트를 열처리하는 공정과, 기판반입공정으로부터 현상처리 공정까지의 사이에 적어도 1회는, 레지스트 처리시스템내의 처리분위기중에 있어서 레지스트의 해상불량의 원인이 되는 알칼리성분의 농도를 검출하는 공정과, 레지스트의 해상불량을 일으키는 레지스트 처리시스템내의 처리분위기중의 알칼리성분농도의 문턱치를 설정하는 공정과, 알칼리성분농도의 검출치 문턱치에 의거하여 상기 처리공정 중 적어도 하나의 처리분위기를 제어하는 공정을 구비한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 웨이퍼와 같은 기판에 포토 레지스트를 도포, 노광하고, 현상하는 기판의 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치에 사용됨.

公开(公告)号：KR101976400B1

公开(公告)日：2019-05-09

申请号：KR1020130013546

申请日：2013-02-06

Applicant: 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모토이케나오토 ,  오모리가츠미 ,  하토도시아키 ,  야에가시히데타미 ,  오야마겐이치

IPC: G03F7/26 ,  H01L21/027

公开(公告)号：KR1020170076580A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：KR1020160174956

申请日：2016-12-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/32 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/32

Abstract: 본발명은, 미세한홀 패턴을형성할수 있는패턴형성방법을제공하는것을목적으로한다. 레지스트막에홀 패턴을형성하는패턴형성방법으로서, 피처리체상에레지스트막을형성하는레지스트막형성공정과, 명시야마스크를이용하여상기레지스트막을노광하는제1 노광공정과, 상기제1 노광공정후, 상기레지스트막에제1 현상액을공급하여네거티브형현상을행함으로써, 상기레지스트막의미노광부를제거하는제1 현상공정과, 상기제1 현상공정후, 상기레지스트막의측벽부를개질하는개질공정과, 상기개질공정후, 상기레지스트막에제2 현상액을공급하여포지티브형현상을행함으로써, 상기레지스트막의노광부를제거하는제2 현상공정을포함하고, 상기개질공정은, 상기제2 현상액에대한상기레지스트막의측벽부의용해성을작게하는처리를포함하는패턴형성방법에의해상기과제를해결한다.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种能够形成细孔图案的图案形成方法。 用于形成在抗蚀剂膜上的孔图案，使用抗蚀剂的抗蚀剂膜形成步骤的图案形成方法，用于在物体上形成膜的明场掩模具有用于曝光抗蚀剂膜的第一曝光步骤进行处理，第一曝光工艺之后 中，由第一显影步骤之后，执行通过供给第一显影剂到抗蚀剂膜的负型显影剂，和所述第一显影步骤和，重整去除抗蚀剂膜曝光区域的抗蚀剂膜侧壁的部分的重整步骤， 以及第二显影步骤，通过在重整步骤之后向抗蚀剂膜供应第二显影溶液进行正显影来去除抗蚀剂膜的曝光部分， 还有一种降低薄膜侧壁部分溶解度的方法。

公开(公告)号：KR1020150095590A

公开(公告)日：2015-08-21

申请号：KR1020150022170

申请日：2015-02-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L21/0274 ,  G03F7/2024 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67225 ,  H01L21/0273 ,  G03F7/20

Abstract: 본 발명은 LELE 프로세스보다도 적은 공정수로 원하는 미세 패턴을 얻을 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따르면, 피처리체 위에 감광제를 도포하는 도포 공정과, 제1 노광 마스크를 이용해서 감광제를 노광하는 제1 노광 공정과, 제1 노광 공정 후에 감광제에 제1 현상액을 이용해서 포지티브형의 현상을 행하는 제1 현상 공정과, 제1 현상 공정 후에 제2 노광 마스크를 이용해서 감광제를 노광하는 제2 노광 공정과, 제2 노광 공정 후에 감광제에 제2 현상액을 이용해서 네거티브형의 현상을 행하는 제2 현상 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种用于制造半导体器件的方法，其能够与LELE工艺相比获得具有较少数量工艺的所需精细图案。 根据本发明，提供了一种制造半导体器件的方法，其包括将敏化剂喷射到物体上的喷射方法，使用第一曝光掩模曝光敏化剂的第一曝光处理，进行阳性的第一显影处理 在第一曝光处理之后使用第一显影剂在敏化剂上显影，在第一显影处理之后使用第二曝光掩模曝光敏化剂的第二曝光工艺，以及使用第二显影剂在敏化剂上进行负显影的第二显影过程 在第二次曝光过程之后。