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公开(公告)号：KR101137382B1
公开(公告)日：2012-04-20
申请号：KR1020050078828
申请日：2005-08-26
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H05B33/26
Abstract: 본 발명은 유기 절연막을 이용하면서도 커패시터의 커패시턴스가 높은 평판 디스플레이 장치를 위하여, 기판과, 상기 기판 상에 배치된 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 동일 층 상에 배치되며 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극보다 더 두껍게 형성된 제 1 커패시터 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치를 제공한다.
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公开(公告)号：KR101108158B1
公开(公告)日：2012-01-31
申请号：KR1020090117074
申请日：2009-11-30
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: H01L27/3258 , H01L51/5237 , H01L2251/5346
Abstract: 본 발명은 외부로부터의 수분이나 산소 등의 침투를 방지하고 대형 표시장치에의 적용이 용이하며 양산성이 뛰어난 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 절연된 활성층, 및 상기 게이트 전극과 절연되고 상기 활성층에 콘택되는 소스 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터과, 상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 유기 발광 소자과, 상기 박막 트랜지스터와 유기 발광 소자의 사이에 개재된 절연층을 포함하고, 상기 절연층은, 상기 박막 트랜지스터를 덮는 제1절연층과, 상기 제1절연층 상에 금속 산화물로 구비된 제2절연층과, 상기 제2절연층 상에 금속 산화물 또는 금속 질화물로 구비된 제3절연층을 포함하는 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR101058113B1
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：KR1020090109704
申请日：2009-11-13
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L29/78633 , H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L27/3272 , H01L29/7869 , H01L51/5253
Abstract: 외부로부터의 오염에 대한 보호 능력을 향상하고 외광으로 인한 전기적 특성 저하를 방지할 수 있도록, 본 발명은 기판, 상기 기판 상에 형성된 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 절연되는 활성층, 상기 활성층과 전기적으로 연결되는 소스/드레인 전극, 상기 소스/드레인 전극상에 형성되는 제1 절연막, 상기 제1 절연막상에 형성되는 광차단층 및 상기 광차단층 상에 형성되는 제2 절연막을 포함하는 박막 트랜지스터 및 유기 발광 표시 장치를 제공한다.
Abstract translation: 从外部提高防止污染，并防止电特性的劣化，由于紫外光，本发明是基板，栅电极，其与所述栅电极绝缘的有源层，连接至所述有源层和电在基板上形成 的薄膜晶体管，并且包括形成在源/漏电极的第二绝缘膜，光阻挡层和形成在第一绝缘膜中的光阻挡层的有机发光显示装置，形成在源极/漏极电极上的第一绝缘层 等等。
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公开(公告)号：KR1020110060477A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：KR1020090117074
申请日：2009-11-30
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: H01L27/3258 , H01L51/5237 , H01L2251/5346 , H05B33/04
Abstract: PURPOSE: An organic light emitting display device and a manufacturing method thereof are provided to sufficiently protect an active layer comprised of an oxide semiconductor by improving a barrier effect of the active layer by an insulation layer. CONSTITUTION: A thin film transistor comprises a source electrode and a drain electrode in contact with an active layer. An organic light emitting device is electrically connected to the thin film transistor. An insulation layer(27) is interposed between the thin film transistor and the organic light emitting device. An insulation layer includes a first insulation layer(272), a second insulation layer(274), and a third insulation layer(276). The first insulation layer covers the thin film transistor. The second insulation layer made of metal oxide is formed on the first insulation layer. The third insulation layer is formed on the second insulation layer and is made of metal oxide or metal nitride.
