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公开(公告)号：KR100668352B1
公开(公告)日：2007-01-12
申请号：KR1020060001394
申请日：2006-01-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205 , B82Y40/00
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , C01B2202/02 , Y10S977/749 , Y10S977/842 , Y10S977/843
Abstract: A method for manufacturing nitrogen doped single-walled carbon nanotubes is provided to reduce complexity of a manufacture process by performing a nitrogen doping process and a synthesis of carbon nanotubes, simultaneously. A catalyst metal layer(22) is formed on a substrate(20). The substrate on which the catalyst metal layer is formed is mounted in a reactive chamber(10). H2O plasma atmosphere is created in the reactive chamber. carbon precursor and nitrogen precursor are provided in the reactive chamber and then chemically reacted to each other, thereby growing nitrogen doped carbon nanotubes(30) on the catalyst metal layer. Upon growing of the nitrogen doped carbon nanotubes, temperature in the reactive chamber is maintained at 400 ‹C to 600 ‹C.
Abstract translation: 提供氮掺杂单壁碳纳米管的制造方法，通过同时进行氮掺杂工艺和碳纳米管的合成来降低制造工艺的复杂性。 催化剂金属层（22）形成在基板（20）上。 其上形成有催化剂金属层的基板安装在反应室（10）中。 在反应室中产生H 2 O等离子体气氛。 碳前驱物和氮前体提供在反应室中，然后彼此化学反应，从而在催化剂金属层上生长氮掺杂的碳纳米管（30）。 当氮掺杂碳纳米管生长时，反应室中的温度保持在400℃至600℃。
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公开(公告)号：KR1020060085300A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：KR1020050005813
申请日：2005-01-21
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B82Y30/00
Abstract: 집속이온빔을 이용한 탄소나노튜브의 제조 방법이 개시된다.
개시되는 집속이온빔을 이용한 탄소나노튜브의 제조 방법은 기판을 마련하는 단계; 집속이온빔(FIB, focused ion beam)을 이용하여 상기 기판을 스캔하는 단계; 및 상기 스캔된 기판 상에 탄소나노튜브를 성장시키는 단계;를 포함한다. 그리고, 또 다른 실시예에 따른 상기 집속이온빔을 이용한 탄소나노튜브의 제조 방법은 기판을 마련하는 단계; 집속이온빔(FIB, focused ion beam)을 이용하여 상기 기판을 패터닝하는 단계; 집속이온빔(FIB, focused ion beam)을 이용하여 상기 패터닝된 기판을 스캔하는 단계; 및 상기 스캔된 기판 상에 탄소나노튜브를 성장시키는 단계;를 포함한다.
본 발명에 따른 집속이온빔을 이용한 탄소나노튜브의 제조 방법에 의하면, 나노 수준에서 기판의 미세 부위에 선택적으로 탄소나노튜브를 성장시킬 수 있을 뿐만 아니라, 다양한 패턴을 용이하게 구현할 수 있는 장점이 있다.-
公开(公告)号：KR1020040107874A
公开(公告)日：2004-12-23
申请号：KR1020030038521
申请日：2003-06-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/772 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L51/057 , B82Y10/00 , G11C2213/18 , H01L51/0048
Abstract: PURPOSE: A vertical CNT(Carbon NanoTube) FET(Field Effect Transistor) and a manufacturing method thereof are provided to maximize field effect of a gate and to improve on/off current by surrounding completely a carbon nano-tube channel having a depletion layer using the gate. CONSTITUTION: A first electrode(13) is formed on a substrate(10). A CNT is vertically formed on the first electrode. A second electrode(12) is formed on the CNT. A first burial layer(31) is formed on the first electrode, A second burial layer(32) is formed under the second electrode. The first and second burial layers are spaced apart from each other. A channel portion(11) of the CNT is exposed to the outside through a space between the first and second burial layers. The channel portion includes a depletion layer. The channel portion is surrounded with a gate(20) between the first and second burial layers via a gate insulating layer(21).
