公开(公告)号：KR1020070035625A

公开(公告)日：2007-04-02

申请号：KR1020050090204

申请日：2005-09-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경석 ,  형용우 ,  박재영 ,  안병호 ,  김영진 ,  김형기 ,  이고은 ,  이욱열 ,  주용규

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02554 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/324

Abstract: 반도체 장치의 박막 형성 방법에 관한 것으로서, 진공 상태를 유지하는 반응 챔버의 반응 공간 내부로 한 묶음의 반도체 기판들을 동시에 로딩시킨다. 그리고, 상기 반응 챔버의 반응 공간 내부를 제1 온도로 조정한다. 이어서, 상기 제1 온도를 갖는 상기 반응 챔버의 반응 공간 내부로 오존 가스를 플러싱한다. 계속해서, 상기 반응 챔버의 반응 공간 내부로 금속 전구체를 포함하는 반응 물질과 상기 반응 물질을 산화시키기 위한 산화제를 제공하여 상기 한 묶음의 반도체 기판들 상부에 금속 산화물을 포함하는 고체 물질을 형성한다. 이어서, 상기 반응 챔버의 반응 공간 내부를 제2 온도로 조정한다. 계속해서, 상기 제2 온도를 갖는 상기 반응 챔버의 반응 공간 내부로 오존 가스를 플러싱한다. 그리고, 언급하고 있는 상기 고체 물질을 형성하는 공정, 상기 제2 온도로 조정하는 공정 및 상기 제2 온도에서 상기 오존 가스를 플러싱하는 공정을 적어도 1회 반복 수행한다. 이에 따라, 상기 한 묶음의 반도체 기판들 상부 각각에는 상기 고체 물질을 포함하는 금속 산화막이 형성된다.

公开(公告)号：KR1020060000588A

公开(公告)日：2006-01-06

申请号：KR1020040049500

申请日：2004-06-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안병호 ,  이재철 ,  임기빈 ,  김경석 ,  주용규

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/4481

Abstract: 원자층 증착(ALD) 공정시 복수의 기화기를 이용하여 박막의 증착 속도를 고속화하기 위한 반도체 제조 장치가 개시된다. 다수의 기화기는 외부로부터 공급되는 제1 가스와 외부로부터 공급되는 금속화합물액체를 공급받아 기화된 다수의 제1 반응 가스를 출력한다. 공정 챔버는 다수의 반도체 웨이퍼들을 수용하고, 서로 다른 영역에 공급되는 다수의 제1 반응 가스와 외부로부터 공급되는 제2 가스를 근거로 상기 반도체 웨이퍼들의 표면에 박막을 형성시킨다. 이에 따라, 배치형 ALD 방식의 금속 산화물 증착 설비에서 단일 소오스 캐니스터에 복수의 소오스 공급 라인 및 기화기를 설치하므로써, 소오스 공급 시간을 줄일 수 있고, 웨이퍼 대 웨이퍼 산포를 조절할 수 있다.
원자층 증착, ALD, 배치형, 기화기, 반응로, 종형 퍼니스

公开(公告)号：KR100513488B1

公开(公告)日：2005-09-08

申请号：KR1020030014270

申请日：2003-03-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 주용규 ,  황기현 ,  안병호

IPC: H01L21/20

Abstract: 개시된 소스 가스 공급 장치는 반도체 기판 상에 막을 형성하기 위한 공정에서 반도체 기판으로 소스 가스를 공급한다. 액체 소스를 수용하기 위한 밀폐된 용기는 밸브 유닛과 다수의 배관들에 의해 캐리어 가스 및 퍼지 가스를 공급하기 위한 가스 공급부 및 공정 챔버와 연결된다. 상기 용기를 교체하기 전, 후에 수행되는 배관퍼지 공정에서 상기 밸브 유닛의 동작은 제어부에 의해 제어된다. 제어부는 가스 공급부로부터 공급된 퍼지 가스가 바이패스되도록 밸브 유닛을 자동적으로 제어한다. 따라서, 작업자의 수작업에 의해 발생될 수 있는 공정 사고를 미연에 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050037253A

公开(公告)日：2005-04-21

申请号：KR1020030072707

申请日：2003-10-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경석 ,  박홍배 ,  고창현 ,  김봉현 ,  김영석 ,  안병호

IPC: H01L21/205

Abstract: 원자층 증착 기술을 사용하여 복합금속산화막을 형성하는 방법이 개시된다. 이 방법은 기판을 반응기 내에 로딩하는 것을 구비한다. 상기 기판이 로딩된 반응기 내로 제1 금속원자를 함유하는 제1 원료기체를 제1 기간 동안 주입하여 상기 기판 상에 상기 제1 금속원자를 함유하는 화학흡착층을 형성하고, 상기 반응기 내에 남아있는 상기 제1 원료기체를 제2 기간 동안 배출한다. 그 후, 상기 반응기 내로 제2 금속원자 및 산소원자를 함유하는 제2 원료기체를 제3 기간 동안 주입하여 상기 화학흡착층과 상기 제2 원료기체를 반응시켜 제1 금속원자 및 제2 금속원자를 함유하는 원자층 금속산화막을 형성하고, 상기 반응기 내에 남아있는 상기 제2 원료기체 및 상기 제2 원료기체와 상기 화학흡착층의 화학반응에 의해 생성된 기체를 제4 기간 동안 배출한다. 상기 제1 원료기체의 주입 및 배출, 제2 원료기체의 주입 및 배출을 순차적으로 적어도 2회 반복적으로 실시하여 원자층 금속산화막을 적층시킨다.