Abstract translation: 目的：提供一种有机发光显示装置及其制造方法，通过提高绝缘层对有源层的阻挡效果，充分保护由氧化物半导体构成的有源层。 构成：薄膜晶体管包括与有源层接触的源电极和漏电极。 有机发光器件电连接到薄膜晶体管。 绝缘层（27）介于薄膜晶体管和有机发光器件之间。 绝缘层包括第一绝缘层（272），第二绝缘层（274）和第三绝缘层（276）。 第一绝缘层覆盖薄膜晶体管。 在第一绝缘层上形成由金属氧化物制成的第二绝缘层。 第三绝缘层形成在第二绝缘层上，由金属氧化物或金属氮化物制成。
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公开(公告)号：KR100963104B1
公开(公告)日：2010-06-14
申请号：KR1020080066002
申请日：2008-07-08
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 본 발명은 산소를 포함하는 화합물 반도체를 활성층으로 하는 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치에 관한 것으로, 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성된 게이트 전극, 게이트 절연막에 의해 게이트 전극과 절연되며 산소를 포함하는 화합물 반도체로 이루어진 활성층, 활성층 상부에 형성된 보호층, 및 활성층과 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며, 보호층이 산소와의 결합력을 갖는 무기물을 포함하는 산화물로 이루어진다.
화합물 반도체, 활성층, 보호층, 무기 산화물, 광 흡수Abstract translation: 本发明涉及一种薄膜晶体管，具有制造的方法，和含有氧作为活性层的化合物半导体的薄膜晶体管的平板显示装置，薄膜晶体管包括形成在基板上的栅极电极，通过栅极绝缘膜的绝缘栅电极 由包括源电极和与保护层接触的漏电极，以及形成在所述有源层上的有源层，所述有源层，上由含有氧，氧化物的，其包括具有与氧的结合力的无机材料的保护层的化合物半导体构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100963026B1
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：KR1020080062417
申请日：2008-06-30
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78606
Abstract: 본 발명은 산화물 반도체를 활성층으로 하는 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치에 관한 것으로, 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극, 소스 전극 및 드레인 전극과 일부 중첩되며 산화물 반도체로 이루어진 활성층, 게이트 절연층에 의해 활성층과 절연되는 게이트 전극 및 활성층의 상부면 및 하부면 중 적어도 일 면에 형성된 계면 안정화층을 포함하며, 계면 안정화층이 3.0 내지 8.0eV의 밴드갭을 갖는 산화물로 이루어진다. 산화물을 포함하는 계면 안정화층은 게이트 절연층 및 보호층과 동질성을 갖기 때문에 화학적으로 높은 계면 안정성을 유지하며, 활성층과 같거나 활성층보다 큰 밴드갭을 갖기 때문에 물리적으로 전하 트랩핑을 억제한다.
산화물 반도체, 활성층, 계면 안정화층, 밴드갭, 전하 트랩핑Abstract translation: 本发明涉及一种具有薄膜晶体管，其制造方法，以及氧化物半导体作为有源层的薄膜晶体管的平板显示装置，薄膜晶体管包括：形成在所述基板和漏电极，源电极和漏电极上形成源电极和部分重叠 由氧化物半导体制成的有源层，有源层和绝缘栅电极和形成的至少一个表面上的界面稳定层的有源层的上表面和下表面的，所述界面稳定层具有3.0的带隙到8.0eV是通过栅极绝缘层 据的具有氧化物形成。 包含氧化物的界面稳定层被保持在化学上高的界面稳定性，因为其具有的栅极绝缘层和所述保护层和亲和力，并且抑制电荷俘获在物理上是因为它具有更大的带隙比有源层，或相同的有源层。
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公开(公告)号：KR100962989B1
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：KR1020080002610
申请日：2008-01-09
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , G02F1/136
Abstract: 본 발명은 산화물 반도체를 활성층으로 하는 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치에 관한 것으로, 기판 상에 형성되며 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역과, 소스 영역 및 드레인 영역 표면부의 저항성 접촉영역을 포함하는 P형 산화물 반도체층, 채널 영역의 P형 산화물 반도체층과 중첩되며 게이트 절연막에 의해 P형 산화물 반도체층과 절연되는 게이트 전극 및 저항성 접촉영역을 통해 소스 영역 및 드레인 영역과 접촉되는 소스 및 드레인 전극을 포함하며, 저항성 접촉영역에 소스 및 드레인 전극보다 높고 P형 산화물 반도체보다 낮은 일함수를 갖는 금속 이온이 주입된다.
