公开(公告)号：KR1020060027609A

公开(公告)日：2006-03-28

申请号：KR1020040076483

申请日：2004-09-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 원정연

IPC: G03G15/00

CPC classification number: G03G21/1619 ,  G03G2221/169

Abstract: 본 발명에 의한 화상형성장치의 사이드 커버 개폐장치는, 용지이송경로 및 화상 형성을 위한 부품들을 내장한 화상형성장치 본체; 상기 화상형성장치 본체에 대하여 개폐 가능한 사이드 커버; 및 상기 사이드 커버를 상기 화상형성장치 본체에 대하여 개폐 가능하게 지지하는 복수의 링크부재;를 포함한다. 이에 의하면, 사이드 커버가 화상형성장치 본체로부터 개방될 때 링크부재의 길이에 해당하는 넓은 공간을 확보하여 개방되므로, 잼된 용지의 제거가 용이하게 된다. 또, 별도의 후킹구조 없이 사이드 커버의 자중에 의해 그 닫힘 상태가 유지되므로 구조적인 단순화 및 이로 인한 제조비용 절감을 도모할 수 있다.
화상형성장치, 사이드 커버, 측면 커버, 잼, 용지이송로, 링크

公开(公告)号：KR100561407B1

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：KR1020030086049

申请日：2003-11-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 원정연

IPC: G03G15/20

Abstract: 정착롤러 구동시 발생되는 소음 및 진동을 억제할 수 있도록 동력 전달 구조가 개선된 전자사진 화상형성기의 정착장치가 개시되어 있다.
이 개시된 장치는 정착롤러와, 정착롤러에 대향되게 배치되어 배지되는 인쇄매체를 가압하는 가압롤러를 구비하여, 가열 및 가압을 통하여 인쇄매체에 형성된 화상을 정착하는 정착유니트와; 동력을 제공하는 구동원과; 구동원의 회전축에 설치되는 구동기어와, 구동기어에 맞물려 회전되는 중계기어와, 정착롤러의 외주에 설치되는 것으로 중계기어와 이격되게 설치된 종동기어와, 중계기어의 회전력을 종동기어에 전달하는 중계벨트로 이루어진 동력전달 유니트;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020130078900A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：KR1020120000052

申请日：2012-01-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김기철 ,  구봉진 ,  원정연 ,  이은하 ,  최한메

IPC: H01L27/14

CPC classification number: G02B6/13 ,  G02B6/122 ,  G02B6/124 ,  G02B6/131 ,  G02B6/132 ,  G02B2006/12061 ,  G02B2006/121 ,  G02B2006/12107 ,  G02B2006/12147 ,  G02F1/025 ,  G02F1/035 ,  H01L29/66477

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a method for manufacturing the same are provided to reduce the light loss generated in a crystal defect by using a core layer formed in an optical waveguide. CONSTITUTION: A gate electrode (135) is arranged on a single crystal substrate. An electrical semiconductor device includes a source region (150) and a drain region (160). The source region and the drain region are arranged in front/back of the gate electrode. An optical element includes an optical waveguide (330). The optical waveguide includes a cladding layer and a core layer. [Reference numerals] (AA) Forth direction; (BB) Third direction; (CC) Second direction; (DD) First direction

Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其制造方法，以通过使用形成在光波导中的芯层来减少在晶体缺陷中产生的光损失。 构成：在单晶基板上配置栅电极（135）。 电子半导体器件包括源区（150）和漏区（160）。 源极区域和漏极区域布置在栅电极的前部/后部。 光学元件包括光波导（330）。 光波导包括包覆层和芯层。 （附图标记）（AA）第四方向; （BB）第三方向; （CC）第二方向; （DD）第一方向

公开(公告)号：KR101264113B1

公开(公告)日：2013-05-13

申请号：KR1020070071276

申请日：2007-07-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이화성 ,  백현석 ,  박종봉 ,  원정연 ,  김병서 ,  이호 ,  김명선 ,  이지혜

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848 ,  Y10S438/938

Abstract: 변형된채널을갖는 CMOS 소자및 이의제조방법을제공한다. 상기제조방법은기판내에소자분리영역들을형성하여 NMOS 활성영역및 PMOS 활성영역을정의하는것을포함한다. 상기 NMOS 활성영역및 상기 PMOS 활성영역상에 NMOS 게이트전극및 PMOS 게이트전극을각각형성한다. 상기 PMOS 게이트전극의양측에노출된 PMOS 활성영역을식각하여한 쌍의소오스/드레인트렌치들을형성한다. 상기소오스/드레인트렌치들내에한 쌍의하부실리콘-게르마늄에피층들을형성한다. 상기 NMOS 게이트전극을마스크로하여상기 NMOS 활성영역내에 n형불순물을주입한다. 상기 NMOS 게이트전극, 상기 PMOS 게이트전극, 상기불순물이주입된 NMOS 활성영역및 상기하부실리콘-게르마늄에피층들상에제1 응력절연막를적층한다. 상기제1 응력절연막이상기하부실리콘-게르마늄에피층상에적층된기판을활성화어닐링한다. 상기활성화어닐링된기판으로부터상기제1 응력절연막을제거한다.

