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公开(公告)号：KR100697694B1
公开(公告)日：2007-03-20
申请号：KR1020050070501
申请日：2005-08-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L21/823842
Abstract: 듀얼 게이트를 갖는 반도체 장치 및 그 제조 방법이 개시되어 있다. 상기 장치는 제1 도전형의 모스 트랜지스터가 형성되는 제1 영역과 상기 제1 도전형과 반대인 제2 도전형의 모스 트랜지스터가 형성되는 제2 영역을 갖는 반도체 기판을 포함한다. 기판의 제1 영역 상에 제1 게이트 유전막이 형성되고, 제1 게이트 유전막 상에 하부 금속성 도전 패턴, 상부 금속성 도전 패턴 및 제1 폴리실리콘층 패턴이 순차적으로 적층된 제1 게이트 전극이 형성된다. 기판의 제2 영역 상에 제2 게이트 유전막이 형성되고, 제2 게이트 유전막 상에 제2 폴리실리콘층 패턴으로 이루어진 제2 게이트 전극이 형성된다. 하부 금속성 도전 패턴의 식각 마스크로 사용되는 상부 금속성 도전 패턴을 제거하지 않기 때문에, 게이트 유전막이 손상되는 것을 방지하고 공정 단순화를 도모할 수 있다. 또한, 상부 금속성 도전 패턴을 얇게 형성할 수 있으므로 제1 영역과 제2 영역 간의 게이트 전극에 의한 단차를 줄여 게이트 패터닝을 위한 식각 공정을 용이하게 실시할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100655658B1
公开(公告)日：2006-12-08
申请号：KR1020050068050
申请日：2005-07-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
Abstract: A gate electrode structure is provided to easily use a gate insulation layer pattern made of a material including a metal oxide and improve threshold voltage control capability by using a metal-containing material as a gate conductive layer pattern. A first conductive layer pattern(10) includes metal. A second conductive layer pattern(12) is formed on the first conductive layer pattern, including metal and silicon. A third conductive layer pattern(14) is formed on the second conductive layer pattern, including polysilicon. The metal included in the first conductive layer pattern is the same as that included in the second conductive layer pattern. The second conductive layer pattern includes a metal silicide thin film formed by a CVD process, a sputtering process or a silicidation process.
Abstract translation: 提供栅电极结构以容易地使用由包括金属氧化物的材料制成的栅极绝缘层图案，并通过使用含金属材料作为栅极导电层图案来提高阈值电压控制能力。 第一导电层图案（10）包括金属。 第二导电层图案（12）形成在第一导电层图案上，包括金属和硅。 第三导电层图案（14）形成在包括多晶硅的第二导电层图案上。 包含在第一导电层图案中的金属与包含在第二导电层图案中的金属相同。 第二导电层图案包括通过CVD工艺，溅射工艺或硅化工艺形成的金属硅化物薄膜。
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公开(公告)号：KR101781620B1
公开(公告)日：2017-09-25
申请号：KR1020100085650
申请日：2010-09-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/092 , H01L21/28088 , H01L21/823842 , H01L29/161 , H01L29/4236 , H01L29/42364 , H01L29/42376 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66545
Abstract: 본발명은서로다른종류의금속층으로이루어진모오스트랜지스터의제조방법을개시한다. 그의방법은, 제 1 활성영역과제 2 활성영역을갖는기판을제공하는단계와, 상기제 1 활성영역과상기제 2 활성영역상에더미게이트스택들을형성하는단계와, 상기더미게이트스택들양측의상기제 1 활성영역과상기제 2 활성영역내에소스/드레인영역들을형성하는단계와, 상기소스/드레인영역들상에몰드절연막을형성하는단계와, 상기더미게이트스택들을제거하여상기제 1 활성영역에제 1 트렌치를형성하고, 상기제 2 활성영역에제 2 트렌치를형성하는단계와, 상기제 1 트렌치와제 2 트렌치를포함하는상기기판의전면에게이트절연막을형성하는단계와, 상기 1 트렌치와제 2 트렌치의하부에제 1 금속패턴들을형성하는단계와, 상기제 2 트렌치내의상기제 1 금속패턴을제거하는단계와, 상기제 1 트렌치와상기제 2 트렌치내에제 2 금속층을형성하여상기제 1 활성영역상에제 1 게이트전극과, 상기제 2 활성영역상에제 2 게이트전극을형성하는단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明公开了一种制造由不同种类的金属层制成的MOS晶体管的方法。 该方法包括提供具有第一有源区任务2有源区的衬底，在第一有源区和第二有源区上形成伪栅叠层， 在第一有源区域和第二有源区域中形成源极/漏极区域，在源极/漏极区域上形成模具绝缘层，去除伪栅极堆叠以形成第一有源区域 在包括第一沟槽和第二沟槽的衬底的整个表面上形成栅绝缘膜;在第二有源区中形成第一沟槽和第二沟槽; 在第一沟槽和第二沟槽中形成第二金属层，以在第一沟槽中形成第二金属层并去除第二沟槽中的第一金属图案; 第一个活动区域 并且在第二有源区上形成第二栅电极。
