公开(公告)号：KR100871692B1

公开(公告)日：2008-12-08

申请号：KR1020060109580

申请日：2006-11-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박혜영 ,  조성래 ,  배병재 ,  이진일 ,  임지은 ,  박영림

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/1233 ,  C07F7/30 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683 ,  Y10T428/31678

Abstract: 저온 증착용 금속 전구체, 그를 사용한 금속 박막 형성 방법 및 상변화 메모리 소자 제조 방법을 제공한다. 상기 금속 전구체는 고리를 구성하는 원소들 중 적어도 하나가 금속인 금속 고리화합물이다. 이로써, 금속 박막의 증착 온도를 감소시킬 수 있다. 나아가, 상기 금속 고리화합물을 금속 전구체로 사용함으로써 미세한 비아홀 내에 금속 박막을 보이드 없이 채울 수 있다.

公开(公告)号：KR1020080041460A

公开(公告)日：2008-05-13

申请号：KR1020060109580

申请日：2006-11-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박혜영 ,  조성래 ,  배병재 ,  이진일 ,  임지은 ,  박영림

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/1233 ,  C07F7/30 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683 ,  Y10T428/31678 ,  G11C13/0004

Abstract: A method for forming a metal thin film using a metal precursor for low temperature deposition is provided to decrease the deposition temperature of a metal thin film by using a metal cyclic compound as a metal precursor. A lower electrode(135) is formed on a substrate(100). A mold insulation layer(140) is formed on the lower electrode. A via hole(140a) is formed in the mold insulation layer, exposing a part of the lower electrode. A metal precursor is supplied to the substrate to fill the via hole with a phase change material layer wherein the metal precursor is a metal cyclic compound in which at least one of elements constituting a cycle is metal. An upper electrode(160) is formed on the phase change material layer.

Abstract translation: 提供了使用金属前体进行低温沉积来形成金属薄膜的方法，通过使用金属环状化合物作为金属前体来降低金属薄膜的沉积温度。 在基板（100）上形成下电极（135）。 在下部电极上形成有模具绝缘层（140）。 在模具绝缘层中形成通孔（140a），暴露下部电极的一部分。 金属前体被提供给基板以用相变材料层填充通孔，其中金属前体是其中构成循环的元素中的至少一个元素是金属的金属环状化合物。 在相变材料层上形成上电极（160）。

公开(公告)号：KR1020080035844A

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：KR1020060102415

申请日：2006-10-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영림 ,  조성래 ,  배병재 ,  이진일 ,  박혜영 ,  임지은

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/2436 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45553 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1675

Abstract: A method for forming a phase change material layer and a method for manufacturing a phase change memory device are provided to implement excellent junction characteristic with a lower layer and to implement excellent electrical characteristic by using plasma whose hydrogen gas is properly controlled. Hydrogen gas of a first flux is introduced into a reactive chamber where a substrate(10) is loaded to form a first plasma. A cyclic chemical vapor deposition process using first, second, and third precursors is performed in the chamber where the first plasma is formed to form a lower phase change material layer(20) on the substrate. The lower phase change material layer has a first dimension of grain. Hydrogen gas of a third flux smaller than the first flux is introduced into the chamber to form a second plasma. A cyclic chemical vapor deposition process using first, second, and third precursors is performed in the chamber where the second plasma is formed to form an upper phase change material layer(30) on the substrate. The upper phase change material layer has a second dimension of grain smaller than the first dimension.

