-
公开(公告)号：KR1020060133364A
公开(公告)日：2006-12-26
申请号：KR1020050053175
申请日：2005-06-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/1206 , G06F3/1205 , G06F3/1211 , G06F3/1247
Abstract: An image processing device capable of rotating an image and a method thereof are provided to realize a fast processing speed and efficient memory use in rotation of the image selected by a user. A memory(110) stores printing data of the image to be printed. A setting part(120) fixes a rotation direction/angle of the image and a position in a printing area of the image based on user selection. A rotator(130) transforms the printing data to make the image rotated according to the determining rotation direction/angle and stores the transformed printing data to the memory by assigning an address to make the image arranged to the selected position.
Abstract translation: 提供能够旋转图像的图像处理装置及其方法，以实现由用户选择的图像的旋转中的快速处理速度和有效的存储器使用。 存储器（110）存储要打印的图像的打印数据。 设置部件（120）基于用户选择来固定图像的旋转方向/角度以及图像的打印区域中的位置。 旋转器（130）转换打印数据以使图像根据确定旋转方向/角度旋转，并通过分配地址将转换的打印数据存储到存储器中，以使得图像被布置到所选择的位置。
-
公开(公告)号：KR1020060123806A
公开(公告)日：2006-12-05
申请号：KR1020050045381
申请日：2005-05-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/283
CPC classification number: H01L21/76846 , H01L21/28518 , H01L21/76853 , H01L21/76877
Abstract: A method for manufacturing a stacked semiconductor device is provided to reduce erosion of a single crystalline silicon layer pattern by forming differently a lower metal silicide layer and a lateral metal silicide layer in the thickness. A plurality of interlayer dielectrics are formed on a single crystalline silicon substrate(100). A single crystalline silicon layer pattern(108a) is formed between the interlayer dielectrics. A contact hole for exposing a sidewall of the single crystalline silicon layer pattern and a part of the single crystalline silicon substrate is formed by etching sequentially the interlayer dielectrics. A first metal silicide layer(142) having a first thickness is formed on the exposed single crystalline silicon substrate. A second metal silicide layer(144) thinner than the first metal silicide layer is formed on a sidewall of the single crystalline silicon layer.
Abstract translation: 提供一种用于制造堆叠半导体器件的方法，以通过不同地形成厚度的下金属硅化物层和侧金属硅化物层来减少单晶硅层图案的侵蚀。 在单晶硅衬底（100）上形成多个层间电介质。 在层间电介质之间形成单晶硅层图案（108a）。 通过依次蚀刻层间电介质来形成用于暴露单晶硅层图案的侧壁和单晶硅衬底的一部分的接触孔。 在暴露的单晶硅衬底上形成具有第一厚度的第一金属硅化物层（142）。 在单晶硅层的侧壁上形成比第一金属硅化物层薄的第二金属硅化物层（144）。
-
公开(公告)号：KR1020060111271A
公开(公告)日：2006-10-26
申请号：KR1020050033530
申请日：2005-04-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/12
Abstract: An image processing device equipped with an image rotation function and an image rotating method thereof are provided to quickly rotate an image and perform other operations while performing the operation related to the image rotation. A memory(100) stores image data matched with one image. A reception DMA(Direct Memory Access) part(150) loads the image data in a block unit comprising the fixed number of pixel data by directly accessing the memory. An image rotating part(170) rotates the loaded image data by the block unit. A transmitting DMA part(190) directly accesses and stores the image data processed in the image rotating part to the memory. The image rotation part includes a reception buffer(171) temporarily storing the image data loaded from the memory by the block unit, a rotation processor(173) rotating an arrangement state of the image data according to the size of the pixel data from the block, and a transmitting buffer(175) temporarily storing the rotated image data.
