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公开(公告)号：KR1020160096056A
公开(公告)日：2016-08-12
申请号：KR1020160096028
申请日：2016-07-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 배병재 , 김성훈 , 한성만 , 반리에샤우트게르트-잔 , 이준성
CPC classification number: H04L1/18 , H04L1/1861 , H04L1/1864 , H04L1/189 , H04L5/0055 , H04L12/40176 , H04L69/322
Abstract: 무선통신시스템에서단말의동작방법은기지국으로부터데이터(data)를수신하는과정과, 상기수신된데이터가초기전송인경우, 버퍼(buffer)에상기데이터를저장하는과정과, 상기버퍼에저장된상기데이터를디코딩(decoding)하는과정과, 상기데이터가성공적으로디코딩된경우, 상기데이터의디코딩이상기데이터의첫 번째성공한디코딩인지여부를결정하는과정과, 상기데이터의상기디코딩이상기데이터의상기첫 번째성공한디코딩인경우, 분해(disassembly) 및역 다중화(de-multiplexing) 엔티티(entity)에게디코딩된데이터를전달하는과정을포함한다.
Abstract translation: 一种用于在移动通信系统中操作终端的方法包括以下处理：从基站接收数据; 在接收到的数据首次发送的情况下，将数据存储在缓冲器中; 对存储在缓冲器中的数据进行解码; 如果数据被成功解码，则确定数据的解码是否是数据的第一次成功解码; 以及如果所述数据的解码是所述数据的第一次成功解码，则将解码的数据传送到拆解和解复用实体。
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22.发明授权
公开(公告)号：KR101568915B1
公开(公告)日：2015-11-12
申请号：KR1020137011534
申请日：2013-02-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04W36/04 , H04W36/0061 , H04W48/16
Abstract: 본발명은무선통신시스템에서매크로셀 내마이크로셀을식별하는방법에대한것으로서, 본발명의실시예에따른방법은, 단말이인접하는마이크로셀이전송하는서브프레임의특정패턴을이용하여상기마이크로셀로의접근여부를나타내는접근지시를수행하는과정과, 상기단말이상기마이크로셀에대한셀 탐색을수행하여상기마이크로셀에대한물리계층식별자를획득하는과정과, 상기단말이상기물리계층식별자및 상기마이크로셀이전송하는상기서브프레임의상기특정패턴을이용하여상기마이크로셀을식별하는과정을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020140066016A
公开(公告)日：2014-05-30
申请号：KR1020120133195
申请日：2012-11-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/15 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/15 , H01L27/222 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: A magnetic memory device is provided. Memory cells on a substrate and bit lines on the memory cells are provided. Each of the memory cells comprises: a free layer which is separated from free layers of adjacent memory cells by an interlayer insulating film on the substrate; a tunnel insulating film on the free layer; and a reference layer which is provided on the tunnel insulating layer and extends onto the free layers of the adjacent memory cells along the bit lines.
Abstract translation: 提供磁存储器件。 提供了衬底上的存储单元和存储单元上的位线。 每个存储单元包括：通过衬底上的层间绝缘膜与相邻存储单元的自由层分离的自由层; 自由层上的隧道绝缘膜; 以及参考层，其设置在隧道绝缘层上并沿着位线延伸到相邻存储单元的自由层上。
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公开(公告)号：KR101248217B1
公开(公告)日：2013-03-26
申请号：KR1020060018476
申请日：2006-02-24
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 하이브리드 단말을 지원하는 이동 통신 시스템에서의 동기 획득 시간을 줄일 수 있는 시스템 시간 설정 방법 및 장치에 관한 것으로, 본 발명의 방법은 기지국으로부터 제어 패킷 신호를 수신하여 프리엠블을 검출하는 제 1과정과, 상기 검출된 프리엠블의 위치 정보를 저장하고, 이전 검출되어 저장된 프리엠블의 위치 정보를 근거로 올바른 프리엠블인지 확인하여 상기 프리엠블의 정보를 출력하는 제 2과정과, 초기 동기 획득 여부에 따라 상기 출력된 프리엠블의 정보의 이용 여부를 결정하는 제 3과정으로 이루어짐을 특징으로 한다. 본 발명의 장치는 초기 동기 획득 과정인 경우 기지국으로부터 제어 패킷 신호를 수신하여 프리엠블을 검출하는 검출기와, 상기 검출된 프리엠블의 위치 정보를 저장하고, 이전 검출되어 저장된 프리엠블의 위치 정보를 근거로 올바른 프리엠블인지 확인하여 상기 프리엠블의 정보를 출력하는 후처리부와, 초기 동기 획득 여부에 따라 상기 출력된 프리엠블의 정보의 이용 여부를 결정하는 다중화기를 포함함을 특징으로 한다.