公开(公告)号：KR1019980026060A

公开(公告)日：1998-07-15

申请号：KR1019960044385

申请日：1996-10-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이천무 ,  안병호

IPC: H01L21/203

Abstract: 신규한 반도체 제조장치가 개시되어 있다. 저압화학기상증착(LPCVD) 공정을 수행하는 반도체 제조장치에 있어서, 반응가스를 공급하는 가스라인이 펌핑라인과 분리되어 튜브의 플랜지에 직접 연결되는 것을 특징으로 한다. 공정을 진행하는 중에 발생되는 반응생성물이 튜브 내로 유입되는 것을 방지하여 미립자의 발생을 억제할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020090044285A

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：KR1020070110316

申请日：2007-10-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남태영 ,  김태호 ,  안중일 ,  이윤진 ,  이상곤 ,  한충근 ,  안병호

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/304

CPC classification number: C23C16/4402 ,  B08B9/00 ,  C23C16/448

Abstract: 본 발명은 ALD 설비 및 그 ALD 설비의 세정방법에 관한 것이다.
본 발명의 ALD 설비의 세정방법은 솔벤트를 기화기 내부로 투입하는 단계; 솔벤트를 상기 기화기의 내부에 함침하고, 상기 기화기의 세정온도를 일정하게 유지하여 상기 기화기를 세정하는 단계; 및 상기 기화기의 세정 후 남은 오염액을 제거하는 단계를 포함한다.
ALD 공정과 같은 박막 증착 공정에서는, 반응 챔버에 소스를 공급하기 위하여 케미컬을 기화시키는 기화기 및 그 주변장치가 가동되는바, 본 발명에서는 박막 증착 공정 이후 세정 공정을 수행하여, 액상의 소스를 기상으로 상 변환 시킬 때 기화기 및 그 주변장치에서 발생하는 파티클, 파우더(Powder) 및 클로깅(Clogging)을 제거함으로써, 반도체 양산 안정화를 도모하고, 박막 증착 공정 설비의 가동율을 효과적으로 개선할 수 있다.
함침, 세정, 기화기

公开(公告)号：KR1020080066411A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：KR1020070003838

申请日：2007-01-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남태영 ,  김태호 ,  김호왕 ,  이상곤 ,  안병호 ,  김형구

IPC: H01L21/208

CPC classification number: C23C16/4485 ,  C23C16/52

Abstract: An apparatus for supplying liquid is provided to increase the operating rate of equipment by enabling a continuous supply of chemicals. A space filled with liquid is provided by a buffer receptacle(410). A liquid introducing pipe(420) supplies liquid from a liquid storage receptacle to the inside of the buffer receptacle. A liquid supply pipe(440) supplies the liquid in the buffer receptacle to the outside of the buffer receptacle. A gas introducing pipe(430) supplies pressurized gas from the gas storage receptacle to the inside of the buffer receptacle to provide the pressure at which the liquid in the buffer receptacle is exhausted through the liquid supply pipe. A vent line(450) exhausts the pressurized gas in the buffer receptacle to the outside of the buffer receptacle, coupled to the buffer receptacle. A pressure measuring member(460) can measure the pressure in the buffer receptacle. The pressure measuring member can be a pressure gauge installed in the vent line.

Abstract translation: 提供一种用于供应液体的装置，以通过连续供应化学品来提高设备的运行速度。 填充有液体的空间由缓冲容器（410）提供。 液体导入管（420）将液体从液体储存容器供应到缓冲容器的内部。 液体供应管（440）将缓冲容器中的液体供应到缓冲容器的外部。 气体导入管（430）将加压气体从气体存储容器供应到缓冲容器的内部，以提供缓冲容器中的液体通过液体供应管排出的压力。 排气管线（450）将缓冲容器中的加压气体排出到与缓冲容器相连的缓冲容器的外部。 压力测量构件（460）可以测量缓冲容器中的压力。 压力测量构件可以是安装在排气管线中的压力表。

公开(公告)号：KR1020070007532A

公开(公告)日：2007-01-16

申请号：KR1020050062210

申请日：2005-07-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이고은 ,  김경석 ,  안병호 ,  주용규 ,  박재영 ,  이욱열 ,  김영진 ,  형용우

