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公开(公告)号：KR1020170083885A
公开(公告)日：2017-07-19
申请号：KR1020160003334
申请日：2016-01-11
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Inventor： 서수정 , 송영일 , 박정갑 , 조영래 , 김태유 , 나영일 , 신진하 , 이정우 , 홍두표 , 박정호 , 안병욱 , 백승빈 , 윤숙영 , 김선우 , 김석훈 , 박종환 , 신세희
Abstract: 투명전극의제조방법이개시된다. 투명전극은기판의상부면상에포토레지스트패턴을형성하고, 그위에금속박막을형성하며, 이어서금속박막상에그래핀복합체박막을형성한후 포토레지스트패턴을제거함으로써형성될수 있다.
Abstract translation: 公开了一种制造透明电极的方法。 透明电极可以通过形成在所述基板的上表面的光致抗蚀剂图案形成，且在其上形成的金属箔，然后在所述石墨烯复合膜之后被设置在所述金属箔，以除去光致抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：KR101783112B1
公开(公告)日：2017-10-23
申请号：KR1020150181537
申请日：2015-12-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Inventor： 서수정 , 박화선 , 박정갑 , 조영래 , 김태유 , 나영일 , 신진하 , 이정우 , 박정호 , 안병욱 , 백승빈 , 윤숙영 , 김선우 , 김석훈 , 박종환 , 송영일 , 신세희
Abstract: 적층커패시터가개시된다. 적층커패시터는제1 금속층및 이의일면상에배치된제1 유전체층을각각구비하는제1 박막구조체들및 이들과교대로적층되고각각제2 금속층및 이의일면상에배치된제2 유전체층구비하는제2 박막구조체들을구비하는커패시터적층구조체; 커패시터적층구조체의제1 및제2 측면상에각각배치되고제2 금속층들및 제1 금속층들과각각접촉하는제1 공통전극및 제2 공통전극을구비한다.
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公开(公告)号：KR1020170083877A
公开(公告)日：2017-07-19
申请号：KR1020160003318
申请日：2016-01-11
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Inventor： 서수정 , 송영일 , 박정갑 , 조영래 , 김태유 , 나영일 , 신진하 , 이정우 , 홍두표 , 박정호 , 안병욱 , 백승빈 , 윤숙영 , 김선우 , 김석훈 , 박종환 , 신세희
Abstract: 투명전극의제조방법이개시된다. 투명전극은기판의상부면상에포토레지스트패턴을형성하고, 그위에금속도금막을형성하며, 이어서금속도금막상에그래핀복합체박막을형성한후 포토레지스트패턴을제거함으로써형성될수 있다.
Abstract translation: 公开了一种制造透明电极的方法。 透明电极可以通过形成在所述基板的上表面的光致抗蚀剂图案形成，以形成在所述金属镀膜，然后形成石墨烯复合膜之后被设置在金属镀覆，以除去光致抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：KR1020170073085A
公开(公告)日：2017-06-28
申请号：KR1020150181537
申请日：2015-12-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Inventor： 서수정 , 박화선 , 박정갑 , 조영래 , 김태유 , 나영일 , 신진하 , 이정우 , 박정호 , 안병욱 , 백승빈 , 윤숙영 , 김선우 , 김석훈 , 박종환 , 송영일 , 신세희
Abstract: 적층커패시터가개시된다. 적층커패시터는제1 금속층및 이의일면상에배치된제1 유전체층을각각구비하는제1 박막구조체들및 이들과교대로적층되고각각제2 금속층및 이의일면상에배치된제2 유전체층구비하는제2 박막구조체들을구비하는커패시터적층구조체; 커패시터적층구조체의제1 및제2 측면상에각각배치되고제2 금속층들및 제1 금속층들과각각접촉하는제1 공통전극및 제2 공통전극을구비한다.
Abstract translation: 公开了一种层压电容器。 根据权利要求2的层状电容器，其包括第一金属层和包含其分别设置在所述表面上的第一电介质层的第一薄膜结构，以及这些和交替层叠与每个所述第二金属层和设置在其表面上一个第二电介质层 具有薄膜结构的电容器层压结构; 分别设置在电容器2 mitje叠层结构的第一侧上设置有第一公共电极和第二公共电极，每个与所述第二金属层和第一金属层接触。
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公开(公告)号：KR101707729B1
公开(公告)日：2017-02-17
申请号：KR1020150032473
申请日：2015-03-09
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L27/08 , H01L25/065 , H01L23/48
Abstract: 본발명에따른적층커패시터패키지및 패키지하우징에서, 적층커패시터패키지는베이스기판상에순차적으로적층되고서로동일한면적을갖는적어도 2개의커패시터전극들, 커패시터전극들사이에형성된유전층들, 커패시터전극들과각각연결되고커패시터전극들의일측에배치되며적어도 2개의그룹으로나뉘어져상하로서로마주하도록배치된연결전극들을포함하는적층커패시터와, 바닥부및 바닥부와연결된측면부들이형성하는내부공간에적층커패시터를수용하고, 내부공간에형성되어제1 그룹의연결전극들과연결된제1 내부전극및 제1 내부전극과이격되고제2 그룹의연결전극들과연결된제2 내부전극을포함하는패키지하우징을포함한다.