公开(公告)号：KR1020100090091A

公开(公告)日：2010-08-13

申请号：KR1020090009378

申请日：2009-02-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김진범 ,  신유균 ,  원정연 ,  정인선 ,  이준호

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/94 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66636 ,  H01L2924/0002 ,  H01L29/41725 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device with a metal-semiconductor compound region is provided to reduce a contact resistance of source and drain regions of a transistor by forming a metal-semiconductor compound region using a semiconductor element source layer like a silicon layer formed on the source and drain regions of the transistor. CONSTITUTION: A semiconductor substrate(1) has a first device region(A) and a second device region(B). A first transistor(TR1) is formed on the first device region of the semiconductor substrate. The first transistor is formed on the upper sides of a first source and drain region and a channel region between the first source and drain regions. An insulation layer(27,30) is formed on the semiconductor substrate including the first transistor. A first opening(33a) exposes the part of the first source and drain region by patterning the insulation layer. A first semiconductor element source layer(42a,42b) is formed on the first source and drain region exposed by the first opening and the upper side of the insulation layer adjacent to the first opening unit. A metal device source layer(55a,55b,55c) is formed on the semiconductor substrate including the first semiconductor element source layer. First and second metal-semiconductor compound regions are formed with a silicide heat process. The first metal-semiconductor region is formed on the first source and drain regions. The second metal-semiconductor compound region is formed on the upper side of the insulation layer adjacent to the first opening.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有金属 - 半导体化合物区域的半导体器件的方法，以通过使用形成的硅层的半导体元件源层形成金属 - 半导体化合物区域来降低晶体管的源极和漏极区域的接触电阻 在晶体管的源极和漏极区域上。 构成：半导体衬底（1）具有第一器件区域（A）和第二器件区域（B）。 第一晶体管（TR1）形成在半导体衬底的第一器件区域上。 第一晶体管形成在第一源极和漏极区域的上侧以及在第一源极和漏极区域之间的沟道区域。 在包括第一晶体管的半导体衬底上形成绝缘层（27,30）。 通过图案化绝缘层，第一开口（33a）暴露第一源极和漏极区的一部分。 第一半导体元件源层（42a，42b）形成在由第一开口和与第一开口单元相邻的绝缘层的上侧暴露的第一源极和漏极区域上。 在包括第一半导体元件源层的半导体衬底上形成金属器件源极层（55a，55b，55c）。 第一和第二金属 - 半导体化合物区域由硅化物热处理形成。 第一金属 - 半导体区域形成在第一源区和漏区上。 第二金属 - 半导体化合物区域形成在与第一开口相邻的绝缘层的上侧。

公开(公告)号：KR1020090008003A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：KR1020070071276

申请日：2007-07-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이화성 ,  백현석 ,  박종봉 ,  원정연 ,  김병서 ,  이호 ,  김명선 ,  이지혜

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848 ,  Y10S438/938

Abstract: A CMOS device having a transformed channel and a manufacturing method thereof are provided to perform activation annealing after injecting n-type impurity within an NMOS active and laminating a stress insulating layer, thereby activating the impurities and performing tensile transformation of an n channel area. A device isolation structure is formed within a substrate(100) to define an NMOS active area and a PMOS active area. An NMOS gate electrode(125) and a PMOS gate electrode(126) are formed on the NMOS active area and PMOS active area. The PMOS active area exposed to both sides of the PMOS gate electrode is etched to form a pair of source/drain trenches. A pair of lower part silicon-germanium epi-layers(151) is formed within the source/drain trenches. The NMOS gate electrode is used as a mask to inject n-type impurity into the NMOS active area. A first stress insulating layer(160) is laminated on the NMOS gate electrode, the PMOS gate electrode, the NMOS active area in which the impurity are injected, and the lower part silicon-germanium epi-layers. The substrate in which the first stress insulating layer is laminated on the lower part silicon-germanium epi-layers is activated and annealed. The first stress insulating layer is removed from the annealed and activated substrate.

Abstract translation: 提供具有变换沟道的CMOS器件及其制造方法，以在NMOS活性物质中注入n型杂质之后进行活化退火，并层压应力绝缘层，由此激活杂质并进行n沟道区域的拉伸变形。 器件隔离结构形成在衬底（100）内以限定NMOS有源区和PMOS有源区。 在NMOS有源区和PMOS有源区上形成NMOS栅电极（125）和PMOS栅电极（126）。 蚀刻暴露于PMOS栅电极两侧的PMOS有源区，形成一对源/漏沟。 在源极/漏极沟槽内形成一对下部硅 - 锗外延层（151）。 NMOS栅极用作掩模，以将n型杂质注入NMOS有源区。 第一应力绝缘层（160）层叠在NMOS栅电极，PMOS栅电极，注入杂质的NMOS有源区和下锗硅外延层中。 第一应力绝缘层层叠在下部硅锗外延层上的基板被激活并退火。 第一应力绝缘层从退火和活化的基底上去除。

