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公开(公告)号：KR101881063B1
公开(公告)日：2018-07-25
申请号：KR1020110132956
申请日：2011-12-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L21/76892 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05023 , H01L2224/05171 , H01L2224/05568 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/1132 , H01L2224/11849 , H01L2224/13006 , H01L2224/13007 , H01L2224/13012 , H01L2224/13016 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552
Abstract: 범프의제조방법이개시된다. 본발명의실시예에따른범프의제조방법은반도체소자에구비된전극패드상에범프를형성하는단계및 범프가형성된반도체소자를산소분위기에서리플로우(reflow)하여범프의형태를제어하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR101874587B1
公开(公告)日：2018-07-04
申请号：KR1020170123366
申请日：2017-09-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/0025 , H01L33/005 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
Abstract: 반도체발광소자및 그제조방법이개시된다. 개시된반도체발광소자는, 기판상에순차적으로적층된제1전극층, 제1절연층, 제2전극층, 제2반도체층, 활성층및 제1반도체층과, 상기제1전극층의일부영역상에형성된제1전극패드와, 상기제1전극층의나머지영역상으로형성된제2절연층과, 상기제2전극층상에서상기제2절연층상으로연장된제2전극패드와, 상기기판을관통하여상기제1전극패드와전기적으로연결된제1콘택과, 상기기판을관통하여상기제2전극층과통전하는제2콘택;을구비하며, 상기제1전극층은상기제2전극층, 제2반도체층및 활성층을관통하는콘택홀을채워서상기제1반도체층과전기적으로연결되며, 상기제1절연층은상기콘택홀의내주를감싸도록형성되어상기제1전극층을상기제2전극층으로부터절연한다
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公开(公告)号：KR1020170115026A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：KR1020170123366
申请日：2017-09-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/0025 , H01L33/005 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
Abstract: 반도체발광소자및 그제조방법이개시된다. 개시된반도체발광소자는, 기판상에순차적으로적층된제1전극층, 제1절연층, 제2전극층, 제2반도체층, 활성층및 제1반도체층과, 상기제1전극층의일부영역상에형성된제1전극패드와, 상기제1전극층의나머지영역상으로형성된제2절연층과, 상기제2전극층상에서상기제2절연층상으로연장된제2전극패드와, 상기기판을관통하여상기제1전극패드와전기적으로연결된제1콘택과, 상기기판을관통하여상기제2전극층과통전하는제2콘택;을구비하며, 상기제1전극층은상기제2전극층, 제2반도체층및 활성층을관통하는콘택홀을채워서상기제1반도체층과전기적으로연결되며, 상기제1절연층은상기콘택홀의내주를감싸도록형성되어상기제1전극층을상기제2전극층으로부터절연한다
Abstract translation: 公开了一种半导体发光器件及其制造方法。 发射器件所公开的半导体光，首先形成在堆叠的所述第一电极层上的顺序的一部分，第一绝缘层，第二电极层，第二半导体层，有源层和第一半导体层和所述基板上的第一电极层 第一电极焊盘，形成在第一电极层的剩余区域上的第二绝缘层，在第二电极层上的第二绝缘层上延伸的第二电极焊盘， 以及第二接触件，通过所述衬底电连接到所述第二电极层，其中所述第一电极层包括贯穿所述第二电极层，所述第二半导体层和所述有源层的接触孔， 并且，第一绝缘层形成为包围接触孔的内周，以使第一电极层与第二电极层绝缘
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公开(公告)号：KR1020150000676A
公开(公告)日：2015-01-05
申请号：KR1020130073090
申请日：2013-06-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/56 , H01L27/153 , H01L33/0095 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/60 , H01L2933/0016 , H01L2933/0033 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066
Abstract: 본 발명의 일 실시형태는, 복수의 발광소자를 위한 반도체 적층체가 형성된 웨이퍼를 마련하는 단계 - 상기 반도체 적층체의 각 발광소자 영역에 전극이 배치됨 -와, 상기 반도체 적층체 중 상기 전극이 배치된 면에 경화성 수지를 적용하는 단계와, 상기 경화성 수지를 경화시켜 상기 반도체 적층체를 위한 지지 구조물을 형성하는 단계와, 상기 전극이 노출되도록 상기 지지 구조물에 관통홀을 형성하는 단계와, 상기 관통홀에 노출된 전극과 접속되도록 상기 지지 구조물에 연결 전극을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 패키지 제조방법을 제공한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，本发明涉及一种半导体发光器件封装的制造方法，包括以下步骤：将形成有半导体层叠体的晶片配置在多个发光器件上; 在半导体层叠体中在其上设置电极的表面上施加硬化树脂，其中电极设置在半导体层叠层的每个发光器件区域上; 通过硬化所述硬化树脂来形成用于所述半导体层叠层的成形支撑结构; 在所述支撑结构上形成穿透孔以暴露所述电极; 以及在所述支撑结构上形成连接到暴露于所述穿透孔的电极的连接电极。 本发明通过简化整个过程来提高包装的生产率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101406067B1
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：KR1020110104223
申请日：2011-10-12
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/48091 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 발광장치의 제조 방법 및 발광소자 모듈의 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 발광장치의 제조 방법은 발광소자를 복수 개 제조하는 단계, 발광소자를 실장하기 위한 복수 개의 실장 영역을 포함하는 예비 형광체 시트를 제조하는 단계, 예비 형광체 시트 내에 접착제를 도포하는 단계, 복수 개의 실장 영역 각각에 발광소자를 실장하는 단계 및 발광소자가 실장된 예비 형광체 시트를 칩 단위로 절단하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020130042154A
公开(公告)日：2013-04-26
申请号：KR1020110106294
申请日：2011-10-18
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/44 , H01L2224/16225
Abstract: PURPOSE: A light emitting device and a manufacturing method thereof, and a light emitting device module using the same are provided to improve heat dissipation efficiency using a first and a second bump. CONSTITUTION: A first electrode(130) is formed in the exposed region of a first semiconductor layer(121). A second electrode(140) is formed in a second semiconductor layer(123). A passivation layer exposes the first region of the first electrode and the first region of the second electrode. A first bump is formed in the first region including the first electrode. A second bump is formed in the second region including the second electrode.
