발광다이오드 패키지
    21.
    发明授权
    발광다이오드 패키지 有权
    LED封装

    公开(公告)号:KR101532878B1

    公开(公告)日:2015-06-30

    申请号:KR1020140064830

    申请日:2014-05-29

    Abstract: 발광다이오드패키지가개시된다. 발광다이오드패키지는제1 평면및 상기제1 평면과단차진제2 평면을포함하는상부면을구비하고, 상기상부면은제1 방향으로의길이및 상기제1 방향에수직한제2 방향으로의폭을갖는전도성기판, 상기제1 평면상에형성된제1 절연층, 상기제2 평면과이격되고, 상기제1 절연층상에배치되는제1 전극층, 상기제2 평면상에배치되고, 상기제1 전극층및 상기전도성기판과각각전기적으로연결된제1 전극및 제2 전극을구비하는발광다이오드를구비하는발광소자; 상기제1 전극층과마주보는제1 면, 상기상부면에대향하는상기전도성기판의하부면과마주보고상기제1 면에평행한제2 면및 상기제1면과상기제2면을연결하며, 상기제1 방향으로의길이및 상기제1 방향에수직한제3 방향으로의폭을갖는바닥면에의해형성되고, 상기발광소자의적어도일부가삽입되는삽입홈을구비하는히트싱크; 상기바닥면상에배치되고, 상기전도성기판의상부면과하부면을연결하는측면과접촉하여상기전도성기판과전기적으로연결된제2 전극층; 및상기제1 면상에배치되고, 상기제1 전극층과접촉하는제3 전극층을포함한다.

    Abstract translation: 公开了一种发光二极管封装。 发光二极管封装包括上侧,其包括第一平面和从第一平面阶梯形的第二平面。 上侧包括:发光器件,其包括具有在第一方向上的长度和垂直于第一方向的第二方向的宽度的导电衬底,形成在第一平面上的第一绝缘层,与第一电极层分离的第一电极层 所述第二平面布置在所述第一绝缘层上,并且发光二极管分别布置在所述第二平面上,并且具有分别与所述第一电极层和所述导电基板连接的第一电极和第二电极; 散热器,其包括面向所述第一电极层的第一侧,与所述导电基板的与所述上侧相反并与所述第一侧平行的下侧的第二侧;以及插入槽,其将所述第一侧和所述第二侧 由具有在第一方向上的长度和垂直于第一方向的第三方向上的宽度的底侧形成,并且至少部分发光二极管被插入; 第二电极层,其布置在底侧上,并且与导电基板电连接,与导电基板的横向侧接触,导电基板的上侧连接到导电基板的下侧; 以及布置在第一侧上并与第一电极层接触的第三电极层。

    규칙적인 알루미늄 양극 산화 홀의 형성방법 및 이를이용한 자기기록매체의 형성방법
    22.
    发明公开
    규칙적인 알루미늄 양극 산화 홀의 형성방법 및 이를이용한 자기기록매체의 형성방법 失效
    形成高级铝氧化型氧化孔的方法及使用其形成磁记录介质的方法

    公开(公告)号:KR1020090014543A

    公开(公告)日:2009-02-11

    申请号:KR1020070078588

    申请日:2007-08-06

    Abstract: A method for forming high ordered aluminum anodizing oxidation holes and a method for forming magnetic recording media using the same are provided to form high ordered nano-holes regularly by controlling the formation position on the aluminium layer through a guide pattern. A method for forming high ordered aluminum anodizing oxidation holes comprises a step of selectively forming a guide pattern(14a) for guiding the forming position of anode oxidation holes formed during anode oxidation by selectively blocking aluminium area exposed on an aluminum layer(12), and a step of regularly forming a plurality of nano-holes in which alumina is formed on the outside surface by performing anode oxidation on the exposed aluminium area and controlling formation position of nano-hole(12b) according to the kind of the guide pattern masking the exposed aluminium area.

    Abstract translation: 提供一种形成高阶铝阳极化氧化孔的方法以及使用其形成磁记录介质的方法,以通过引导图案控制铝层上的形成位置来规则地形成高有序纳米孔。 一种形成高阶铝阳极化氧化孔的方法,包括以下步骤:选择性地形成引导图案(14a),用于通过选择性地阻挡暴露在铝层(12)上的铝区域来引导在阳极氧化期间形成的阳极氧化孔的形成位置,以及 通过在露出的铝区域上进行阳极氧化,并且根据导电图案的种类来控制纳米孔(12b)的形成位置,从而在外表面上规则地形成多个纳米孔,其中在外表面上形成氧化铝, 暴露铝面积。

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