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21.发明公开롤투롤 공정을 위한 화학기상 증착법을 이용한 유연 기재 상의 이황화 몰리브덴 나노박막 또는 이황화 텅스텐 나노박막 제조방법 审中-实审用于通过化学气相沉积在柔性衬底上制备二硫化钼纳米管或二硫化钨纳米管以用于卷对卷工艺的方法
公开(公告)号：KR1020170133628A
公开(公告)日：2017-12-06
申请号：KR1020160064622
申请日：2016-05-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 서강대학교산학협력단
IPC: H01L21/285 , C23C16/30 , C23C16/54 , C23C16/02 , C23C16/448 , H01L21/02 , H01L29/06 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/28556 , C23C16/0209 , C23C16/305 , C23C16/448 , C23C16/545 , H01L21/02205 , H01L21/0228 , H01L21/324 , H01L29/0665 , H01L2924/01074 , H01L2924/10722
Abstract: 유연기재상의이황화몰리브덴막 또는이황화텅스텐막의제조방법, 및상기이황화몰리브덴막 또는이황화텅스텐막을반도체층으로서포함하는, 전계효과트랜지스터또는광센서에관한것이다.
Abstract translation: 柔性基板上的二硫化钼膜或二硫化钨膜，以及包含二硫化钼膜或二硫化钨膜作为半导体层的场效应晶体管或光学传感器。
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公开(公告)号：KR1020160093376A
公开(公告)日：2016-08-08
申请号：KR1020150014291
申请日：2015-01-29
Applicant: 엘지전자 주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0392
CPC classification number: H01L31/022466 , C01B17/42 , C01G33/00 , C01G39/06 , C01P2002/50 , C01P2002/52 , H01L31/0224 , H01L31/022425 , H01L31/0236 , H01L31/0392 , Y02E10/50 , H01L31/02366 , H01L31/18
Abstract: 본발명은칼코게나이드소자에관한것으로특히, 전이금속칼코게나이드를전극으로이용한금속칼코게나이드소자및 그제조방법에관한것이다. 이러한본 발명은, 금속칼코게나이드소자에있어서, 기판; 상기기판상에위치하는산화물층; 상기산화물층상에위치하는제1전도성의금속칼코게나이드층; 및상기금속칼코게나이드층 상에서로이격되어위치하고금속칼코게나이드를포함하는제1전극및 제2전극을포함하여구성될수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及金属硫族化物装置。 特别地，本发明涉及使用过渡金属硫族化物作为电极的金属硫族化物装置及其制造方法。 金属硫族化物装置可以包括基底; 位于所述基板上的氧化物层; 位于氧化物层上的第一导电型金属硫族化物层; 以及第一电极和第二电极，其在金属硫族化物层上彼此分离并且包括金属硫族化物。 因此，可以降低电极的接触电阻。
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公开(公告)号：KR101556876B1
公开(公告)日：2015-10-02
申请号：KR1020150004360
申请日：2015-01-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: B01D39/16
CPC classification number: B01D39/1615 , B01D17/0202 , B01D29/0018
Abstract: 본발명은유수분리소재및 이의제조방법에관한것으로, 상기유수분리소재는셀룰로오스섬유를포함하는종이; 및상기셀룰로오스섬유에코팅된그래핀을포함하는것을특징으로한다. 본발명에의하면, 간단한공정으로우수한유수분리특성을가지는유수분리소재를구현할수 있다.
