公开(公告)号：KR100469127B1

公开(公告)日：2005-01-29

申请号：KR1020020036010

申请日：2002-06-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구경모 ,  원제형 ,  박상욱 ,  엄현일 ,  정선혁

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76862 ,  Y10S438/906

Abstract: A method of cleaning a surface of a silicon wafer includes subjecting the surface of the silicon wafer to a hydrogen (H 2 ) gas plasma containing at least one inert gas while biasing the hydrogen plasma with a RF bias power to direct the hydrogen (H 2 ) plasma to clean the surface of the silicon wafer.

Abstract translation: 一种清洁硅晶片表面的方法包括使硅晶片的表面经受包含至少一种惰性气体的氢气（H 2 SUB）气体等离子体，同时用RF偏置功率偏置氢等离子体 以引导氢（H SUB 2 /）等离子体清洁硅晶片的表面。

公开(公告)号：KR1020040076697A

公开(公告)日：2004-09-03

申请号：KR1020030012028

申请日：2003-02-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영규 ,  원제형

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/402 ,  C23C16/507 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76837

Abstract: PURPOSE: A high-density plasma CVD(Chemical Vapor Deposition) process is provided to form a uniform and pure material layer by using nitrogen-free process gases. CONSTITUTION: A semiconductor substrate is loaded into an inside of a process chamber(11). The first main process gases including a silicon source gas, an oxygen gas, a nitrogen-free chemical etching gas, and a hydrogen gas are injected into the inside of the process chamber in order to generate high-density plasma and forming a silicon oxide layer on an upper surface of the semiconductor substrate(25). The semiconductor substrate is heated under the high temperature 550 to 650 degrees centigrade by the high-density plasma. The high-density plasma is generated by applying the plasma power and the bias power to an induction coil and the semiconductor substrate, respectively.

Abstract translation: 目的：提供高密度等离子体CVD（化学气相沉积）工艺，通过使用无氮工艺气体形成均匀且纯净的材料层。 构成：将半导体衬底装载到处理室（11）的内部。 将包括硅源气体，氧气，无氮化学蚀刻气体和氢气的第一主要工艺气体注入到处理室的内部，以产生高密度等离子体并形成氧化硅层 在所述半导体衬底（25）的上表面上。 半导体衬底通过高密度等离子体在550至650摄氏度的高温下被加热。 通过将等离子体功率和偏置功率分别施加到感应线圈和半导体衬底来分别产生高密度等离子体。

公开(公告)号：KR1020150139334A

公开(公告)日：2015-12-11

申请号：KR1020140067789

申请日：2014-06-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한동훈 ,  원제형 ,  김도형 ,  김성협 ,  김호준

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/66

CPC classification number: G05B19/41875 ,  G05B2219/31443 ,  G05B2219/45031 ,  G05B2219/50139 ,  Y02P90/20 ,  Y02P90/22

Abstract: 반도체공정관리시스템은하나이상의공정설비로부터공정레시피를수신하고, 하나이상의계측설비로부터샘플링포인트별 계측값을수신하는통신부와, 상기공정레시피및 상기샘플링포인트별 계측값에기반하여상기공정레시피및 상기샘플링포인트별 계측값간의상호영향모델을수립하는제1 판단부를포함한다.

Abstract translation: 半导体处理管理系统包括通信部件，其从至少一个处理设备接收处理配方，并且从至少一个测量设备接收采样点的测量值，以及第一确定部件，其在处理配方之间建立交互模型 和测量值，基于过程配方和测量值。

公开(公告)号：KR1020150129943A

公开(公告)日：2015-11-23

申请号：KR1020140056645

申请日：2014-05-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이의형 ,  이동현 ,  김진형 ,  원제형 ,  이상현 ,  최진호

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/08

CPC classification number: H01L21/306 ,  C25D17/001 ,  C25D21/14 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/76898 ,  H01L22/26

Abstract: 기판처리장치및 기판처리방법이제공된다. 기판처리장치는, 제 1 및제 2 소스의처리용액으로기판처리공정을수행하는기판처리부와, 상기제 1 및상기제 2 소스를상기기판처리부에제공하는소스공급부와, 상기처리용액내의상기제 2 소스의농도또는상기처리용액의 PH를검출하고, 표준용액으로상기제 2 소스의측정기준값을교정하는분석기들과, 상기소스공급부로부터상기제 1 및상기제 2 소스를제공받아상기표준용액을제조하고상기표준용액을상기분석기에제공하는표준용액공급부를포함한다.