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公开(公告)号：KR1020120088058A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：KR1020100113350
申请日：2010-11-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8238 , H01L21/28 , H01L29/51 , H01L29/66 , H01L29/49
CPC classification number: H01L21/823842 , H01L21/28185 , H01L21/28202 , H01L29/495 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66545
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device using a metal aluminum nitride is provided to easily secure the space for subsequent processes within a trench by controlling the composition ratio of a film using one film. CONSTITUTION: A substrate(2) includes a first area(I) and a second area(II). An interlayer insulating film(3) including a first trench(8) and a second trench(9) is formed on the substrate. A first gate insulating film(201) is formed on the upper surface of the interlayer insulating film. A work function controlling film(203) is formed on the first gate insulating film. A first metal gate electrode is formed to fill the first trench. A second metal gate electrode is formed to fill the second trench.
Abstract translation: 目的：提供一种使用金属氮化铝制造半导体器件的方法，通过使用一个膜控制膜的组成比来容易地确保沟槽内后续处理的空间。 构成：衬底（2）包括第一区域（I）和第二区域（II）。 在衬底上形成包括第一沟槽（8）和第二沟槽（9）的层间绝缘膜（3）。 第一栅绝缘膜（201）形成在层间绝缘膜的上表面上。 工件功能控制膜（203）形成在第一栅极绝缘膜上。 形成第一金属栅电极以填充第一沟槽。 形成第二金属栅电极以填充第二沟槽。
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公开(公告)号：KR1020080030757A
公开(公告)日：2008-04-07
申请号：KR1020060097025
申请日：2006-10-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: F25D21/04 , A23B5/015 , A23B7/015 , F25D21/08 , F25D25/02 , F25D29/00 , F25D2400/02 , F25D2700/16
Abstract: A refrigerator is provided to prevent dewdrops from forming in the surface of an insulating member, which is disposed between a main body and the shelves installed in the main body. A refrigerator comprises a main body(10), a high voltage generator installed on one side of the main body, and a high voltage application shelf(40). The high voltage application shelf is installed within the main body, spaced apart from the main body, and connected with the high voltage generator. An insulating member(60) is installed between the main body and the high voltage application shelf in order not to electrically conduct the high voltage applied on the shelf toward the main body. The insulating member is provided at the inside thereof with a heater(70) to prevent dewdrops from forming in the surface of the insulating member.