Abstract translation: 油水分离材料及其制造方法技术领域本发明涉及油水分离材料及其制造方法。 油水分离材料包括：包含纤维素纤维的纸张; 并涂覆在纤维素纤维上的石墨烯。 根据本发明，通过简单的工艺可以提供油水分离性优异的油水分离材料。
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公开(公告)号：KR101529788B1
公开(公告)日：2015-06-29
申请号：KR1020130152849
申请日：2013-12-10
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C23C28/00 , C23C16/50 , C23C16/455
CPC classification number: C23C14/542 , C01B17/20 , C01B19/007 , C01G1/12 , C01G39/06 , C01P2004/24 , C23C14/14 , C23C14/5866
Abstract: 본발명은금속칼코게나이드박막및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른금속칼코게나이드박막의제조방법은기판상에금속층을형성하는금속층형성단계; 저온기상증착용챔버내에상기기판을투입하고, 상기챔버내에서칼코겐원자-함유기체와아르곤가스를주입한후, 플라스마를발생시켜상기플라스마에의해분해된칼코겐원자가상기금속층을구성하는금속원자와화학적으로결합되어금속칼코게나이드박막으로형성되도록하는금속칼코게나이드박막형성단계;를포함하는것을특징으로한다. 이에의하여, 저온기상증착방법(PECVD)을이용하여해당기판에 in-situ방식으로플라스틱등의낮은용융점을가지는기판에직접금속칼코게나이드박막을형성할수 있고, 이를통해별도의건조공정이불필요하고, 별도의전사공정을거치지않아도박막형성이가능하여전기적/물리적특성을극대화하고, 높은균일도와신뢰도를담보할수 있는금속칼코게나이드박막및 그제조방법이제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种硫族化物金属薄膜及其制造方法。 制造硫族化物金属薄膜的方法包括：在基板上形成金属层的金属层形成步骤; 以及硫化物金属薄膜形成工序，在低温蒸镀室内输入基板，在室内注入含硫属原子的气体和氩气，然后产生等离子体，并化学地将由等离子体分解的硫属原子与 构成要形成的金属层的金属原子作为硫族化物金属薄膜。 因此，提供了硫族化物金属薄膜及其制造方法，通过该硫化物金属薄膜可以将硫族化物金属薄膜直接在相应的基板上以原位形式在塑料或线路的熔点低的基板上形成， 使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法，通过该方法不需要单独的干燥过程，并且可以不经过单独的转移过程而形成薄膜，以使电/物理特征最大化，并且具有高均匀性和可靠性 可以安全。
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公开(公告)号：KR101915635B1
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：KR1020160115405
申请日：2016-09-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 서강대학교산학협력단
Abstract: 본발명은유연기판상으로금속칼코게나이드박막을전사하는방법에관한것으로서, 보다상세하게는에폭시를이용한전사방법을제시하여박막의결함이나불순물을생성시키지않으면서전기적인물성이뛰어난유연기판복합체를제조하고자하는것이다. 본발명의여러구현예에따르면, 에폭시를이용하여유연기판상에금속칼코게나이드박막을전사함으로써, 전사되는금속칼코게나이드박막의결함이나불순물을생성시키지않아전기적인물성이우수한유연기판복합체를제조할수 있다. 또한, 상술한방법으로제조된유연기판복합체는플렉서블전계효과트랜지스터, 센서및 LED 등과같은유연(플렉서블) 소자등에폭넓게응용할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170048713A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：KR1020150149137
申请日：2015-10-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/02 , H01L21/268
Abstract: 레이저를이용한금속칼코게나이드박막의제조방법, 상기방법에의하여제조되는금속칼코게나이드박막, 및상기금속칼코게나이드박막을포함하는소자에관한것이다.
Abstract translation: 使用激光，一种包括金属硫族化合物薄膜的器件制造金属硫属化物薄膜的方法，和所述由所述方法制备的金属硫属化物薄膜。
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公开(公告)号：KR1020160054389A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：KR1020150084104
申请日：2015-06-15
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 2 차원물질분산액의제조방법, 및상기 2 차원물질분산액을포함하는잉크에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及二维材料分散溶液的制造方法以及包含二维材料分散溶液的油墨。 石墨烯分散溶液的制造方法包括在将石墨添加到水中之后，通过在高温下的超声波处理将石墨分离成边缘官能化的石墨烯。 根据本发明，二维材料分散溶液的制造方法可以合成具有良好分散稳定性的2D材料，并且可以大量生产二维材料分散溶液。
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公开(公告)号：KR1020120118566A
公开(公告)日：2012-10-29
申请号：KR1020110036008
申请日：2011-04-19
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Inventor： 이창구
IPC: H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/45 , H01L29/1606 , H01L29/26 , H01L29/4908
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor is provided to improve elasticity and/or flexibility by forming a gate insulating layer using a second dimensional material having excellent electrical, optical and mechanical properties. CONSTITUTION: A graphene source electrode(110) and a graphene drain electrode(120) are respectively formed on both sides of a base material(100). A channel layer(130) is electrically connected to the graphene source and drain electrodes. The channel layer includes a two dimensional semiconductor material. A gate insulating layer(140) is formed on the channel layer. A graphene gate electrode(150) is formed on the gate insulating layer.
Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管，以通过使用具有优异的电，光学和机械性能的第二维材料形成栅极绝缘层来改善弹性和/或柔性。 构成：石墨烯源电极（110）和石墨烯漏电极（120）分别形成在基材（100）的两侧。 沟道层（130）电连接到石墨烯源极和漏极电极。 沟道层包括二维半导体材料。 栅极绝缘层（140）形成在沟道层上。 在栅极绝缘层上形成石墨烯栅电极（150）。
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