Abstract:
본 발명은 플라즈마를 이용한 식각공정이 진행되는 반도체장치 제조용 플라즈마 식각설비에 관한 것이다. 본 발명은, 식각가스를 사용한 식각공정이 진행되는 공정챔버와 상기 식각공정이 진행될 웨이퍼가 대기하며, 웨이퍼가 출입할 수 있는 슬릿밸브가 설치된 로드락챔버가 구비되는 반도체장치 제조용 플라즈마 식각설비에 있어서, 상기 로드락챔버 상부에 퍼지가스공급원에서 공급되는 퍼지가스가 일정압력 및 일정방향으로 분사될 수 있는 가스분사수단이 설치되고, 상기 로드락챔버 일측에 상기 공정챔버에서 유출된 가스를 펌핑할 수 있는 펌핑수단이 설치된 배기라인이 더 설치됨을 특징으로 한다. 따라서, 공정챔버 내부에서 발생된 공정부산물이 로드락챔버에서 부유되어 식각공정이 진행될 웨이퍼를 오염시키는 것을 방지할 수 있고, 식각가스가 카세트 대기챔버 및 식각설비 주변부를 오염시키는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
Abstract:
PURPOSE: A wafer polishing device and a wafer polishing method are provided to simultaneously correct D/F value applied on each carrier of a multi-head part in CMP process, and corrects D/F value applied on each carrier of a multi-hear part by in-situ method. CONSTITUTION: A wafer polishing device includes a pad, a multi-head, cylinders, load-cells, and a display part. The pad polishes a wafer. The multi-head includes many carriers corresponding to one waver, and holds the wafer. The cylinders are arranged on the multi-head, applies a pressure on each carrier. The load-cells are arranged between the cylinder and the multi-head, and measure a pressure applied on a carrier from each cylinder. The display part changes a pressure value measured in each load cell to a current value, and displays each current signal at the same time. The wafer polishing device regulates a pressure value applied on a carrier from each cylinder, makes the current signals to be identical, and thus a vertical pressure about each carrier of the multi-head can be corrected.
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a shelter plate for reducing a sputtering contamination source and improving an inductive coupling among plasma is provided to eliminate the sputtering contamination source of a dielectric window caused by a capacitive electric field, by reducing an obstacle of the capacitive electric field generated by a coil while maintaining the inductive coupling between the coil and a plasma gas. CONSTITUTION: A plasma-etch process is performed. A pattern of first and second regions etched in a dielectric window is sampled after the etch process is performed for a predetermined interval of time. A sheltering plate is formed by processing a metal plate, so that the first region of the sampled pattern becomes a sheltering layer and the second region becomes an opening.
Abstract:
반도체 웨이퍼의 클램핑시 웨이퍼와 클램프의 고정력 불균일에 의한 웨이퍼 손상 및 깨짐현상을 방지할 수 있도록 한 반도체 웨이퍼 클램프 조립체에 관한 것으로, 본 고안의 구성은 공정챔버내의 프레임(11)에 보울트(13)로 고정되는 클램프 홀더(12)와, 상기 클램프 홀더의 일측에 고정되어 웨이퍼의 가장자리부를 고정하는 클램프(14)와, 상기 클램프 홀더의 상부에 설치된 클램프 커버(16)로 구성된 반도체 웨이퍼 클램프 조립체에 있어서, 상기 클램프(14)가 탄력적으로 유동 가능하도록 상기 클램프 홀더(12)의 내측 단턱(12b)과 이를 고정하는 보울트(13)의 머리부(13a) 사이에 설치된 코일스프링(19)과, 상기 보울트(13)의 머리부(13a)와 프레임(11) 상면 사이의 보울트(13) 몸체 외주에 개재되어 상기 코일스프링(19)의 탄성력을 일정하게 제한적으로 유지하는 스� �이서(20)가 설치된 것이다. 따라서 웨이퍼 클램핑시 각 클램프와 웨이퍼 사이의 고정력이 균일하게 이루어져 웨이퍼의 변형에 의한 손상 및 깨짐이 방지됨으로써 수율이 향상되는 효과가 있다.