Abstract translation: 提供一种冰箱，以防止在设置在主体和安装在主体中的搁板之间的绝缘构件的表面中形成露珠。 冰箱包括主体（10），安装在主体一侧的高压发生器和高压施加架（40）。 高压应用架安装在主体内，与主体间隔开，并与高压发生器连接。 绝缘构件（60）安装在主体和高压施加架之间，以便不将施加在货架上的高电压导向主体。 绝缘构件的内部设置有加热器（70），以防止在绝缘构件的表面中形成露珠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100756582B1
公开(公告)日：2007-09-10
申请号：KR1020060107605
申请日：2006-11-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: F25D23/12 , A23L3/32 , F25D25/024
Abstract: A refrigerator is provided to maintain freshness of stored foods by including a high voltage generator for applying high voltage to any one of a fixed electrode and a moving electrode and providing an optimal electric field depending on kinds of stored objects in a storage room. A refrigerator comprises a main body, a fixed electrode(50), a moving electrode(60) and a high voltage generator. The main body includes a storage room. The fixed electrode is arranged in a wall surface of one side of the storage room. The moving electrode is arranged so as to be approached and spaced to/from the fixed electrode, and controls intensity of an electric field formed between the fixed electrodes. The high voltage generator applies high voltage to any one of the fixed electrode and the moving electrode.
Abstract translation: 提供一种冰箱以通过包括用于向固定电极和移动电极中的任何一个施加高电压的高压发生器来保持储存食品的新鲜度，并且根据存储室中的存储物体的种类提供最佳电场。 冰箱包括主体，固定电极（50），移动电极（60）和高压发生器。 主体包括一个储藏室。 固定电极设置在储藏室一侧的壁面上。 移动电极布置成与固定电极接近并隔开，并且控制在固定电极之间形成的电场的强度。 高电压发生器对固定电极和移动电极中的任何一个施加高电压。
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公开(公告)号：KR1020070084765A
公开(公告)日：2007-08-27
申请号：KR1020060016949
申请日：2006-02-21
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: A food storage apparatus is provided, which has first electrode parts and second electrode parts in a storage container which are electrically connected when the storage container is loaded on a storage room to cause electrical current to flow to the food in the storage container. A food storage apparatus for sterilizing food which is stored in a storage container(102) by applying electrical energy to the food comprises: at least two first electrode parts(106a,106b) arranged at the storage container to transfer electrical energy in the form of an electrical current and additionally a storage room(122) with the at least two second electrode parts(104a,104b) and receiving the storage container. The two second electrode parts are electrically connected to the two first electrode parts when the storage container is loaded on the storage room, which causes electrical current to flow to the food.
Abstract translation: 提供了一种食品储存装置，其具有在储存容器装载在储藏室上时电连接的存储容器中的第一电极部分和第二电极部分，以使电流流向储存容器中的食物。 一种通过向食物施加电能来储存在储存容器（102）中的食物的食物储存装置，包括：至少两个第一电极部件（106a，106b），布置在存储容器中以将电能以 一个电流，另外一个具有至少两个第二电极部分（104a，104b）的储存室（122）并且接收存储容器。 当存储容器装载在储藏室上时，两个第二电极部分电连接到两个第一电极部分，这导致电流流向食物。
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公开(公告)号：KR100723359B1
公开(公告)日：2007-05-31
申请号：KR1020060094125
申请日：2006-09-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명에 따른 냉장고는 저장실이 형성된 본체와, 저장실을 구획하는 선반과, 선반에 고전압을 인가하는 고전압발생기와, 저장실에 저장되는 저장물의 정보를 인식할 수 있는 인식부와, 저장물의 정보에 따라 설정된 최적전압의 데이터가 저장되어 있는 저장부와, 인식부에서 인식된 저장물의 정보에 대응되는 데이터에 기초하여 고전압발생기를 제어하는 제어부를 포함한다. 이에 의하여, 저장물의 종류에 따른 최적전압을 인가하여 저장된 식품의 신선도를 신뢰성 있게 유지시킬 수 있다.
