公开(公告)号：KR1020060034818A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：KR1020040083802

申请日：2004-10-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고용균

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/68707 ,  H01L21/67742

Abstract: 반도체 웨이퍼를 파지하여 운반할 수 있는 웨이퍼 운반용 지그에서, 일단부에 반도체 웨이퍼를 파지하기 위한 파지부를 각각 구비한 한 쌍의 제1 암이 서로 마주하여 평행하게 배치된다. 상기 제1 암들의 타단부들에 각각 결합하는 한 쌍의 제2 암은 상기 제1 암들의 타단부들로부터 서로 마주하는 방향으로 연장되어 있다. 상기 제2 암들은 덮개에 의해 감싸지고 상기 덮개와 힌지 결합한다. 상기 제2 암들의 단부들은 조절부재와 결합한다. 이때, 상기 제2 암들은 조절부재의 상하 이동에 의해 힌지축을 중심으로 이동 가능하도록 배치되고, 상기 제2 암들의 구동에 의해 상기 제1 암들은 오므라들거나 펼쳐지게 구동하여 상기 웨이퍼를 파지 또는 해제한다. 따라서, 상기 웨이퍼 운반용 지그를 사용하여 종래 자동 설비의 로봇 암이 수행하는 웨이퍼의 운반 작업을 수작업으로 손쉽고 안전하게 운반할 수 있다.

公开(公告)号：KR100562510B1

公开(公告)日：2006-03-21

申请号：KR1020040083688

申请日：2004-10-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이헌정 ,  박상오 ,  고용균 ,  전필권

IPC: H01L21/304

Abstract: 반도체기판의 세정/건조 공정에 사용되는 웨이퍼 가이드를 제공한다. 상기 웨이퍼 가이드는 반도체 웨이퍼들을 홀딩하는 주 웨이퍼 가이드(main wafer guide)와, 상기 주 웨이퍼 가이드보다 넓은 폭을 갖는 보조 웨이퍼 가이드(auxiliary wafer guide)를 포함한다. 상기 보조 웨이퍼 가이드는 상기 주 웨이퍼 가이드보다 넓은 보조 지지부(auxiliary supporter)와 상기 보조 지지부의 양 가장자리들 상에 각각 위치하여 상기 반도체 웨이퍼들을 추가로 홀딩하는 한 쌍의 평행한 웨이퍼 지지부들(wafer supporters)을 포함한다.
웨이퍼 가이드

公开(公告)号：KR100532200B1

公开(公告)日：2005-11-29

申请号：KR1020030011109

申请日：2003-02-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고용균 ,  손병우 ,  정종철

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/6715 ,  G01N1/02 ,  G01N1/4044 ,  G01N35/0099 ,  G01N2001/028 ,  G01N2033/0095 ,  G01N2035/00059 ,  Y10S134/902

Abstract: 반도체 기판 상에 잔류하는 불순물을 포집하기 위한 장치와 방법에 있어서, 회전척은 반도체 기판을 흡착하고 회전시킨다. 스캐닝 노즐의 하부면에 형성된 제1스캐닝 용액 방울은 반도체 기판의 상부면을 스캔하여 반도체 기판의 상부면으로부터 제1불순물을 포집한다. 구동 유닛에 의해 수직 방향으로 배치된 반도체 기판의 하부 에지 부위는 스캐닝 용기에 수용된 제2스캐닝 용액과 접촉된다. 회전척은 제2스캐닝 용액이 반도체 기판의 에지 부위로부터 제2불순물을 포집하도록 반도체 기판을 회전시킨다.

公开(公告)号：KR100447285B1

公开(公告)日：2004-09-07

申请号：KR1020020053631

申请日：2002-09-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고용균 ,  류재준 ,  이헌정 ,  전필권

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67034

Abstract: An apparatus for drying a substrate using an isopropyl alcohol vapor includes a container for receiving an isopropyl alcohol vapor to dry a plurality of substrates wherein an opening is vertically formed through an upper portion of the container to permit the loading and unloading of the substrates; a supporting member for supporting the plurality of substrates in the container in a vertical direction and for supporting the substrates side by side in a horizontal direction, wherein the supporting member extends through the container and through the opening; and a cover for obstructing a flow of clean air from flowing directly from an air cleaner disposed over the container into the container through the opening. In addition, the apparatus may include an inert gas supplying member to supply an inert gas onto the substrates to prevent native oxide films from forming on the substrates.