Abstract:
반도체 장치를 제조하는 설비를 운용하면서 입력단에 따로 연결하여 보다 편리한 조건에서 설비의 상태를 점검하고, 설비의 이상 발생시 이에 대한 원인을 파악하기 위한 시스템을 설비 점검시에 적용하도록 하는 반도체 장치 제조설비의 진단 시스템과 이를 이용한 식각설비 및 노광설비에 관한 것으로서, 반도체 장치 제조공정이 수행되며, 제조공정 및 설비의 상태신호를 출력하는 제조설비, 상기 제조설비로부터 인터페이스를 위한 전송선로를 통해 연결되고 상기 제조설비를 제어하는 설비제어 시스템 및 상기 전송선로에 형성된 소정 연결부에 별도로 탈착 자재하게 연결되어서 상기 제조설비로부터 인가되는 각종 동작신호를 분석하여 상기 제조설비를 진단하는 진단 시스템을 구비하여 상기 제조설비의 상태를 모니터링하고, 상기 제조설비를 제어하도록 이루어진다.
Abstract:
식각설비 중 웨이퍼 저장챔버에 진공형성시 잔류가스가 원활히 배출되도록 하고, 퍼지가스가 일정한 온도를 유지하면서 골고루 공급되도록 하는 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비에 관한 것이다. 본 발명은, 프로세스 챔버와 카세트 챔버 사이에 연결된 로드로크 챔버와 대기의 흐름이 자유롭게 이루어진 웨이퍼 저장챔버가 구비된 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비에 있어서, 상기 웨이퍼 저장챔버의 일측에 설치되어서 퍼지가스가 공급되는 가스공급부 및 상기 웨이퍼 저장챔버의 다른 일측에 설치되고, 진공펌프에 연결되어 상기 웨이퍼 저장챔버 내부의 불순물 배출 및 진공형성을 위한 진공배관을 구비하여 이루어진다. 따라서, 본 발명에 의하면 챔버에 진공을 형성하는 데 있어서 배관을 더 형성함으로써 진공형성이 빠르게 이루어지고, 유독성 가스를 강제송풍에 의해 배출되며, 또한 퍼지가스가 온도가 상승된 분위기에서 골고루 공급되는 효과가 있다.
Abstract:
반도체 제조설비에 오존을 공급하기 위한 오존 발생장치에 관한 것이다. 본 발명의 구성은 일측의 수직측판(11)과 수평받침판(12)∼(14)으로 이루어진 프레임(15)을 구비하여 제 1 및 제 2 파워서플라이(17)(18), 컨트롤카드(19)를 수평받침판상에 상,하로 배치하고, 셀(16)은 제 1 및 제 2 파워서플라이의 후방에 배치하여 제 1 및 제 2 파워서플라이와 전기적으로 접속하며, 복수개의 가스포트(21)가 형성된 모듈(20)은 파워서플라이의 측방에 배치하고 복수개의 가스포트와 셀을 각종 가스라인(22)으로 연결하여 이루어진 것이다. 따라서 주요부품의 과열로 인한 고장이 예방되고, 정기적인 검검이나 고장수리시 작업이 매우 용이하며, 설치공간의 축소로 작업자의 작업공간이 넓어지는 효과가 있다.
Abstract:
본 발명은 고집적화되어가는 최근의 반도체소자의 스펙을 만족시킬 수 있는 폴리막의 식각공정을 수행하기 위한 반도체장치의 폴리막 식각방법에 관한 것이다. 본 발명은, 유도결합형의 나선형공명기로 형성시킨 플라즈마를 이용하여 폴리막을 식각시킴을 특징으로 한다. 따라서, 최근의 반도체소자의 스펙을 만족시킬 수 있는 폴리막의 식각공정의 수행으로 반도체소자의 신뢰도가 향상되는 효과가 있다.