냉장고, 선반, 고전압Abstract translation: 根据本发明的根据识别单元，和水的信息的存储可识别该高电压发生器和存储在存储室，用于将高电压施加到架子的水的贮存信息，和货架存储冷藏室的成形体，所述存储室 以及控制单元，用于基于与识别单元识别的存储器的信息相对应的数据来控制高电压发生器。 因此，通过根据储存食物的种类施加最佳电压，可以可靠地保持储存食物的新鲜度。
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公开(公告)号：KR1020070016213A
公开(公告)日：2007-02-08
申请号：KR1020050070501
申请日：2005-08-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L21/823842 , H01L27/092
Abstract: 듀얼 게이트를 갖는 반도체 장치 및 그 제조 방법이 개시되어 있다. 상기 장치는 제1 도전형의 모스 트랜지스터가 형성되는 제1 영역과 상기 제1 도전형과 반대인 제2 도전형의 모스 트랜지스터가 형성되는 제2 영역을 갖는 반도체 기판을 포함한다. 기판의 제1 영역 상에 제1 게이트 유전막이 형성되고, 제1 게이트 유전막 상에 하부 금속성 도전 패턴, 상부 금속성 도전 패턴 및 제1 폴리실리콘층 패턴이 순차적으로 적층된 제1 게이트 전극이 형성된다. 기판의 제2 영역 상에 제2 게이트 유전막이 형성되고, 제2 게이트 유전막 상에 제2 폴리실리콘층 패턴으로 이루어진 제2 게이트 전극이 형성된다. 하부 금속성 도전 패턴의 식각 마스크로 사용되는 상부 금속성 도전 패턴을 제거하지 않기 때문에, 게이트 유전막이 손상되는 것을 방지하고 공정 단순화를 도모할 수 있다. 또한, 상부 금속성 도전 패턴을 얇게 형성할 수 있으므로 제1 영역과 제2 영역 간의 게이트 전극에 의한 단차를 줄여 게이트 패터닝을 위한 식각 공정을 용이하게 실시할 수 있다.
Abstract translation: 公开了具有双栅极的半导体器件及其制造方法。 该装置包括具有其中形成有第一导电类型的MOS晶体管的第一区域和其中形成有与第一导电类型相反的第二导电类型的MOS晶体管的第二区域的半导体衬底。 在所述衬底的第一区域上形成第一栅极介电层，该第一栅极介电层到下金属导电图案，所述上金属导电图案和所述第一多晶硅层图案与第一栅电极依次堆叠形成。 第二栅极介电层形成在衬底的第二区域上，并且第二多晶硅层图案的第二栅极形成在第二栅极介电层上。 由于用作下部金属导电图案的蚀刻掩模的上部金属导电图案未被去除，所以可防止栅极电介质膜受损并且可简化工艺。 另外，由于上部金属导电图案可以形成得较薄，所以可以减小由于第一区域和第二区域之间的栅电极造成的台阶差异，从而有利于栅极图案化的蚀刻工艺。
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公开(公告)号：KR1020060120952A
公开(公告)日：2006-11-28
申请号：KR1020050043210
申请日：2005-05-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/318 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02115 , H01L21/02183 , H01L21/324 , H01L21/8238 , H01L29/42312
Abstract: A method for forming a TaCN layer and a method for manufacturing a semiconductor device using the same are provided to form a gate having a low equivalent oxide thickness by using a high dielectric layer as a gate insulating layer of a MOS transistor. A source gas inflow process is performed to introduce a source gas into a substrate(100). The source gas includes a bonding structure of tantalum, nitrogen, and carbon, and a ligand compound ligand-coupled with the bonding structure. A TaCN layer forming process is carried out to form a TaCN layer on the substrate by decomposing thermally the source gas. The source gas is formed with a tantalum amine derivative which is expressed by Ta(NR1)(NR2R3)3.
Abstract translation: 提供了形成TaCN层的方法和使用其制造半导体器件的方法，以通过使用高介电层作为MOS晶体管的栅极绝缘层来形成具有低当量氧化物厚度的栅极。 进行源气体流入处理以将源气体引入到基板（100）中。 源气体包括钽，氮和碳的键合结构，以及与键合结构耦合的配体化合物配体。 通过对源气体进行热分解，进行TaCN层形成工序以在基板上形成TaCN层。 源气体由Ta（NR1）（NR2R3）3表示的钽胺衍生物形成。
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