Abstract translation: 提供具有图像旋转功能和图像旋转方法的图像处理装置，以在执行与图像旋转相关的操作的同时快速旋转图像并执行其他操作。 存储器（100）存储与一个图像匹配的图像数据。 接收DMA（直接存储器访问）部分150通过直接访问存储器以包括固定数量的像素数据的块单元加载图像数据。 图像旋转部（170）通过块单元使加载的图像数据旋转。 发送DMA部分（190）直接访问并存储在图像旋转部分中处理的图像数据到存储器。 图像旋转部分包括暂时存储由块单元从存储器加载的图像数据的接收缓冲器（171），旋转处理器（173）根据来自块的像素数据的大小旋转图像数据的布置状态 以及临时存储旋转的图像数据的发送缓冲器（175）。
-
公开(公告)号：KR1020060070799A
公开(公告)日：2006-06-26
申请号：KR1020040109410
申请日：2004-12-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03G15/10
CPC classification number: G03G15/104 , G03G2215/0658 , G03G15/0121 , G03G21/0088
Abstract: 본 발명의 습식 화상형성장치의 현상제 카트리지는, 현상제를 공급하기 위한 공급구를 가지며, 내부에 상기 현상제가 수용되는 카트리지 본체와; 상기 본체 내에 설치되어 카트리지 본체 내부의 액체토너의 분산 상태를 향상시켜 주고, 상기 공급구로 향하는 현상제의 슬러지를 걸러내는 필터;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
현상제, 카트리지, 필터, 토너 슬러지Abstract translation: 一种用于湿式图像形成装置的显影剂盒，包括其中存储有显影剂的盒体。 盒体具有形成在其上的供应孔，以将暗盒中的显影剂供应到图像形成装置。 过滤器设置在盒体中以改善显影剂的分散，并且在显影剂流入供应孔之前过滤污泥。
-
公开(公告)号：KR1020060060176A
公开(公告)日：2006-06-05
申请号：KR1020040099082
申请日：2004-11-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/91 , H01L27/10852
Abstract: 반도체 메모리 소자의 커패시터 하부 전극 형성 방법이 개시된다. 그러한 커패시터 하부 전극 형성 방법은 몰드 옥사이드층이 적어도 하나 이상의 단차를 갖게 식각되어져 복수 개의 식각 홀이 실린더 구조로 형성되는 단계, 상기 복수 개의 식각 홀의 전 표면에 도전막 및 희생 산화막이 순차적으로 증착된 후 상기 복수 개의 식각 홀의 상부가 식각되어 상기 몰드 옥사이드층의 상부 및 상기 희생 산화막의 상부가 노출되는 단계, 상기 희생 산화막이 식각되어지는 것을 방지하기 위해 상기 몰드 옥사이드층의 상부 및 상기 희생 산화막의 상부에 마스크가 형성되는 단계, 상기 몰드 옥사이드층 상부의 마스크 및 상기 몰드 옥사이드층이 식각되는 단계 및 상기 희생 산화막 상부의 마스크 및 상기 희생 산화막이 식각되는 단계를 포함한다. 그리하여 본 발명은 개선된 커패시터 하부 전극 형성 방법을 제공함으로써, 희생 산화막이 몰드 옥사이드보다 먼저 식각됨으로 인하여 커패시터 하부 전극의 하부 층간 절연막을 식각하게 되는 과도 식각 현상을 감소 또는 최소화하는 효과가 있다.
커패시터, 실린더 구조, 과도 식각, 골뱅이, 리닝 홀, 눈썹 결함-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060059306A
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：KR1020040098198
申请日：2004-11-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: B05B7/222 , H01J37/32522 , H01J37/32935 , H01L21/67069
Abstract: 본 발명은 플라즈마 공정장비의 뷰포트 구조에 관한 것으로, 챔버 벽면에서 접지의 연속성을 확보하여 공정의 균일성을 향상시키기 위한 것이다.
본 발명에 따른 플라즈마 공정장비의 뷰포트(200)에는 챔버 벽면(100)에 전기적으로 접속되어 있는 그라운드 커버(230)가 구비되고, 이 그라운드 커버(230)는 챔버 벽면(100)과 접촉하는 면이 베어면(231a,231b)으로 구성되어 있다. 따라서 뷰포트(200) 근방에서 접지의 연속성이 유지되고, 챔버(100) 내부의 전기장 및 플라즈마 분포가 균일하게 된다.