公开(公告)号：KR1020080071037A

公开(公告)日：2008-08-01

申请号：KR1020070009138

申请日：2007-01-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이충용 ,  김우석 ,  원정연 ,  김준태

IPC: G03G15/20 ,  G03G15/00

CPC classification number: G03G15/2032

Abstract: A device for adjusting a fixing pressure and an image forming apparatus are provided to automatically adjust a fixing pressure according to a print mode selected by a user from a manipulation plate. A pair of pressing members(10) rotatably support a shaft of a pressing roller(5) from both ends thereof, and rotate centering around a hinge shaft(11) to allow the pressing roller to press a heating roller(4). A pair of hinge cams(20) move the hinge shaft of the pair of pressing members to one side. A driving unit rotates the pair of hinge cams. A controller controls the driving unit to adjust the position of the hinge shaft. The driving unit includes a cam shaft(31) where the pair of hinge cams are installed, and rotates the cam shaft with a rotational force of a fixing motor that drives the pressing roller or the heating roller. The driving unit also includes a cam gear installed at one end of the cam shaft, an intermediate gear in mesh with the cam gear, and a swing gear selectively in mesh with the intermediate gear according to a rotational direction of the fixing motor.

Abstract translation: 提供一种用于调节定影压力的装置和图像形成装置，以根据用户从操作板选择的打印模式自动调节定影压力。 一对按压构件（10）从其两端可旋转地支撑加压辊（5）的轴，并且以铰链轴（11）为中心旋转，以允许加压辊按压加热辊（4）。 一对铰链凸轮（20）将一对按压构件的铰链轴移动到一侧。 驱动单元使一对铰链凸轮旋转。 控制器控制驱动单元来调节铰链轴的位置。 驱动单元包括其中安装有一对铰链凸轮的凸轮轴（31），并且以驱动加压辊或加热辊的定影马达的旋转力旋转凸轮轴。 驱动单元还包括安装在凸轮轴的一端的凸轮齿轮，与凸轮齿轮啮合的中间齿轮，以及根据定影电动机的旋转方向选择性地与中间齿轮啮合的摆动齿轮。

公开(公告)号：KR1020060029950A

公开(公告)日：2006-04-07

申请号：KR1020040078819

申请日：2004-10-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 원정연

IPC: B65H3/32 ,  B65H3/34

Abstract: 개시된 화상형성장치의 급지유닛은 기록용지가 적재되는 가압판이 장착된 케이스가 구비된 화상형성장치의 급지유닛에 있어서 가압판에 적재된 기록용지를 픽업할 경우 기록용지의 적재높이 변화에 따라 가압판의 높이를 변경시켜 기록용지의 픽업위치를 일정하게 하는 위치제어수단을 구비한다.
급지유닛, 가압판, 픽업롤러

公开(公告)号：KR1020060016609A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：KR1020040065112

申请日：2004-08-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 원정연

IPC: G03G15/00

CPC classification number: G03G15/6502 ,  G03G2215/00383 ,  G03G2215/00611 ,  G03G2215/00734

Abstract: 본 발명은 화상형성기의 용지규격 표시장치를 개시한 것으로서, 급지 카세트에 적재된 용지의 규격에 따라 이동 가능하게 세팅되도록 설치된 용지규제 가이드와, 그 가이드에 연결된 연동수단에 의해 회전하여 위치결정되도록 세팅되면서 일면에 구비된 용지규격 마크를 투광창으로 표시해 주는 회전휠을 포함하는 구성에 의해 급지 카세트에 세팅된 용지규격 표시기능과 감지기능을 동시에 연계하여 수행할 수 있는 화상형성기의 용지규격 표시장치 및 급지 카세트를 제공함.
화상형성장치, 프린터, 복사기, 인쇄기, 급지 카세트, 용지표시, 용지감지

公开(公告)号：KR100527186B1

公开(公告)日：2005-11-08

申请号：KR1020030100468

申请日：2003-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 원정연

IPC: G03G15/00

CPC classification number: B65H5/062 ,  B65H2301/4234 ,  B65H2301/44514 ,  B65H2403/42 ,  B65H2403/732

Abstract: 화상형성기기의 용지공급장치를 제공한다. 제공된 화상형성기기의 용지공급장치는 구동부와, 구동부에 의해 회전되는 제1아이들기어와, 제1아이들기어가 회전되도록 제1아이들기어를 관통하여 설치되며 제1아이들기어를 따라 회전하는 제1아이들기어회전축과, 제1아이들기어에 의해 회전되도록 설치되되 용지이송경로의 상측과 하측 중 어느 일측에 설치되어 용지를 용지이송경로의 내측으로 이송시켜주는 용지이송부 및, 제1아이들기어에 의해 회전되도록 설치되되 용지이송부에 대응되는 용지이송경로의 다른 일측에 설치되어 용지의 중송을 방지해주는 용지중송방지부를 포함한다.