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/02189

Abstract: A method for forming a thin film is provided to uniformly supply reaction gas to the center of a semiconductor substrate due to a pumping process by injecting a reaction material into a process chamber having loaded semiconductor substrates and by purging the process byproducts in the process chamber and performing a pumping process. A reaction material is injected to the upper surface of a substrate loaded into a reaction chamber to chemically absorb the reaction material to the substrate. Purge gas is supplied to the substrate to eliminate the reaction material physically absorbed to the upper surface of the chemical absorbed reaction material. A pumping process is performed on the reaction chamber to eliminate the physically absorbed reaction material remaining in the reaction chamber and the purge gas. The pressure of the process chamber in the pumping process is lower than that of the process chamber in the chemical absorption process.

Abstract translation: 提供了一种形成薄膜的方法，以通过将反应材料注入具有加载的半导体衬底的处理室中并通过在处理室中清除工艺副产物而将反应气体均匀地供应到半导体衬底的中心， 执行泵送过程。 将反应材料注入装载到反应室中的基板的上表面，以将反应材料化学吸附到基材上。 将清洗气体供给到基板，以消除物理吸收到化学吸收反应材料的上表面的反应物质。 在反应室上进行泵送过程以消除残留在反应室和净化气体中的物理吸收的反应物质。 在化学吸收过程中，泵送过程中处理室的压力低于处理室​​的压力。

公开(公告)号：KR100443908B1

公开(公告)日：2004-08-09

申请号：KR1020010066104

申请日：2001-10-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한재종 ,  김경석 ,  안병호 ,  신승목 ,  김화식 ,  박홍배

IPC: C23C16/513

CPC classification number: C23C16/4558 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/505 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32623

Abstract: A plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus and a method of forming a nitride layer using the same, wherein the plasma enhanced CVD apparatus includes a process chamber including an upper chamber with a dome shape, a lower chamber, and an insulator therebetween, a gas distributing ring, a susceptor for supporting a wafer and heating the process chamber, a plasma compensation ring surrounding the susceptor, a vacuum pump and an electric power source connected to the process chamber. The gas distributing ring has a plurality of upwardly inclined nozzles, allowing upward distribution of reactive gases. The method of forming a nitride layer includes forming a protective film on inner walls of a process chamber, the protective film having at least two layers of differeing dielectric constant, and sequentially supplying reactive gases to the process chamber. A nitride layer formed thereby has low hydrogen content, good density and oxidation resistance.

Abstract translation: 一种等离子体增强化学气相沉积设备和使用该等离子体增强化学气相沉积设备形成氮化物层的方法，其中该等离子体增强CVD设备包括处理室，该处理室包括具有圆顶形状的上室，下室和其间的绝缘体，气体分布 环，用于支撑晶片并加热处理室的基座，围绕基座的等离子体补偿环，真空泵和连接到处理室的电源。 气体分配环具有多个向上倾斜的喷嘴，允许反应气体向上分布。 形成氮化物层的方法包括在处理室的内壁上形成保护膜，保护膜具有至少两层不同的介电常数，并且将反应性气体顺序地供应到处理室。 由此形成的氮化物层具有低氢含量，良好的密度和抗氧化性。

公开(公告)号：KR100423914B1

公开(公告)日：2004-03-22

申请号：KR1020020020345

申请日：2002-04-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경석 ,  박영옥 ,  한재종 ,  박홍배 ,  신승목 ,  안병호

IPC: H01L21/027

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device including a silicon nitride layer having a high extinction coefficient is provided to be capable of simplifying manufacturing processes by using the silicon nitride layer as a hard mask instead of an anti-reflective coating. CONSTITUTION: After forming a buffer oxide layer(20) at the upper portion of a semiconductor substrate(10), a silicon nitride layer(30) is formed on the buffer oxide layer. After coating a photoresist layer on the silicon nitride layer, a photoresist pattern(40) is formed by carrying out an exposing and developing process at the photoresist layer. A hard mask is formed by selectively etching the silicon nitride layer using the photoresist pattern as a mask. Then, the photoresist pattern is completely removed from the resultant structure. The resultant structure is patterned by using the hard mask made of the silicon nitride layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造包括具有高消光系数的氮化硅层的半导体器件的方法，以便能够通过使用氮化硅层作为硬掩模而不是抗反射涂层来简化制造工艺。 构成：在半导体衬底（10）的上部形成缓冲氧化层（20）之后，在缓冲氧化层上形成氮化硅层（30）。 在氮化硅层上涂覆光致抗蚀剂层之后，通过在光致抗蚀剂层处执行曝光和显影工艺来形成光致抗蚀剂图案（40）。 通过使用光致抗蚀剂图案作为掩模选择性地蚀刻氮化硅层来形成硬掩模。 然后，从所得结构中完全去除光致抗蚀剂图案。 所得结构通过使用由氮化硅层制成的硬掩模而被图案化。