Abstract translation: 提供了基板处理装置和基板处理方法。 基板处理装置包括：基板处理单元，其利用第一源极和第二源极的处理液处理基板;源极供给单元，其向基板处理单元供给第一源极和第二源极;检测密度的分析器 处理解决方案中的第二源或处理解决方案的PH，并用标准解决方案校正第二源的测量参考值，以及通过接收第一源和第二源来制造标准解决方案的标准解决方案供应单元 从源供应单元提供标准溶液到分析仪。

公开(公告)号：KR1020120121340A

公开(公告)日：2012-11-05

申请号：KR1020120000744

申请日：2012-01-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 원제형 ,  박세준

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/50 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/26 ,  C23C16/50 ,  H01L21/0332

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a carbon-based hard mask film using induced coupled plasma and a pattern forming method using the same are provided to easily form patterns with high aspect ratios applicable to various types of semiconductor devices by using a diamond-like carbon film as an etching mask. CONSTITUTION: A method for manufacturing a carbon-based hard mask film using induced coupled plasma comprises the steps of: loading a substrate on a lower electrode of an induced coupled plasma deposition device(S130), generating plasma in a processing chamber, injecting reaction gas including a hydrocarbon compound into the processing chamber to create activated reaction gas through collision with plasma(S140), and depositing a diamond-like carbon film on the substrate from the activated reaction gas by applying bias power to the lower electrode(S150). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) Loading a substrate in a processing chamber; (CC) End; (S120) Prodiving processing gas for generating plasma into the processing chamber; (S130) Creating plasma by applying source power to the processing gas; (S140) Providing reaction gas into the processing chamber to activate; (S150) Leading the reaction gas to the substrate by applying bias power to the substrate; (S160) Cutting off injection of the reaction gas; (S170) Turning off the bias power; (S180) Unloading the substrate from the processing chamber

Abstract translation: 目的：使用感应耦合等离子体制造碳基硬掩模膜的方法和使用该方法的图案形成方法可以通过使用类金刚石碳膜来容易地形成适用于各种类型的半导体器件的高纵横比的图案 作为蚀刻掩模。 构成：使用感应耦合等离子体制造碳基硬掩模膜的方法包括以下步骤：将衬底装载在感应耦合等离子体沉积装置的下电极上（S130），在处理室中产生等离子体，注入反应气体 包括烃化合物进入处理室以通过与等离子体的碰撞产生活化的反应气体（S140），以及通过向下电极施加偏置功率从激活的反应气体沉积金刚石状碳膜（S150）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）将基板装载到处理室中; （CC）结束; （S120）用于将等离子体生成到处理室中的产生处理气体; （S130）通过对加工气体施加源电力来产生等离子体; （S140）将反应气体提供到处理室中以激活; （S150）通过向基板施加偏压力将反应气体导向基板; （S160）切断反应气体的注入; （S170）关闭偏置电源; （S180）从处理室卸载基板

公开(公告)号：KR1020060032001A

公开(公告)日：2006-04-14

申请号：KR1020040081002

申请日：2004-10-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 금경수 ,  우용규 ,  채승기 ,  양윤모 ,  홍형식 ,  김동식 ,  하태홍 ,  원제형

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67028 ,  B08B3/12

Abstract: 본 발명은 웨이퍼 클리닝 시스템에 관한 것으로, 구동장치를 구비한 진공척과; 상기 진공척에 척킹된 웨이퍼를 향해 이산화탄소를 분사하는 이산화탄소건과; 상기 이산화탄소건으로 이산화탄소를 제공하는 이산화탄소 응축기와; 상기 이산화탄소건에 의해 분사된 이산화탄소에 의해 웨이퍼에서 탈락되는 파티클을 외부로 배출시키는 배출기와; 상기 진공척에 척킹된 웨이퍼상의 파티클을 관찰하는 카메라와; 상기 카메라에 의해 관찰된 파티클의 사이즈를 판별하여 파티클의 스캔 속도를 조절하는 비전시스템을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 이산화탄소건, 비전시스템, 배출기, 웨이퍼 틸트 장치를 이용하여 임플란트 공정을 비롯한 반도체 제조 공정의 웨이퍼 손상으로 인한 실리콘 오염원을 효과적으로 제거할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1020060026260A

公开(公告)日：2006-03-23

申请号：KR1020040075116

申请日：2004-09-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권의희 ,  금경수 ,  정원영 ,  차광호 ,  김영태 ,  채승기 ,  원제형 ,  박영관 ,  김태경

