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公开(公告)号：KR102008158B1
公开(公告)日：2019-08-07
申请号：KR1020170057884
申请日：2017-05-10
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/788 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L29/66 , H01L21/285 , H01L29/24
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公开(公告)号：KR101936358B1
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：KR1020170073336
申请日：2017-06-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L27/06 , H01L29/861 , H01L27/24
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公开(公告)号：KR101802775B1
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：KR1020160033647
申请日：2016-03-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/788 , H01L29/423 , H01L29/73 , H01L29/417 , H01L29/66
Abstract: 본발명의일 실시예에따른공명터널소자(resonant tunneling device)는축퇴된반도체층; 축퇴된반도체층상에형성되는제 1 무기물층; 제 1무기물층상에형성되는유기물층; 및유기물층상에형성되는전극층을포함하되, 유기물층은불연속적인복수의에너지준위를갖도록형성된다.
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公开(公告)号：KR1020170109457A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：KR1020160033635
申请日：2016-03-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/792 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/788 , H01L29/861
CPC classification number: H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/861 , H01L29/42332 , H01L29/513 , H01L29/7881 , H01L29/7888
Abstract: 본발명의일 실시예에따른부성미분저항(negative differential resistance) 소자는기판; 기판상에형성되고, 제 1 극성을갖는축퇴된제 1 반도체층; 기판상에형성되고, 제 2 극성을갖는축퇴된제 2 반도체층; 제 1 반도체층의일측단부에결합된제 1 전극; 제 2 반도체층의일측단부에결합된제 2 전극; 및제 1 반도체층과제 2 반도체층의접촉영역사이에위치한트랩층을포함하되, 트랩층은산화물층이고, 부성미분저항소자의동작시캐리어가트랩층에트랩되도록한다.
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公开(公告)号：KR1020170051896A
公开(公告)日：2017-05-12
申请号：KR1020150153559
申请日：2015-11-03
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은환원된산화그래핀의제조방법에관한것으로, 본발명의일 실시예에따른환원된산화그래핀의제조방법은산화그래핀수용액에감광입자를혼합하는단계; 및수용액속에포함된감광입자의흡수파장에대응하는빛을노광시켜, 산화그래핀을환원시키는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及生产还原氧化石墨烯的方法和生产还原氧化石墨烯的方法，其包括：在氧化石墨烯的水溶液中混合光刻胶颗粒; 并且曝光与包含在水溶液中的光敏颗粒的吸收波长相对应的光以还原氧化的石墨烯。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170050316A
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：KR1020150151713
申请日：2015-10-30
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/06 , H01L21/768 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L21/56
CPC classification number: H01L21/385 , H01L21/02568 , H01L21/0259 , H01L21/2255 , H01L21/268 , H01L21/428 , H01L21/477 , H01L29/0657 , H01L29/1606 , H01L29/24
Abstract: 본발명은 2차원반도체의도핑방법에관한것으로서, 본발명의일 실시예에따른발명은 2차원반도체의도핑방법은, 기판상에감광입자가포함된절연층을형성하는단계; 열처리공정을통해, 절연층에포함된감광입자를절연층의표면으로이동시키는단계; 절연층상에, 2차원반도체층을형성하는단계; 및절연층에포함된감광입자의흡수파장에대응하는빛을노광시켜, 2차원반도체층에포함된 2차원반도체물질을도핑시키는단계를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的掺杂二维半导体的方法和掺杂二维半导体的方法包括：在衬底上形成包含光敏颗粒的绝缘层; 通过热处理工艺将包含在绝缘层中的光敏颗粒移动到绝缘层的表面; 在绝缘层上形成二维半导体层; 并且使与包含在绝缘层中的光敏粒子的吸收波长对应的光曝光，从而掺杂包含在二维半导体层中的二维半导体材料。
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公开(公告)号：KR1020140010892A
公开(公告)日：2014-01-27
申请号：KR1020130082292
申请日：2013-07-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C01B32/186 , B41M5/10 , G03F7/00
Abstract: The present invention relates to a graphene patterning method which includes a step of forming a DNA pattern, and a step of forming graphene on the DNA pattern. The graphene patterning method includes a DNA pattern formation step, and a graphene formation step on the DNA pattern.
Abstract translation: 本发明涉及一种石墨烯图案化方法，其包括形成DNA图案的步骤和在DNA图案上形成石墨烯的步骤。 石墨烯图案化方法包括DNA图案形成步骤和DNA图案上的石墨烯形成步骤。
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公开(公告)号：KR102220445B1
公开(公告)日：2021-02-25
申请号：KR1020190078909
申请日：2019-07-01
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
Abstract: 실시예의반도체소자는기판과, 상기기판상에배치된절연층과, 상기절연층상에배치된문턱전압조절층과, 상기문턱전압조절층상에배치된제1 반도체층과, 상기문턱전압조절층상에배치되어상기제1 반도체층의일부를덮는제2 반도체층을포함할수 있다. 실시예에따른부성미분저항소자는문턱전압조절층을형성함으로써, 게이트전압으로피크전압을소자의동작범위내에서자유롭게조절할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020210005333A
公开(公告)日：2021-01-14
申请号：KR1020190078909
申请日：2019-07-01
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
Abstract: 실시예의반도체소자는기판과, 상기기판상에배치된절연층과, 상기절연층상에배치된문턱전압조절층과, 상기문턱전압조절층상에배치된제1 반도체층과, 상기문턱전압조절층상에배치되어상기제1 반도체층의일부를덮는제2 반도체층을포함할수 있다. 실시예에따른부성미분저항소자는문턱전압조절층을형성함으로써, 게이트전압으로피크전압을소자의동작범위내에서자유롭게조절할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR102071232B1
公开(公告)日：2020-01-30
申请号：KR1020180081113
申请日：2018-07-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/06 , H01L29/165 , H01L29/47 , H01L21/324
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