Abstract translation: 一种使用异丙醇蒸汽干燥衬底的设备包括：用于接收异丙醇蒸气以干燥多个衬底的容器，其中通过容器的上部竖直地形成开口以允许衬底的装载和卸载; 支撑部件，用于在垂直方向上支撑所述容器中的所述多个基板，并用于沿水平方向并排支撑所述基板，其中所述支撑部件延伸穿过所述容器并穿过所述开口; 以及用于阻止清洁空气流从设置在容器上方的空气清洁器通过开口直接流入容器的盖。 另外，所述设备可以包括惰性气体供应构件，以将惰性气体供应到基板上以防止在基板上形成自然氧化膜。

公开(公告)号：KR1020040009043A

公开(公告)日：2004-01-31

申请号：KR1020020042851

申请日：2002-07-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고용균 ,  이헌정 ,  전필권 ,  박상오 ,  전상문 ,  김진성 ,  임광신

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034

Abstract: PURPOSE: An apparatus for drying a semiconductor substrate by an azeotrope effect is provided to completely eliminate the moisture remaining on the front surface of a patterned semiconductor substrate by heating the semiconductor substrate that crosses an azeotrope layer and an organic solvent layer having a higher density than that of the azeotrope layer. CONSTITUTION: Liquid(5) is stored in a wet bath(1). A space is prepared over the liquid by a chamber(3) installed in the upper portion of the wet bath. A distributor(11) supplies organic solvent to the surface of the liquid in the wet bath to form the azeotrope layer(5a) on the liquid while forming the organic solvent layer(11a) on the azeotrope layer. A heater heats the organic solvent layer and the atmosphere over the organic solvent layer. A drying gas conduit(17) supplies dry gas to the inside of the chamber.

Abstract translation: 目的：提供一种通过共沸效应对半导体衬底进行干燥的装置，通过加热半导体衬底与半导体衬底相交，从而完全消除残留在图案化半导体衬底的表面上的水分，该半导体衬底穿过共沸层和具有比 共沸层的。 构成：将液体（5）储存在湿浴（1）中。 通过安装在湿浴的上部的室（3）在液体上制备空间。 分配器（11）在湿浴中向液体的表面提供有机溶剂，以在液体上形成共沸物层（5a），同时在共沸层上形成有机溶剂层（11a）。 加热器在有机溶剂层上加热有机溶剂层和大气。 干燥气体管道（17）将干燥气体供应到腔室的内部。

公开(公告)号：KR1020010084007A

公开(公告)日：2001-09-06

申请号：KR1020000008740

申请日：2000-02-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임광신 ,  임흥빈 ,  고용균

IPC: H01L21/3063

Abstract: PURPOSE: A close type etching chamber is provided to prevent a density change of an etching solution by condensing vapor of an etching solution. CONSTITUTION: An etching bath(32) stores an etching solution. A cover(34) is installed at an upper opening of the etching bath(32). The cover(34) has a trap structure for collecting the evaporated etching solution in an etching process. A heater(42) is installed within the etching bath(32) to heat the etching solution. A thermometer(46) measures a temperature of the etching solution. A temperature controller(44) heats the etching solution to a predetermined temperature by controlling the heater(42). A stirrer(52) stirs the etching solution within the etching bath(32). A bubbler(54) bubbles the etching solution to an inert gas. A condenser(62) condenses vapor of the etching solution.

Abstract translation: 目的：提供一种紧密型蚀刻室，以通过冷凝蚀刻溶液的蒸气来防止蚀刻溶液的密度变化。 构成：蚀刻槽（32）存储蚀刻溶液。 盖（34）安装在蚀刻槽（32）的上部开口处。 盖（34）具有用于在蚀刻工艺中收集蒸发的蚀刻溶液的捕获结构。 加热器（42）安装在蚀刻槽（32）内以加热蚀刻溶液。 温度计（46）测量蚀刻溶液的温度。 温度控制器（44）通过控制加热器（42）将蚀刻溶液加热至预定温度。 搅拌器（52）搅拌蚀刻槽（32）内的蚀刻溶液。 起泡器（54）将蚀刻溶液气泡至惰性气体。 冷凝器（62）冷凝蚀刻溶液的蒸汽。

公开(公告)号：KR1020010027005A

公开(公告)日：2001-04-06

申请号：KR1019990038560

申请日：1999-09-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박동진 ,  안승현 ,  임광신 ,  고용균

IPC: C09K13/00

CPC classification number: C09K13/00 ,  B81C1/0092 ,  H01L21/02057

Abstract: PURPOSE: An organic compound used for manufacturing semiconductor element is provided by excluding the use of acidic compounds for etching the surface. The compound makes possible to etch only copper without affecting other coat materials. CONSTITUTION: An organic compound used for manufacturing semiconductor element is characterized by including 5wt%-50wt% of hydroxylamine, 10wt%-80wt% of at least one alkanol amine, which can be miscible with the hydroxylamine, and about 30wt% of a compound selected from the following three compounds of formulae (1), (2) and (3): in the compound of formula (1), R1 and R2 is a group selected from H, t-butyl, OH or COOH; in the compound of formula (2), R3 is a group selected from either OH or COOH; and in the compound of formula (3), which is an ethylene diamine tetracarboxylic acid, each R4, R5, R6, and R7 is a group selected from H or NH4 or ammonium salts.