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/30

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/08 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/31703

Abstract: 이온 주입 장치를 제공한다. 본 발명은 내부에 일정 공간을 갖는 아크 챔버를 포함한다. 상기 아크 챔버 내의 일측에는 열전자를 방출하는 필라멘트가 위치하고, 상기 아크 챔버 내의 타측에는 상기 열전자의 소모를 방지하는 리펠러가 위치한다. 본 발명은 상기 아크 챔버 내에 자기장을 제공하는 전자석을 구비하고, 상기 아크 챔버의 바디나 내벽 형태가 외측으로 볼록하게 되어 있다. 이에 따라, 본 발명은 열전자가 바디에서 소모되지 않아 전자 손실을 줄여 아크 챔버로부터 방출되는 양이온의 이온 전류 밀도를 크게 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100470973B1

公开(公告)日：2005-03-10

申请号：KR1020030012028

申请日：2003-02-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영규 ,  원제형

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/402 ,  C23C16/507 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76837

Abstract: 고밀도 플라즈마 화학기상증착 공정을 제공한다. 이 공정은 공정챔버 내에 반도체기판을 로딩하는 것을 구비한다. 상기 공정 챔버 내로 실리콘 소스 가스, 산소 가스, 질소성분 없는 화학적 식각가스(nitrogen free chemical etching gas) 및 수소 가스를 포함하는 제1 메인 공정 가스들을 주입한다. 그 결과, 상기 반도체기판 상부에 고밀도 플라즈마가 생성되고 상기 반도체기판은 상기 고밀도 플라즈마에 기인하여 550℃ 내지 650℃의 높은 온도로 가열된다. 이에 따라, 상기 반도체기판 상에 신뢰성 있는 실리콘 산화막이 형성된다. 상기 제1 메인 공정 가스들은 상기 실리콘 소스 가스, 산소 가스, 질소성분 없는 화학적 식각가스(nitrogen free chemical etching gas) 및 수소 가스와 아울러서 헬리움 가스를 포함하는 제2 메인 공정가스들로 대체될 수도 있다.

公开(公告)号：KR1020040087615A

公开(公告)日：2004-10-14

申请号：KR1020030022062

申请日：2003-04-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 원제형 ,  채승기 ,  허노현 ,  김기상 ,  황완구

IPC: H01L21/205

Abstract: PURPOSE: An HDP(High Density Plasma)-CVD process is provided to be capable of minimizing the composition rate of fluorine, hydrogen and nitrogen and improving gap filling property. CONSTITUTION: A semiconductor substrate is prepared. The substrate is loaded in a process chamber of an HDP-CVD apparatus(11). Main process gases containing silicon source gas, oxygen gas, chlorine-based chemical etching gas, physical etching gas and hydrogen gas are inserted in the process chamber, thereby generating high density plasma and forming simultaneously a silicon oxide layer on the substrate(21). At this time, the substrate is heated by the high temperature of 550-650°C due to the high density plasma.

Abstract translation: 目的：提供HDP（高密度等离子体）-CVD工艺，以使氟，氢和氮的组成率最小化，并提高间隙填充性能。 构成：制备半导体衬底。 将基板装载到HDP-CVD装置（11）的处理室中。 在处理室中插入含有硅源气体，氧气，氯系化学蚀刻气体，物理蚀刻气体和氢气的主工艺气体，由此生成高密度等离子体，同时在基板（21）上形成氧化硅层。 此时，由于高密度等离子体，衬底被550-650℃的高温加热。

公开(公告)号：KR100447031B1

公开(公告)日：2004-09-07

申请号：KR1020010015225

申请日：2001-03-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 원제형

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45512 ,  C23C16/42 ,  C23C16/4401

Abstract: A semiconductor substrate having a polysilicon layer is loaded into a process chamber of a plasma enhanced chemical vapor deposition device. A silicon source gas, a tungsten source gas, and a hydrogen compound gas for reducing a chlorine radical are introduced into the process chamber, to thereby deposit the tungsten silicide layer on the polysilicon layer. The chlorine radical of the silicon source gas is reduced into hydrogen chloride by the hydrogen compound gas and is removed together with an exhaust gas.

Abstract translation: 将具有多晶硅层的半导体衬底装载到等离子体增强化学气相沉积设备的处理室中。 将用于减少氯自由基的硅源气体，钨源气体和氢化合物气体引入到处理室中，由此在多晶硅层上沉积硅化钨层。 硅源气体的氯自由基被氢化合物气体还原成氯化氢，并与废气一起被除去。