Abstract translation: 公开了一种多层电容器封装，包括：多层电容器; 连接电极分别连接到电容器电极，其中每组连接电极中的连接电极彼此垂直重叠，并且第一和第二组连接电极彼此水平间隔开; 封装壳体，其构造成在其中容纳所述多层电容器; 以及容纳在所述壳体中以分别耦合到所述第一和第二组连接电极的第一和第二内部电极，其中所述第一和第二内部电极彼此水平间隔开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160131909A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：KR1020160053720
申请日：2016-05-02
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: A61M5/44
Abstract: 본발명은주사기저온유지장치에관한것으로서, 온도감응성졸-겔전이고분자물질의투여시주사기를낮은온도로유지함으로써졸 상태로체내에투여하기위한주사기외부에쿨링시스템을갖춘주사기저온유지장치에관한것이다. 본발명의주사기저온유지장치는주사기와결합, 분리가가능하여재사용할수 있고, 기존일회용주사기의사용이가능하여편리한장점이있다. 또한저온에서졸-겔상전이가일어나는고분자물질이포함된약물을낮은점도의졸 상태가유지되도록투여직전까지저온으로유지시킴으로써투여중 체온에의해겔로전이되는것을억제하며약물의투여를용이하게하고동시에조직내에서졸의퍼짐이좋게하며체내에서겔로상전이가일어나게함으로써약물의서방형방출효과를얻을수 있다. 따라서온도감응성졸-겔전이물질을투여하는경우본 발명의주사기저온유지장치가유용하게이용될수 있을것으로기대된다.
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公开(公告)号：KR1020150084384A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：KR1020140004343
申请日：2014-01-14
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/647 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L33/54 , H01L33/48 , H01L2924/00014
Abstract: 발광다이오드용기판및 발광다이오드용기판의제조방법의개시된다. 발광다이오드용기판은제1 평면및 상기제1 평면과단차진제2 평면을포함하는상부면을구비하는전도성기판; 상기제2 평면상에형성된절연층; 및상기제1 평면과이격되고, 상기절연층상에배치되는전극층을포함한다. 발광다이오드용기판의제조방법은제1 영역과상기제1 영역에인접한제2 영역을포함하는기판의상부면중 상기제1 영역을덮는에칭마스크를형성하는단계; 상기에칭마스크를이용한에칭공정을통하여상기제2 영역을소정깊이만큼에칭하여, 상기기판의상부면에상기제1 영역에대응하는제1 평면및 상기에칭공정을통하여형성되고상기제1 평면과단차진제2 평면을형성하는단계; 상기제2 평면상에절연층을형성하는단계; 및상기절연층상에전극층을형성하는단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种用于发光二极管的基板和用于制造用于发光二极管的基板的方法。 用于发光二极管的衬底包括：导电衬底，其包括上表面，所述上表面包括第一平面和从第一平面阶梯形的第二平面; 形成在所述第二平面上的绝缘层; 和与第一平面分离的电极层，并配置在绝缘层上。 制造发光二极管基板的方法包括以下步骤：形成覆盖包括第一区域的基板的上平面的第一区域和与第一区域相邻的第二区域的蚀刻掩模; 形成与基板的上平面上的第一区域相对应的第一平面和通过使用蚀刻掩模的蚀刻工艺形成的第二平面，并且从第一平面被阶梯化，通过将第二区域蚀刻到固定深度 使用蚀刻掩模的蚀刻工艺; 在第二平面上形成绝缘层; 以及在绝缘层上形成电极层。
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公开(公告)号：KR101532898B1
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：KR1020150005897
申请日：2015-01-13
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: B22F1/02 , B22F9/14 , B22F2301/10 , B22F2301/15 , B22F2302/40 , B22F2998/10 , C23C18/1639 , C23C18/1689 , C23C18/31 , C23C18/38 , C23C18/42 , C23C18/52 , C23C28/32 , C23C28/34 , C25D5/48 , C25D5/54 , C25D7/0607
Abstract: 액중전기폭발법을이용한복합금속분말의제조방법및 다중탄소층으로피복된복합금속분말에있어서, 제조방법은제1 금속으로이루어진금속와이어표면에제1 탄소층을형성하는단계, 제1 탄소층의표면에제1 금속과다른제2 금속으로이루어진금속층을형성하는단계및 제1 탄소층및 금속층이표면상에형성된금속와이어를용액중에서전기폭발시켜다중탄소층으로피복된복합금속분말을형성하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种通过液体中的电线爆炸制造复合金属粉末的方法和一种多碳层涂复合金属粉末。 在液体中通过电线爆炸制造复合金属粉末的方法包括：在由第一金属构成的金属线的表面上形成第一碳层的步骤; 在第一碳层的表面上形成由不同于第一金属的第二金属构成的金属层的步骤; 以及通过在液体中的表面上电镀具有第一碳层和金属层的金属线来形成涂覆有多层碳的复合金属粉末的步骤。
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公开(公告)号：KR1020160136504A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：KR1020150069533
申请日：2015-05-19
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명에따른적층커패시터및 이의제조방법에서, 적층커패시터는제1 방향으로서로중첩되어적층되되, 제1 방향과교차하는제2 방향의일단부인제1 측부에서서로연결된적어도 n+1개(이때, n은 2 이상의자연수) 이상의커패시터전극들을포함하는제1 그룹전극과, 서로마주하는 2개의제1 그룹전극의커패시터전극들사이에각각배치되되, 제1 측부와제2 방향으로마주하는제2 측부에서서로연결된 n개의커패시터전극들을포함하는제2 그룹전극과, 제1 그룹전극과제2 그룹전극이마주하는모든이격영역을채우도록형성된유전층을포함한다.
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