산화물 반도체, 산화아연, 일함수, 금속 이온, 저항성 접촉-
公开(公告)号：KR1020100015100A
公开(公告)日：2010-02-12
申请号：KR1020080076010
申请日：2008-08-04
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, a method of manufacturing the thin film transistor and a flat panel display device with the thin film transistor are provided to maintain a certain level of carrier concentration capable of maintaining a semiconductor characteristic. CONSTITUTION: An oxide semiconductor layer(18) is formed on a substrate(10). The oxide semiconductor layer includes a channel domain, a source domain and a drain domain. A gate electrode(14) is insulated with the oxide semiconductor layer by a gate insulating layer(16). A source electrode(20a)/a drain electrode(20b) is connected to the source/drain domain. The oxide semiconductor layer is made of the first thickness and the second thickness. The first thickness has the first carrier concentration. The second thickness has the second carrier concentration lower than the first carrier concentration.
Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管，制造薄膜晶体管的方法和具有薄膜晶体管的平板显示装置，以保持能够保持半导体特性的一定水平的载流子浓度。 构成：在基板（10）上形成氧化物半导体层（18）。 氧化物半导体层包括沟道域，源极畴和漏极区。 栅电极（14）通过栅极绝缘层（16）与氧化物半导体层绝缘。 源电极（20a）/漏电极（20b）连接到源/漏域。 氧化物半导体层由第一厚度和第二厚度制成。 第一厚度具有第一载流子浓度。 第二厚度的第二载流子浓度低于第一载流子浓度。
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公开(公告)号：KR1020100002504A
公开(公告)日：2010-01-07
申请号：KR1020080062418
申请日：2008-06-30
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908 , H01L29/78696 , G02F1/1368 , H01L27/3262 , H01L29/66742 , H01L29/78606
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, a manufacturing method and a flat panel display for including the thin film transistor, and the manufacturing method thereof and thin film transistor physically suppresses the charge trapping. CONSTITUTION: A gate electrode(12) is formed on a substrate(10). An active layer is insulated on a gate insulating layer by the gate electrode. The active layer is included of the oxide semiconductor. A source electrode and a drain electrode are connected to the active layer. An interface stabilization layer is formed in the upper side and lower surface of the active layer. It is included of the oxide having the interface stabilizing layer is the band gap of 8.0 to 3.0. The oxide semiconductor includes the zinc oxide.
Abstract translation: 目的：一种薄膜晶体管，制造方法和用于包括薄膜晶体管的平板显示器，其制造方法和薄膜晶体管物理地抑制电荷捕获。 构成：在基板（10）上形成栅电极（12）。 有源层通过栅电极在栅极绝缘层上绝缘。 活性层包括氧化物半导体。 源电极和漏极连接到有源层。 界面稳定层形成在有源层的上侧和下表面。 包含具有界面稳定层的氧化物的带隙为8.0〜3.0。 氧化物半导体包括氧化锌。
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公开(公告)号：KR1020090105558A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：KR1020080031090
申请日：2008-04-03
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/06 , H01L29/78696
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, a method of manufacturing the thin film transistor, and a flat panel display device with the thin film transistor are provided to apply an existing passivation film, thereby increasing compatibility of processes and equipment to reduce manufacturing costs. CONSTITUTION: A thin film transistor includes a substrate(10), a gate electrode(11), an oxide semiconductor layer(13), a source electrode(14a) and a drain electrode(14b). The gate electrode is formed on the substrate. The oxide semiconductor layer is insulated from the gate electrode by a gate insulating layer(12). The oxide semiconductor layer includes a channel region, a source region and a drain region. The source electrode and the drain electrode contacted with the source region and the drain region. The oxide semiconductor layer is made by GIZO layers with a double layer structure with different concentrations of indium.
Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管，制造薄膜晶体管的方法以及具有薄膜晶体管的平板显示装置以应用现有的钝化膜，从而增加工艺和设备的兼容性以降低制造成本。 构成：薄膜晶体管包括基板（10），栅电极（11），氧化物半导体层（13），源电极（14a）和漏电极（14b）。 栅电极形成在基板上。 氧化物半导体层通过栅极绝缘层（12）与栅电极绝缘。 氧化物半导体层包括沟道区，源极区和漏极区。 源电极和漏电极与源极区域和漏极区域接触。 氧化物半导体层由具有不同浓度铟的双层结构的GIZO层制成。
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