Abstract translation: 目的：通过排除使用用于蚀刻表面的酸性化合物来提供用于制造半导体元件的有机化合物。 该化合物使得只能蚀刻铜而不影响其它涂层材料成为可能。 构成：用于制造半导体元件的有机化合物的特征在于包括5重量％-50重量％的羟胺，10重量％-80重量％的至少一种可与羟胺混溶的链烷醇胺，和约30重量％的选自 由式（1），（2）和（3）的三种化合物组成：式（1）化合物中R 1和R 2为选自H，叔丁基，OH或COOH的基团; 在式（2）的化合物中，R 3是选自OH或COOH的基团; 在作为乙二胺四羧酸的式（3）化合物中，R 4，R 5，R 6和R 7为选自H或NH 4或铵盐的基团。

公开(公告)号：KR100278476B1

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019970076791

申请日：1997-12-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고용균

IPC: H01L21/304

Abstract: 밸브의 세정 방법이 개시되어 있다. 피세정 밸브를 탈이온수를 사용하는 1차 탈이온수 세정을 수행한 다음 사용하는 1차 케미컬 세정을 수행한다. 이어서, 2차 탈이온수 세정을 수행한 다음 2차 케미컬 세정을 수행하여 상기 피세정 밸브내에 존재하는 금속성 불순물의 입자수가 0.1ppb 이하가 되도록 제거한다. 이때 상기 2차 케미컬 세정에 사용한 제2 케미컬을 분석하여 상기 입자수가 0,1ppb 이하일 경우에는 3차 탈이온수 세정을 수행하여 상기 피세정 밸브내에 존재하는 금속성 불순물을 포함하는 잔류물을 제거하고, 상기 금속성 불순물의 입자수가 0.1ppb 이상일 경우에는 상기 2차 탈이온수 세정 이하를 반복하여 수행한다. 따라서, 테프론 밸브 등의 밸브 내부에 존재하는 불순물을 용이하게 제거함으로써 상기 테프론 밸브가 반도체 장치 제조 설비 등에 장착되어 오염원으로 작용하는 것을 예방할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019990016674A

公开(公告)日：1999-03-15

申请号：KR1019970039311

申请日：1997-08-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고용균 ,  길준잉 ,  전상문

IPC: C07B63/00 ,  C07B63/02

Abstract: 본 발명은 반도체용 화학약품의 정제방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 폐 이소프로필알콜의 재생공정시 수분을 효과적으로 제거하는 정제방법에 관한 것이다.
본 발명은, 상기 폐 이소프로필알콜에 함유된 이온을 제거하는 공정; 상기 이온 제거공정을 거친 후 금속성분을 제거하는 공정; 상기 금속성분 제거공정을 거친 후 수분을 제거하는 공정; 및 상기 수분 제거공정을 거친 후 파티클을 제거하는 공정을 순서적으로 수행하여 이루어진다.
따라서, 폐 이소프로필알콜의 재생시 종래기술 보다 효율적으로 수분제거를 하는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019980059242A

公开(公告)日：1998-10-07

申请号：KR1019960078579

申请日：1996-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고용균 ,  김태형

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명에 의한 반도체소자 제조용 케미컬의 품질 평가방법은, 측정하고자 하는 케미컬이 가득 채워진 일정 용량의 드럼을 냉동고에 넣어 소정 온도까지 결빙한 후 상기 드럼 내의 결빙된 케미컬 시료를 테스트하는 제 1 단계와, 상기 드럼을 항온조에 넣어 가열한 후 상기 드럼 내의 케미컬 시료를 테스트하는 제 2 단계로 이루어져, 1) 운송 계절이나 운송 방법에 따른 각 케미컬의 품질 변화를 정확하게 측정할 수 있어, 각 케미컬에 적합한 운송 조건에 맞추어 운송이 가능하게 되므로 케미컬 운송시 야기되는 케미컬의 오염도 증가 현상을 억제할 수 있게 되고, 2) 짧은 측정 기간(예컨대, 20일 내외) 내에 보다 신뢰성 있는 케미컬의 품질 변화 측정이 가능하며, 3) 극심한 온도 변화를 이용한 케미컬 시료의 제 1 및 제 2 테스트 작업을 통하여, 드럼 용기 표 면에서 용출되는 불순물의 용출 정도를 평가하는 것이 가능하게 되어, 각 케미컬 별로 적정 용기를 선정하여 보관할 수 있게 되므로 케미컬의 품질을 보다 우수하게 관리를 할 수 있게 된다.