Abstract translation: 目的：提供垂直CNT（Carbon NanoTube）FET（场效应晶体管）及其制造方法，以使栅极的场效应最大化，并通过使用完全覆盖具有耗尽层的碳纳米管通道来改善导通/截止电流 大门。 构成：在基板（10）上形成第一电极（13）。 在第一电极上垂直形成CNT。 在CNT上形成第二电极（12）。 第一埋置层（31）形成在第一电极上，第二埋置层（32）形成在第二电极下方。 第一和第二埋置层彼此间隔开。 CNT的通道部分（11）通过第一和第二埋地层之间的空间暴露于外部。 通道部分包括耗尽层。 通道部分经由栅极绝缘层（21）被第一和第二埋置层之间的栅极（20）包围。
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公开(公告)号：KR1020040094179A
公开(公告)日：2004-11-09
申请号：KR1020030028173
申请日：2003-05-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/335 , B82Y40/00
Abstract: PURPOSE: A carbon nano tube FET(field effect transistor) is provided to maximize an electric field effect of a gate by using a cylindrical carbon nano tube as a channel and by making a channel region completely surrounded by the gate. CONSTITUTION: A substrate(10) is prepared. A carbon nano tube(CNT) is disposed in parallel with the plane of the substrate. A channel(11) is formed by one of a bundle of the carbon nano tubes. A source and a drain are electrically connected to both ends of the channel. A gate(20) is formed in such a way that the channel is surrounded by the gate. A gate insulation layer(21) is interposed between the gate and the channel.
Abstract translation: 目的：提供一种碳纳米管FET（场效应晶体管），通过使用圆柱形碳纳米管作为通道并使通道区域完全被栅极包围，使栅极的电场效应最大化。 构成：制备基材（10）。 碳纳米管（CNT）与衬底的平面平行设置。 通道（11）由一束碳纳米管形成。 源极和漏极电连接到通道的两端。 栅极（20）形成为使得沟道被栅极包围。 栅极绝缘层（21）插入在栅极和沟道之间。
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公开(公告)号：KR101410929B1
公开(公告)日：2014-06-23
申请号：KR1020080005380
申请日：2008-01-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B82B3/00
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J2201/30469 , H01L51/0013 , H01L51/0048 , H01L51/0508
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브의 전사방법에 관한 것이다. 개시된 탄소나노튜브의 전사방법은, 제1기판 상에 탄소나노튜브를 수직방향으로 형성하는 단계; 상기 탄소나노튜브를 전사할 제2기판을 마련하는 단계; 상기 탄소나노튜브가 상기 제2기판을 대향하도록 상기 제1기판을 상기 제2기판 상에 정렬하는 단계; 및 상기 제1기판을 상기 제2기판 쪽으로 가압하여 상기 탄소나노튜브를 상기 제2기판 상에 전사하는 단계;를 구비한다.
탄소나노튜브, 전사(transfer), SAM분자층, 화학기상증착법-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101356697B1
公开(公告)日：2014-01-28
申请号：KR1020070096962
申请日：2007-09-21
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , H01L29/0673 , H01L29/161 , Y10S438/933 , Y10S977/747 , Y10S977/762 , Y10S977/938
Abstract: 나노와이어 형성방법 및 나노와이어를 포함하는 반도체 소자의 제조방법에 대해 개시되어 있다. 개시된 본 발명의 나노와이어 형성방법은 베이스층 상에 패턴화된 Si
y Ge
1-y 층(0＜y＜1)을 형성하는 단계 및 상기 패턴화된 Si
y Ge
1-y 층에 대한 산화공정을 실시하여 산화물층 및 그 내부에 나노와이어를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 형성방법을 제공한다.-
公开(公告)号：KR100745752B1
公开(公告)日：2007-08-02
申请号：KR1020050056228
申请日：2005-06-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/17 , H01J2201/30469 , Y10S977/84 , Y10S977/842 , Y10S977/845
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브(CNT)로부터 탄소불순물을 선택적으로 제거하는 방법에 관한 것으로, 밀폐된 공간 내 진공에서 황(sulfur)과 합성된 탄소나노튜브(CNT)에 부착된 불순물을 황화 반응시켜 제거시키는 것을 특징으로 하며, 더욱 상세하게는 탄소나노튜브 벽은 황과 반응하지 않고, 오직 탄소나노튜브에 부착된 탄소불순물만이 황화반응(C+2S-->CS
2 )하여 비정질 탄소만을 선택적으로 제거되는 정제방법으로 디바이스에 합성된 탄소나노튜브(CNT)로부터 탄소불순물을 황화반응에 의하여 선택적으로 제거하는 방법에 관한 것이다.
