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公开(公告)号：KR1020050118967A
公开(公告)日：2005-12-20
申请号：KR1020040044132
申请日：2004-06-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04H60/73 , H04H20/16 , H04H2201/20
Abstract: 본 발명에 따라 MOT 데이터 복호 방법 및 장치가 개시된다.
본 발명에 따른 MOT 데이터 복호 방법은, MOT 객체의 데이터가 하나 이상의 조각으로 분할된 청크 단위 데이터를 포함하는 청크 데이터 및 상기 청크 단위 데이터에 관한 정보를 담고 있는 MOT 파일 디렉토리를 수신하는 단계와, 상기 MOT 파일 디렉토리에 포함된 정보를 이용하여 상기 청크 단위 데이터를 디코드하는 단계를 포함한다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 방송 서비스에 있어서 대용량의 미디어 메타 파일을 에러에 강하고 시간적으로 유리하게 전송함으로써 수신단에서 전송된 데이터의 디코드시 에러에 강인하게 하고 데이터를 랜덤하게 액세스하여 실시간으로 랜더링할 수 있게 된다.-
公开(公告)号：KR1020050117829A
公开(公告)日：2005-12-15
申请号：KR1020040043074
申请日：2004-06-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B1/40
CPC classification number: H04H60/33 , H04H60/13 , H04H60/44 , H04H60/65 , H04H2201/20 , H04N21/42201
Abstract: 사용자의 신체상태를 반영하여 그에 맞는 서비스를 자동으로 선택하는 방법, 장치 및 자동선택기능이 부가된 사용자 단말이 개시된다. 본 발명에 따라, 사용자의 생체정보 측정결과에 따라서 사용자 단말에서 수신되는 서비스를 자동으로 선택하는 방법은 (a) 사용자의 생체정보를 측정하는 단계; (b) 일정시간동안 사용자 입력이 들어오지 않으면, 상기 측정된 생체정보와 미리 저장된 생체정보를 비교하여 사용자의 신체상태를 판단하는 단계; (c) 상기 판단된 신체상태에 따라, 상기 수신되는 서비스들 중 하나의 서비스를 선택하고 그에 대응되는 동작을 수행하는 단계; 및 (d) 상기 측정된 생체정보를 반영하여 상기 저장된 생체정보를 갱신하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 사용자가 운전중이거나 조작을 할 수 없는 경우에도 사용자의 신체상태에 따라 서비스를 자동으로 선택할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020050114753A
公开(公告)日：2005-12-06
申请号：KR1020040039809
申请日：2004-06-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04H60/13 , H04H2201/20 , H04H60/48
Abstract: A method and apparatus for receiving information regarding the displaying of a service in a digital audio broadcasting (DAB) receiver via a fast information channel and for controlling the displaying of the service on the DAB receiver are provided. The method includes receiving a digital audio broadcasting transmission frame and parsing information regarding a sub channel and a service component related to a service selected by a user, and obtaining information required to display the selected service by parsing information from a channel that is differentiated from a data service channel. Accordingly, it is possible to display various types of services regardless of the DAB receiver used, thereby allowing effective use of a user interface.
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公开(公告)号：KR1020150145854A
公开(公告)日：2015-12-31
申请号：KR1020140075099
申请日：2014-06-19
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F21/6218 , G06F21/72 , G06F21/805 , G06F21/85 , G06F2221/2107
Abstract: 저장장치를제어하는호스트컨트롤러는, 시스템메모리와통신하는시스템메모리인터페이스, 저장장치와통신하는저장장치인터페이스, 시스템메모리로부터저장장치에기입되는데이터를암호화하는암호화부, 및프로세서에의해제공된커맨드를분석하여상기커맨드로부터파일암호화정보및 디스크암호화정보를추출하고, 파일암호화정보에기초하여파일암호화동작을선택적으로수행하도록암호화부를제어하고, 디스크암호화정보에기초하여디스크암호화동작을선택적으로수행하도록암호화부를제어하는제어부를포함한다. 이에따라, 호스트컨트롤러가파일암호화기능및 디스크암호화기능을지원하므로, 저장장치의보안이강화될수 있다.