Abstract translation: 目的：提供发光器件及其制造方法以及使用其的发光器件模块，以使用第一和第二凸块提高散热效率。 构成：第一电极（130）形成在第一半导体层（121）的暴露区域中。 第二电极（140）形成在第二半导体层（123）中。 钝化层暴露第一电极的第一区域和第二电极的第一区域。 在包括第一电极的第一区域中形成第一凸块。 在包括第二电极的第二区域中形成第二凸块。
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公开(公告)号：KR1020130022121A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：KR1020110084894
申请日：2011-08-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/13357 , G02F1/1333
CPC classification number: G02B6/0021 , G02F1/133615 , H01L33/58
Abstract: PURPOSE: A backlight unit is provided to have slim thickness by using a cob type light emitting device module. CONSTITUTION: An LED module(120) includes at least one COB(Chip On Board) type light emitting device chip(122) mounted on a substrate(121). The light entry surface(130a) of a light guide plate(130) receives the light emitted from the light emission surface of the light emitting device chip. The light entry surface includes at least one insertion groove(131) for the light emitting device chip.
Abstract translation: 目的：通过使用芯棒型发光器件模块，提供背光单元以使其厚度变薄。 构造：LED模块（120）包括安装在基板（121）上的至少一个COB（板上芯片）型发光器件芯片（122）。 导光板（130）的光入射表面（130a）接收从发光器件芯片的发光表面发射的光。 光入射表面包括用于发光器件芯片的至少一个插入槽（131）。
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公开(公告)号：KR1020120083663A
公开(公告)日：2012-07-26
申请号：KR1020110004925
申请日：2011-01-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/62 , H01L24/11 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L2224/0401 , H01L2933/0016
Abstract: PURPOSE: Bumps for light emitting device and fabrication method thereof are provided to reduce processing steps and costs by directly forming bumps with a UBM layer on a metal pad of an emitting element including Ti group metal materials. CONSTITUTION: An emitting element (110) where a transparent substrate (111), first semiconductor layer (112), active layer (113), and second semiconductor layer (114) are includes electrode pads (115,116,117) including Ti group metal materials. A passivation layer(120) is formed to expose an electrode pad on the emitting element. A bump(130) which is either a shoulder or cupper pillar bump is formed on the exposed electrode pad through the passivation layer.
Abstract translation: 目的：提供用于发光器件的冲击件及其制造方法，以通过在包括Ti族金属材料的发光元件的金属焊盘上直接与UBM层形成凸块来减少加工步骤和成本。 构成：透明基板（111），第一半导体层（112），有源层（113）和第二半导体层（114）的发光元件（110）包括包括Ti族金属材料的电极焊盘（115,116,117）。 形成钝化层（120）以暴露发射元件上的电极焊盘。 通过钝化层在暴露的电极焊盘上形成凸起（130），其是肩部或杯形突起。
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公开(公告)号：KR1020110130757A
公开(公告)日：2011-12-06
申请号：KR1020100050235
申请日：2010-05-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: PURPOSE: An individualization method and an individualization apparatus of an LED package are provided to reduce the repairing time of a cut surface by reducing the breakage of the cut surface. CONSTITUTION: An individualization method of an LED package is as follows. A wafer, in which multiple Light Emitting Diode packages are arranged is prepared(S300). The top of the wafer is diced by allowing a first laser generator arranged on the wafer to irradiate a laser along boundaries of the LED packages(S310). The bottom of the wafer is diced by allowing a second laser generator arranged on the wafer to irradiate a laser along the boundaries of the LED packages(S320).
Abstract translation: 目的：提供LED封装的个性化方法和个性化装置，通过减少切割表面的断裂来减少切割表面的修复时间。 构成：LED封装的个性化方法如下。 准备配置有多个发光二极管封装的晶片（S300）。 通过允许布置在晶片上的第一激光发生器沿着LED封装的边界照射激光来切割晶片的顶部（S310）。 通过允许布置在晶片上的第二激光发生器沿着LED封装的边界照射激光来切割晶片的底部（S320）。
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