황화(Sulfidation), 탄소나노튜브(CNT), 전계효과트랜지스터(FET), 정제(Purification)-
公开(公告)号：KR1020070065277A
公开(公告)日：2007-06-22
申请号：KR1020070045511
申请日：2007-05-10
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C01B32/17 , B82B3/0009 , B82B3/008 , B82B3/0095 , B82Y40/00 , C01B32/16 , C01B2202/30
Abstract: A method for eliminating carbonaceous impurities from carbon nano-tubes(CNT) is provided to purify CNT combined with sulfur without damage or modification of CNT by selectively removing the impurities adhered to sulfur combined CNT through sulfidization in a sealed space under vacuum condition. The method includes: first step of preparing carbon nano-tubes and sulfur in a sealed space; second step of heating the sulfur to higher than the temperature for sulfidization of carbonaceous impurities deposited on the carbon nano-tubes; and third step of removing the carbonaceous impurities from the carbon nano-tubes through sulfidization. The sulfidization temperature is higher than 150deg.C. The sulfur contained in the sealed space is a solid form of sulfur. The first step further contains formation of vacuum condition by exhausting air out of the sealed space. The second step is carried out by maintaining temperature of about 300deg.C for about 30 minutes.
Abstract translation: 提供了从碳纳米管（CNT）中除去碳质杂质的方法，通过在真空条件下的密封空间中通过硫化除去附着在硫组合CNT上的杂质，来净化CNT与硫的结合而不损坏或改性CNT。 该方法包括：在密封空间中制备碳纳米管和硫的第一步; 将硫加热到高于沉积在碳纳米管上的含碳杂质的硫化温度的第二步骤; 以及通过硫化从碳纳米管除去含碳杂质的第三步骤。 硫化温度高于150℃。 包含在密封空间中的硫是固体形式的硫。 第一步还包括通过从密封空间排出空气来形成真空状态。 第二步通过保持约300℃的温度进行约30分钟。
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公开(公告)号：KR1020070008030A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：KR1020050062931
申请日：2005-07-12
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , C01B2202/02 , H05H1/46 , H05H2001/4667 , Y10S977/845 , H05H1/24 , H05H1/30
Abstract: A low temperature growth method of carbon nanotubes, which can grow single-walled carbon nanotubes of high quality in a relatively low temperature range, is provided. A low temperature growth method of single-walled carbon nanotubes comprises the steps of: preparing a vacuum chamber(10); preparing a substrate(20) on which a catalytic metal(22) is deposited within the vacuum chamber; vaporizing H2O to supply the vaporized H2O into the vacuum chamber; generating H2O plasma discharge within the vacuum chamber; and supplying a source gas into the vacuum chamber in a flux range of 20 to 60 sccm to grow carbon nanotubes(30) on the substrate in the H2O plasma atmosphere. The H2O plasma has a power controlled to 80 W or less. The carbon nanotubes are grown in a temperature range of 500 deg.C or less for 10 to 600 seconds. The catalytic metal is at least one selected from the group consisting of Fe, Ni and Co. The source gas is at least one selected from the group consisting of C2H2, CH4, C2H4, C2H6 and CO. The substrate is a substrate made of Si, SiO2 or glass.
Abstract translation: 提供了一种能够在较低温度范围内生长高质量单壁碳纳米管的碳纳米管的低温生长方法。 单壁碳纳米管的低温生长方法包括以下步骤：制备真空室（10）; 制备在真空室内沉积有催化金属（22）的基底（20）; 蒸发H 2 O以将蒸发的H 2 O供应到真空室中; 在真空室内产生H 2 O等离子体放电; 并在20〜60sccm的通量范围内将原料气体供给到真空室中，以在H 2 O等离子体气氛中在基板上生长碳纳米管（30）。 H2O等离子体的功率控制在80W以下。 碳纳米管在500℃以下的温度范围内生长10〜600秒。 催化剂金属是选自Fe，Ni和Co中的至少一种。源气体是选自由C 2 H 2，CH 4，C 2 H 4，C 2 H 6和CO组成的组中的至少一种。衬底是由Si ，SiO2或玻璃。
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