Abstract translation: 一种用于控制存储装置的主机控制器，包括：用于与系统存储器通信的系统存储器接口; 用于与存储装置通信的存储装置接口; 编码单元，用于对从系统存储器写入存储装置的数据进行编码; 以及控制单元，用于分析由处理器提供的命令以从命令中提取文件编码信息和盘编码信息，控制编码单元基于文件编码信息选择性地执行文件编码操作，并且选择性地控制编码单元 基于盘编码信息执行盘编码操作。 因此，主机控制器支持精细编码功能和盘编码功能，并且可以增强存储装置的安全性。
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公开(公告)号：KR101177278B1
公开(公告)日：2012-08-24
申请号：KR1020070100889
申请日：2007-10-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C2211/5621 , G11C2211/5648
Abstract: 비휘발성 메모리 셀 프로그래밍 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 셀의 프로그래밍 방법은, 제1 및 제2프로그래밍 단계, 제3프로그래밍 단계 및 제4 및 제5프로그래밍 단계를 구비한다. 제1 및 제2프로그래밍 단계는, 프로그래밍 대상 데이터의 제1비트와 제2비트 값에 따라, 상기 비휘발성 메모리 셀의 문턱 전압이 제1 내지 제4문턱 전압 분포들 중에서 하나의 문턱 전압 분포에 속하도록 프로그래밍 한다. 제3프로그래밍 단계는, 상기 데이터의 제3비트 값에 따라, 상기 제1비트와 상기 제2비트에 따른 문턱 전압을 그대로 유지시키거나 또는 상기 비휘발성 메모리 셀의 문턱 전압이 제5 내지 제8문턱 전압 분포들 중에서 사전에 정해진 하나의 문턱 전압 분포에 속하도록 프로그래밍 한다. 제4 및 제5프로그래밍 단계는, 상기 제1비트와 상기 제2비트 값에 따라, 상기 비휘발성 메모리 셀의 문턱 전압이 상기 제5 내지 제8문턱 전압 분포들 중에서 하나의 문턱 전압에 속하도록 프로그래밍 한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101149675B1
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：KR1020050127073
申请日：2005-12-21
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박주희
IPC: H04B1/40
Abstract: An apparatus and a method for providing a preview function of a web page in a mobile communication terminal are provided to enable a user to previously determine the URL address of a web page stored in the mobile terminal and the URL address registered in the list of a book mark. A web page preview data generator creates web page preview data when a user adds a present web page to a bookmark. A memory part stores the created web page preview data. A controller creates and stores the web page preview data. The controller displays at least one stored web page preview data according to preview display setting when a user selects a web page preview function. The preview display setting is about the number of preview data displayed on one screen of a display of the mobile terminal.
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公开(公告)号：KR1020090039063A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：KR1020070104475
申请日：2007-10-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/24 , G11C16/26
Abstract: A non-volatile memory device is provided to sense a bit lien voltage by using a sensing transistor having a high threshold voltage. A sensing circuit(300) determines the erase state or the programming condition of a target memory cell transistor. A sensing circuit comprises a sensing transistor(360) and a gate receiving the voltage of a bit line while having high threshold voltage. The threshold voltage of the sensing transistor is lower than the voltage applied to the bit line for reading connected to the transistor of the target memory cell. The threshold voltage of the sensing transistor is higher than the saturation voltage level of the bit line for reading. The sensing transistor is turned on the erase state of the transistor of the target memory cell transistor.