플라즈마 공정장비, 뷰포트, 접지Abstract translation: 本发明涉及等离子体处理设备的视口结构，并且旨在确保腔室壁表面处的接地的连续性以改进处理均匀性。
-
公开(公告)号：KR1020060058359A
公开(公告)日：2006-05-30
申请号：KR1020040097363
申请日：2004-11-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H01L28/90 , H01L27/0207 , H01L27/10852 , H01L28/75
Abstract: 고유전율을 갖는 커패시터 및 그 제조에서, 커패시터는 실린더형의 하부 전극과, 상기 하부 전극의 표면을 따라 금속 산화물로 이루어진 유전막이 구비된다. 또한, 상기 유전막의표면을 따라 제1 스트레스를 갖는 제1 금속 질화물로 이루어지는 제1 상부 전극과, 상기 제1 상부 전극의 상부 표면과 상기 실린더 입구 부위에 연속적으로 구비되고, 상기 제1 스트레스와 반대 타입의 제2 스트레스를 갖는 제2 금속 질화물로 이루어지는 제2 상부 전극으로 이루어지는 상부 전극이 구비된다. 상기 커패시터는 고유전율을 가지면서 상부 전극의 크랙 발생이 최소화되어 커패시턴스가 증가되고 누설 전류 특성이 우수하다.
-
公开(公告)号：KR1020060041107A
公开(公告)日：2006-05-11
申请号：KR1020040090589
申请日：2004-11-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67126 , H01L21/6719
Abstract: 반도체 공정을 진행하기 위한 진공챔버와 진공챔버를 개폐하기 위한 개폐유닛을 구비한 반도체 제조용 공정챔버에 있어서, 상기 개폐유닛을 상기 진공챔버에 수직으로 안착시킴으로써, 오링의 손상이 없어지고, 진공챔버의 기밀의 유지가 쉬워진다.
또한, 개폐유닛이 지지부를 중심으로 회전가능함으로써, 챔버의 부품교환이나 청소시에 진공챔버의 개구부가 완전개방되어 부품교환과 청소가 용이하다.Abstract translation: 一种用于半导体制造的处理室，包括用于执行半导体处理的真空室和用于打开和关闭真空室的打开和关闭单元，其中所述打开和关闭单元竖直地安装在真空室上， 维护机密性变得容易。
-
公开(公告)号：KR100541461B1
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：KR1020040083718
申请日：2004-10-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
Abstract: 본 발명은, 스테이지장치에 관한 것으로서, 베이스와; 상기 베이스에 대해 상대 이동가능하게 마련된 스테이지와; 상기 베이스에 대해 상기 스테이지를 상대 이동시키도록 마련된 복수의 구동유닛을 포함하며, 상기 각 구동유닛은, 상기 베이스에 대해 상기 스테이지방향으로 이동가능하게 마련된 제1영역과, 상기 제1영역의 이동방향에 수직한 방향으로 이동가능하게 마련된 제2영역을 갖는 링크와; 상기 링크의 제1영역이 상기 스테이지를 이동시키도록 상기 링크의 제2영역을 이동시키는 링크구동부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 스테이지장치의 전체크기를 용이하게 줄일 수 있다.
Abstract translation: 舞台装置技术领域本发明涉及一种舞台装置，其包括：基座; 设置成可相对于基座移动的台; 以及多个驱动单元，所述多个驱动单元设置成使所述台相对于所述基座相对移动，其中，每个所述驱动单元包括：第一区域，所述第一区域可沿所述台的方向相对于所述基座移动; 第二区域，该第二区域在与第一方向垂直的方向上可移动; 以及连杆驱动单元，其移动连杆的第二区域，使得连杆的第一区域移动平台。 因此，舞台装置的整体尺寸可以容易地减小。
-
公开(公告)号：KR1020050102800A
公开(公告)日：2005-10-27
申请号：KR1020040028074
申请日：2004-04-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03G9/12
Abstract: 액체 토너 조성물이 개시된다. 본 액체 토너 조성물은 착색제, 오가노졸, 대전 제어제 및 캐리어 액체를 포함하고,상기 오가노졸은 상기 캐리어 액체에 불용성인 열가소성 (코)폴리머 코아와, 상기 열가소성 (코)폴리머 코아에 공유 결합되어 있는 (코)폴리머 그래프트 안정제를 포함하며, 상기 (코)폴리머 그래프트 안정제는 상기 캐리어 액체에 가용성인 모노머와 상기 (코)폴리머 코아용 모노머를 중합한 고분자 물질인 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 전자사진용 화상형성장치에 있어서 감광체 및 전사체의 클리닝이 성능을 향상시킬 수 있고, 구동시 마찰력에 의한 과부하를 방지할 수 있는 액체 토너 조성물을 제공할 수 있는 효과가 있다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
166
records
(took 0.028 seconds)
