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公开(公告)号：KR1020060070950A
公开(公告)日：2006-06-26
申请号：KR1020040109830
申请日：2004-12-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/706 , G03F1/44 , G03F1/14 , G03F7/70666
Abstract: 광로 이탈 정도를 측정하기 위한 광학 마스크 및 이를 이용하여 광도 이탈 정도를 측정하는 방법을 제공한다. 본 발명은 기준 패턴 및 비교 패턴을 구비하는 광학 마스크를 준비하고, 소정의 노광 빔을 사용하는 노광 시스템 내에 상기 광학 마스크를 로딩한 후, 상기 노광 빔을 사용하여 상기 광학 마스크를 소정의 결상면에 투영하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 상기 기준 패턴 및 상기 비교 패턴에 상응하는 기준 이미지 및 비교 이미지가 상기 결상면(image plane)에 결상(imaging)된다. 이후, 상기 기준 이미지와 상기 비교 이미지 사이의 거리를 측정하여 상기 노광 빔의 이탈각(aberration angle)을 결정한다. 이때, 상기 기준 패턴 및 상기 비교 패턴은 이들을 각각 통과하는 노광 빔들의 방향이 달라지도록 서로 다른 구조로 형성되는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020060045265A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：KR1020040092689
申请日：2004-11-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2024 , G03F7/70466 , H01L21/0274 , H01L21/0338
Abstract: 반도체소자의 미세 패턴 형성방법이 제공된다. 이 방법은 기판 상에 라인 공간(line and space) 형태의 포지티브 감광막 패턴을 구비한다. 상기 기판을 전면 노광하여 상기 포지티브 감광막 패턴 내부에 산을 발생시킨다. 상기 산이 발생된 포지티브 감광막 패턴의 공간(space) 패턴 영역에 네가티브 감광막 패턴을 형성한다. 상기 산이 발생된 포지티브 감광막 패턴의 계면에서 상기 네가티브 감광막 패턴 내부로 산을 확산시킨다. 이때, 상기 네가티브 감광막 패턴 영역 중 산이 확산 되지 않은 영역이 존재하도록 한다. 상기 기판을 현상하여 상기 기판 상에 라인 공간 형태의 산이 확산된 영역의 네가티브 감광막 패턴을 형성한다.
포지티브 감광막, 네가티브 감광막, 산 확산, 라인 공간 패턴, 피치-
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公开(公告)号：KR100574930B1
公开(公告)日：2006-04-28
申请号：KR1019990066014
申请日：1999-12-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 멤브레인 블랭크 마스크 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 멤브레인 블랭크 마스크는, 멤브레인을 기계적 스트레스로부터 보호할 수 있는 멤브레인 보호막을 멤브레인 하부에 구비한다. 또한, 상기 멤브레인은 연속적인 형태일 수도 있고, 직사각형 형태의 불연속적인 패턴일 수도 있다. 본 발명에 따른 멤브레인 블랭크 마스크 제조방법은, 멤브레인 보호막을 형성하는 단계를 구비한다. 한편, 상기 멤브레인 블랭크 마스크는 전기화학적 식각방법에 의해서도 형성될 수 있다.
멤브레인 블랭크 마스크(membrane blank mask)-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020010058660A
公开(公告)日：2001-07-06
申请号：KR1019990066014
申请日：1999-12-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: PURPOSE: A membrane blank mask having a membrane passivation layer is provided to prevent a membrane from being damaged by mechanical stress in dealing with a membrane blank mask, by forming a membrane passivation layer in a lower portion of the membrane. CONSTITUTION: A metal layer(66') coupled to a lower surface of a resist layer is formed. A membrane(64') coupled to a lower surface of the metal layer is formed. A membrane passivation layer coupled to a lower surface of the membrane is formed to protect the membrane from mechanical stress. A silicon strut supports an upper layer structure including the membrane passivation layer, the membrane, the metal layer and the resist layer, coupled to a lower surface of the membrane passivation layer.
Abstract translation: 目的：提供具有膜钝化层的膜毛坯掩模，以通过在膜的下部形成膜钝化层来防止膜在处理膜毛坯掩模时被机械应力损坏。 构成：形成耦合到抗蚀剂层的下表面的金属层（66'）。 形成耦合到金属层的下表面的膜（64'）。 形成耦合到膜的下表面的膜钝化层以保护膜免受机械应力。 硅支柱支撑包括膜钝化层，膜，金属层和抗蚀剂层的上层结构，其耦合到膜钝化层的下表面。
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27.发明授权
公开(公告)号：KR100269330B1
公开(公告)日：2000-12-01
申请号：KR1019980024994
申请日：1998-06-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0276 , H01L21/28044 , H01L21/28061 , H01L21/76802
Abstract: 반사 방지 캡 및 스페이서를 구비하는 반도체 장치, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 형성 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 장치는 반도체 기판상에 형성된 반사성 패턴의 상면과 측벽에 각각 반사 방지 캡과 반사 방지 스페이서를 구비한다. 따라서 사진 식각 공정시 반사성 패턴으로부터 반사된 반사광에 의한 포토레지스트 패턴의 변형이 최소화된다.