Abstract translation: 提供一种形成相变材料层的方法和相变存储器件的制造方法，以通过使用适当控制氢气的等离子体来实现与下层的优良结合特性并实现优异的电特性。 将第一通量的氢气引入反应室中，其中衬底（10）被加载以形成第一等离子体。 在其中形成第一等离子体的室中进行使用第一，第二和第三前体的循环化学气相沉积工艺，以在衬底上形成下相变材料层（20）。 下相变材料层具有晶粒的第一尺寸。 将小于第一通量的第三通量的氢气引入室中以形成第二等离子体。 在其中形成第二等离子体的腔室中进行使用第一，第二和第三前体的循环化学气相沉积工艺，以在衬底上形成上相变材料层（30）。 上相变材料层具有小于第一尺寸的颗粒的第二尺寸。

公开(公告)号：KR100729231B1

公开(公告)日：2007-06-15

申请号：KR1020050071152

申请日：2005-08-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임지은 ,  유동철 ,  배병재 ,  임동현 ,  김석필

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

Abstract: 향상된 특성을 갖는 강유전체 구조물, 강유전체 구조물의 제조 방법, 강유전체 구조물을 포함하는 강유전체 캐패시터, 강유전체 캐패시터의 제조 방법, 강유전체 캐패시터를 구비하는 반도체 장치 및 그 제조 방법이 개시된다. 제1 금속 산화물을 사용하여 제1 하부 전극막을 형성한 후, 제1 하부 전극막 상에 제2 하부 전극막을 형성한다. 제2 하부 전극막은 제1 금속, 제1 금속 산화물 및/또는 제1 합금을 사용하여 형성된다. 제1 하부 전극막 아래에는 제2 금속 또는 제2 금속 질화물로 이루어진 접착층이 형성된다. 제2 하부 전극막 상에 강유전체층을 형성한 다음, 강유전체층 상에 제2 금속 산화물을 사용하여 제1 상부 전극막을 형성한다. 제1 상부 전극막 상에 제2 합금을 사용하여 제2 상부 전극막을 형성한다. 제1 및 제2 상부 전극막을 포함하는 강유전체 구조물의 분극 또는 데이터 보존력의 향상, 피로 저항 증가, 센싱 마진의 증가 등과 같이 강유전적 및 전기적 특성을 크게 개선할 수 있으며, 이러한 강유전체 구조물을 갖는 강유전체 캐패시터의 강유전적 및 전기적 특성을 현저하게 향상시킬 수 있다.

Abstract translation: 一种强电介质结构，产生的强电介质结构的方法，公开了一种制造铁电电容器，铁电电容器，包括强电介质结构中，半导体器件及其制造方法，其包括具有改进的特性的铁电电容器的方法。 在使用第一金属氧化物形成第一下部电极膜之后，在第一下部电极膜上形成第二下部电极膜。 第二下电极膜使用第一金属，第一金属氧化物和/或第一合金形成。 在第一下电极膜之下形成由第二金属或第二金属氮化物制成的粘合剂层。 在第二下电极膜上形成铁电层，然后在铁电层上使用第二金属氧化物形成第一上电极膜。 通过使用第二合金在第一上部电极膜上形成第二上部电极膜。 第一和第二偏振或改善铁电结构，包括上部电极膜的数据保持，所以能够显著改善铁电体完全和电学性质，如耐疲劳性增加时，增加了感测裕度，强电介质电容器具有这样的铁电结构 铁电和电特性可以显着改善。

公开(公告)号：KR1020070052808A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：KR1020050110500

申请日：2005-11-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최석헌 ,  손윤호 ,  임지은 ,  임동현 ,  홍창기 ,  허장은

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/91 ,  H01L2924/1441

Abstract: 향상된 특성을 갖는 강유전체 커패시터를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법이 개시된다. 기판 상에 하부 구조물 및 절연 구조물을 형성한다. 상기 절연 구조물을 관통하는 패드와 상기 패드와 연결되는 실린더 형상의 하부 전극을 형성한다. 상기 절연 구조물 및 하부 전극 상에 실리적으로 균일한 두께를 갖는 강유전체층, 상부 전극층 및 식각 마스크를 형성한다. 상기 상부 전극층 및 강유전체층을 식각하여 상기 상부 전극 및 강유전체 패턴을 형성한 후 상부 전극을 절연시키는 절연막 패턴을 형성함으로서 강유전체 커패시터를 완성한다. 상술한 방법은 절연막 패턴을 형성할 때 강유전체 패턴의 식각 손상을 방지할 수 있어 강유전체 패턴의 열화를 방지할 수 있다.