Abstract translation: 提供非易失性存储器件以通过使用具有高阈值电压的感测晶体管来感测位留置电压。 感测电路（300）确定目标存储单元晶体管的擦除状态或编程状态。 感测电路包括感测晶体管（360）和接收位线的电压同时具有高阈值电压的栅极。 感测晶体管的阈值电压低于施加到连接到目标存储器单元的晶体管的读取位线的电压。 感测晶体管的阈值电压高于用于读取的位线的饱和电压电平。 感测晶体管导通目标存储单元晶体管的晶体管的擦除状态。
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公开(公告)号：KR1020090035871A
公开(公告)日：2009-04-13
申请号：KR1020070100889
申请日：2007-10-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C2211/5621 , G11C2211/5648
Abstract: A programming method of non-volatile memory cell is provided to program the data more than 3 bit without using a complicated programming process. In the first and second programming levels(1,2-1,2-2), the threshold voltage of the nonvolatile memory cell belongs to one threshold voltage distribution among the first to fourth threshold voltage distributions(D1~D4) according to the first and second bit values of programming object data. In the third programming level(3-1~3-4), the threshold voltage of the nonvolatile memory cell maintains the threshold voltage at the first and second programming level according to the third bit value of data.
Abstract translation: 提供了一种非易失性存储单元的编程方法，用于在不使用复杂编程过程的情况下对3位以上的数据进行编程。 在第一和第二编程电平（1,2-1,2-2）中，非易失性存储单元的阈值电压属于第一至第四阈值电压分布（D1〜D4）中的一个阈值电压分布， 和编程对象数据的第二位值。 在第三编程电平（3-1〜3-4）中，非易失性存储单元的阈值电压根据数据的第三位值将阈值电压维持在第一和第二编程电平。
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公开(公告)号：KR100878528B1
公开(公告)日：2009-01-13
申请号：KR1020020041579
申请日：2002-07-16
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박주희
IPC: G11B27/02
Abstract: 본 발명은 동영상편집방법 및 그 장치에 관한 것으로, (a) 동영상파일을 입력받아 동영상의 프레임 인덱스를 생성하는 단계;(b) 동영상편집모드에서 사용자가 선택한 프레임에 대한 프레임인덱스의 범위를 계산하는 단계;(c) 프레임인덱스의 범위 내에 포함되는 프레임의 데이터를 독출하여 디코딩하고 캐쉬에 저장하는 단계; (d) 사용자가 선택한 프레임의 데이터를 디스플레이하여 편집하는 단계를 포함함으로써, list의 저장 단위에 미디어 데이터뿐만 아니라 파일 인덱스와 프레임 인덱스가 있으므로 프레임 구분이 가능하여 검색에 용이하고 캐쉬에 현재 화면의 프레임과의 인덱스 관계가 멀다면 바로 삭제하여 메모리 리소스를 절약할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020080111735A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：KR1020070060051
申请日：2007-06-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/7881 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L29/42336 , H01L21/28273
Abstract: A non-volatile memory device and a manufacturing method thereof is provided to improve operating dependability by reducing the leakage current of a non-volatile memory device as side wall channel regions are effective for a body structure and thin channel length increment. A non-volatile memory device comprises a semiconductor substrate(105), a floating gate electrode(140), and a control gate electrode(150). The semiconductor substrate comprises a pair of side wall channel regions(125a,125b) which are arranged upward and faced. The floating gate electrode fills up interval between a pair of side wall channel regions. The floating gate electrode is protruded on the semiconductor substrate. The control gate electrode is arranged on the semiconductor substrate in order to cover a portion of the floating gate electrode.
Abstract translation: 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法，通过减小非易失性存储器件的泄漏电流来提高操作可靠性，因为侧壁通道区域对于身体结构和细沟道长度增量是有效的。 非易失性存储器件包括半导体衬底（105），浮栅电极（140）和控制栅电极（150）。 半导体衬底包括一对侧壁通道区域（125a，125b），它们向上并面对。 浮栅电极填满一对侧壁通道区域之间的间隔。 浮栅电极突出在半导体衬底上。 控制栅电极设置在半导体衬底上以覆盖浮栅电极的一部分。
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