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公开(公告)号：KR1019980016833A
公开(公告)日：1998-06-05
申请号：KR1019960036527
申请日：1996-08-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 조한구
IPC: G03F1/72
Abstract: 반도체 소자의 마스크 제조 방법에 대해 기재되어 있다. 석영 기판 상에 차광막을 증착하는 단계; 상기 차광막을 원하는 모양으로 패터닝하여 차광막 패턴을 형성하는 단계; 및 FIB(Focused Ion Beam) 장치의 폴리곤(다각형) 기능을 사용하여 상기 차광막 패턴중 원하는 모양으로 패터닝되지 않은 부분과 상기 석영 기판 상의 결함(Defect)부분을 동시에 설정한 후 식각하는 단계로 이루어진다.
그 결과 차광막 패턴중 원하는 모양으로 패터닝되지 않은 부분과 석영 기판 상의 결함(Defect)이 동시에 리페어(Repair)되어, 차광막에 원하는 크기의 패턴을 형성하고 상기 결함의 중심 영역 하부보다 가장자리 영역 하부에서 석영 기판의 식각율이 크게 나타나는 리버 베딩 현상을 최소화할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019970049063A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950066976
申请日：1995-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 조한구
IPC: G03F7/20
Abstract: 본 발명은 전자빔 노광 장치에서의 노광 조건 결정 방법에 관한 것으로서, 본 발명에서는 가우시안 빔 에너지 분포를 가지는 전자빔 노광 장치를 이용하여 패턴이 균일한 포토마스크를 제작하기 위한 노광 조건을 결정하기 위하여, 어드레스 사이즈와 빔 스폿 사이즈를 포함하는 인자와 소정의 경계 조건으로부터 가우시안 분포에 의거한 인텐시티 함수 및 그 미분 함수를 유도하고, 인텐시티 함수값이 1인 경우에 대한 상기 인텐시티 함수의 변화량 및 미분 함수의 변화량이 작은 값에 대응하는 상기 인자의 값으로부터 노광 조건을 결정한다. 본 발명에 의하면, 균일한 패턴을 얻을 수 있는 노광 조건을 결정할 수 있고, 또한 노광공정에 소요되는 시간을 절약할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020080081653A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：KR1020070021960
申请日：2007-03-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/28132 , H01L21/4846 , H01L27/11531 , H01L2924/0002
Abstract: A method for forming a fine pattern of a semiconductor device is provided to embody a lay out in which arrays are repeated, by forming a second line pattern made of an independent individual line pattern without using a trimming process and by inserting a dummy pattern. A first pattern of a feature size is formed on a substrate, made of a plurality of first line patterns that have an arbitrary pitch and are repeatedly formed in a first direction. A second pattern made of a plurality of second line patterns repeatedly formed in the first direction between two adjacent first line patterns among the first line patterns is formed to obtain a fine pattern of a half pitch. The first line pattern is disconnected in a second direction vertical to the first direction, and the second line patterns positioned at both sides of the disconnected first line pattern are interconnected in the first direction. A jog pattern(14b) having an end part in the first direction is formed at one side of the first line pattern adjacent to the interconnected second line pattern so that the second line pattern is disconnected in the second direction. The fine pattern can be a line and space pattern.
Abstract translation: 提供一种用于形成半导体器件的精细图案的方法，以通过形成由独立的单独线条图案制成的第二线条图案而不使用修剪工艺并插入虚拟图案来体现重复阵列的布局。 特征尺寸的第一图案形成在由具有任意间距并在第一方向上重复形成的多个第一线图案的基板上。 形成由第一线图案中的两个相邻的第一线图案之间沿第一方向重复形成的多个第二线图案的第二图案，以获得半间距的精细图案。 第一线图案在与第一方向垂直的第二方向上断开，并且位于不连接的第一线图案的两侧的第二线图案在第一方向上互连。 在第一线图案的与互连的第二线图案相邻的一侧形成有在第一方向上具有端部的点动图案（14b），使得第二线图案沿第二方向断开。 精细图案可以是线和空格。
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