EV-DO, 하이브리드 단말, 제어 패킷-
公开(公告)号：KR1020120126228A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：KR1020110043871
申请日：2011-05-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L27/10888 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , H01L21/76816 , H01L27/1021 , H01L27/10817 , H01L27/10855 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675 , H01L45/1683 , H01L21/0274 , G03F1/80
Abstract: PURPOSE: A pattern formation method and a manufacturing method thereof using the same are provided to prevent the loss of an etching mask using a wet etching process and a dry etching process at the same time for forming a contact hole. CONSTITUTION: First line patterns(130) are formed on a film to be etched(105). First spacers(120) are formed in the first line pattern using a silicon oxide. An interval between the first line patterns is filled with the first spacers. A second line pattern(160) is extended to a second direction which is perpendicular to a first direction. The first spacers are eliminated through a wet etch process. The first line patterns and the second line pattern are formed using polysilicon. [Reference numerals] (AA) First direction; (BB) Second direction
Abstract translation: 目的：提供一种图案形成方法及其制造方法，以防止在形成接触孔的同时使用湿蚀刻工艺和干蚀刻工艺来蚀刻掩模的损失。 构成：在要蚀刻的膜（105）上形成第一线图案（130）。 第一间隔物（120）使用氧化硅以第一线图案形成。 第一线图案之间的间隔用第一间隔物填充。 第二线图案（160）延伸到垂直于第一方向的第二方向。 通过湿蚀刻工艺消除第一间隔物。 第一线图案和第二线图案使用多晶硅形成。 （附图标记）（AA）第一方向; （BB）第二方向
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090064488A
公开(公告)日：2009-06-19
申请号：KR1020070131297
申请日：2007-12-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04L12/10
CPC classification number: G06F1/3203
Abstract: An apparatus for heightening the stability of a system and a method thereof for heightening the stability of the system by setting up the performance level of the task considering the property of the mobile communications system are provided to reduce power by setting up capability performance. A workload of a task is measured according to a TWF(Task Workload Factor). A system call or a task event is generated. The number of performed tasks and TWF are determined. The workload corresponding to the determined TWF is obtained. The idle time for determining the performance level of the performed task is determined. The performance level of the performed task is determined. A main controller(140) is called by a hooking function when initiating a task in OS kernel(145).
Abstract translation: 提供一种用于提高系统稳定性的装置及其方法，其通过设置考虑移动通信系统的性质的任务的性能水平来提高系统的稳定性，以通过设置能力性能来降低功率。 根据TWF（任务工作负载因子）测量任务的工作负载。 生成系统调用或任务事件。 确定执行任务和TWF的数量。 获得与确定的TWF相对应的工作量。 确定执行任务的性能水平的空闲时间。 确定执行任务的性能级别。 当在OS内核（145）中启动任务时，主控制器（140）由挂钩功能调用。
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公开(公告)号：KR1020080095683A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：KR1020070040501
申请日：2007-04-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/2409 , G11C13/0004 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1683 , H01L27/24 , H01L45/143
Abstract: A phase change memory device and a method for forming thereof are provided to reduce the contact area between a phase change material layer and a conductor connected to the phase change material layer in order to operate the phase change memory device at a low temperature. A phase change memory device comprises an insulating layer which is positioned on a substrate and has an opening; a phase change material layer(140) filling the opening. The phase change material layer includes a first part adjacent to the lateral and the bottom part of the opening; a second part which fills the opening and has different characteristic from the first part. The phase change material layer is formed through at least two deposition processes which are performed under the different situation.
Abstract translation: 提供了相变存储器件及其形成方法，以减小相变材料层与连接到相变材料层的导体之间的接触面积，以便在低温下操作相变存储器件。 相变存储器件包括位于衬底上并具有开口的绝缘层; 填充所述开口的相变材料层（140）。 相变材料层包括与开口的侧部和底部相邻的第一部分; 填充开口的第二部分具有与第一部分不同的特征。 通过在不同情况下进行的至少两个沉积工艺形成相变材料层。
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公开(公告)号：KR1020080080803A
公开(公告)日：2008-09-05
申请号：KR1020070020986
申请日：2007-03-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04W36/08 , H04W36/30 , H04W72/085
Abstract: A method and a system for handover in a mobile communication system are provided to enable a target ENB(Evolved Node B) to apply an optimized MCS(Modulation and Coding Scheme) for a UE(User Equipment) in initial scheduling immediately after the UE's handover by making the UE measure and transmit the CQI(Channel Quality Indicator) information of the target ENB when the UE executes a handover procedure. A UE measures the strength of a received signal(720), and transmits a measurement report message to a source ENB, including the measured received signal strength(725). Based on the received signal strength, the source ENB judges whether handover is required. If required, the source ENB executes a handover procedure with the UE(730). If the handover process is completed, the UE transmits a handover complete message to a target ENB. In this case, before transmitting the handover complete message, the UE measures the CQI information of the target ENB for each AMC(Adaptive Modulation and Coding) band(735). Then the UE transmits the handover complete message to the target ENB, including the measured CQI information(740). Based on the CQI information contained in the handover complete message, the target ENB executes resource allocation for the UE(745).
Abstract translation: 提供移动通信系统中用于切换的方法和系统，以使目标ENB（演进节点B）能够在UE切换之后立即在初始调度中为UE（用户设备）应用优化的MCS（调制和编码方案） 当UE执行切换过程时，通过使UE测量并发送目标ENB的CQI（信道质量指示符）信息。 UE测量接收信号的强度（720），并将测量报告消息发送到源ENB，包括测量的接收信号强度（725）。 根据接收到的信号强度，源ENB判断是否需要切换。 如果需要，源ENB执行与UE的切换过程（730）。 如果切换过程完成，则UE向目标ENB发送切换完成消息。 在这种情况下，在发送切换完成消息之前，UE针对每个AMC（自适应调制和编码）频带测量目标ENB的CQI信息（735）。 然后，UE向目标ENB发送切换完成消息，包括测量的CQI信息（740）。 基于切换完成消息中包含的CQI信息，目标ENB执行UE的资源分配（745）。
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公开(公告)号：KR1020080054683A
公开(公告)日：2008-06-19
申请号：KR1020060127114
申请日：2006-12-13
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04L1/1874 , H04L1/1896
Abstract: A data transmission device in a mobile communication system and a method thereof are provided to offer normal receiving packet information of each RLC(Radio Link Control) entity receiving side to a correspondent RLC entity transmission end, in case of RLC reset message operation, thereby enabling packet transmission without loss. When an RLC reset condition is recognized, an RLC reset message is generated and transmitted to a receiving node(501-505). If an RLC reset ACK(Acknowledgement) message is received from the receiving node, an RLC PDU(Packet Data Unit) is reassembled by referring to a sequence number included in the RLC reset ACK message, and a reassembled SDU(Service Data Unit) is transmitted to an RLC SDU buffer(507-515). An RLC PDU buffer is cleared, and parameters and a timer are initialized(517).
Abstract translation: 提供移动通信系统中的数据发送装置及其方法，在RLC复位消息操作的情况下，向对应的RLC实体发送端提供每个RLC（无线链路控制）实体接收侧的正常接收分组信息，从而使能 分组传输没有损失。 当识别到RLC复位条件时，生成RLC重置消息并将其发送到接收节点（501-505）。 如果从接收节点接收到RLC复位ACK（确认）消息，则通过参考包含在RLC重置ACK消息中的序号重新组合RLC PDU（分组数据单元），并且重新组合的SDU（业务数据单元）是 发送到RLC SDU缓冲器（507-515）。 清除RLC PDU缓冲器，初始化参数和定时器（517）。
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公开(公告)号：KR100725451B1
公开(公告)日：2007-06-07
申请号：KR1020050048531
申请日：2005-06-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/105
CPC classification number: H01L28/55 , H01L21/32139 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/65
Abstract: 향상된 특성을 갖는 강유전체 캐패시터 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법이 개시된다. 기판 상에 제1 및 제2 하부 전극막을 포함하는 하부 전극층을 형성한 후, 하부 전극층 상에 강유전체층을 형성한다. 강유전체층 상에 상부 전극층을 형성한 다음, 상부 전극층 상에 제1 하드 마스크 및 제2 하드 마스크를 구비하는 하드 마스크 구조물을 형성한다. 하드 마스크 구조물을 이용하여 상부 전극층, 강유전체층 및 하부 전극층을 식각하여, 기판 상에 하부 전극, 강유전체층 패턴 및 상부 전극을 형성한다. 강유전체층 패턴의 식각 손상에 기인하는 강유전체층 패턴의 열화를 방지하는 한편, 강유전체층 패턴의 유효 면적을 확장시켜 강유전체 캐패시터의 전기적 및 강유전적 특성을 개선할 수 있다.
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