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公开(公告)号：KR1019970073239A
公开(公告)日：1997-11-07
申请号：KR1019960010740
申请日：1996-04-10
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H05H1/00
Abstract: 본 발명은 진공조 내에 위치한 시료대 위에 판상의 고분자 시료를 위치시키고, 진공조 내에 가스를 도입하여 가스로부터 이온 플라즈마를 발생시키고, 부(-)의 고전압 펄스를 시료에 가하여, 플라즈마로부터 추출된 이온이 고에너지를 보유한 채 고분자 시료의 표면에 주입되도록 하는 것이 특징인 소분자 소재의 표면 개질 방법 및 그를 위한 장치에 관한 것이다. 본 발명의 방법을 따르면, 입사되는 이온의 에너지가 종래의 플라즈마를 이용한 고분자 표면 개질 방법에서의 이온 에너지보다 매우 높으므로 표면 개질 효율이 탁월하고 표면 이하 깊은 층까지 개질시킬 수 있어 처리 후 시간에 따른 표면 특성 저하를 효과적으로 방지할 수 있게 된다. 또한, 본 발명의 고분자 표면 개질 방법은 대면적이 시료를 단시간내에 용이하게 균일 처리할 수 있으며, 고전압 펄스를 조절하여 이온 에너지를 쉽게 변화시킬 수 있을 뿐 아니라 장치의 구조 또한 매우 단순화시키므로 대량 생산 장치에 유리하다.
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公开(公告)号：KR101907143B1
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：KR1020130143014
申请日：2013-11-22
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은대출력펄스스퍼터링방법을이용하여유리기판표면에다공성의산화규소박막을증착하여입사광의반사율을감소시키고투과율을증가시킴으로써입사광의이용률이향상된반사방지막의제조방법및 그에의하여제조된반사방지막에관한것이다. 본발명은마그네트론스퍼터링을이용하여기판상에반사방지막을증착함에있어서, 증착원에인가되는펄스직류전력의피크전력밀도가 0.1 kW/cm~ 10 kW/cm인것을특징으로한다. 본발명에의하여제조된다공성산화규소박막은박막내에많은기공을포함하고있어박막의굴절률이낮으므로, 입사광의반사율감소및 투과율증대를통하여입사광이용률이향상된반사방지막을구현할수 있다.
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公开(公告)号：KR101649746B1
公开(公告)日：2016-08-23
申请号：KR1020110006123
申请日：2011-01-21
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은인공관절용고분자소재의마모량감소를목적으로, 상대재인금속소재의관절표면층에세라믹박막을효율적으로증착하기위하여고안된것으로, 고분자소재의마모량을더욱감소시키기위해박막의증착전에이온주입을수행하는방법, 세라믹박막을증착하는방법, 그리고세라믹박막과금속소재사이의접합력을증진시키기위해박막의증착과동시에이온주입을수행하는방법및 그장치에관한것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150059432A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：KR1020130143014
申请日：2013-11-22
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은대출력펄스스퍼터링방법을이용하여유리기판표면에다공성의산화규소박막을증착하여입사광의반사율을감소시키고투과율을증가시킴으로써입사광의이용률이향상된반사방지막의제조방법및 그에의하여제조된반사방지막에관한것이다. 본발명은마그네트론스퍼터링을이용하여기판상에반사방지막을증착함에있어서, 증착원에인가되는펄스직류전력의피크전력밀도가 0.1 kW/cm~ 10 kW/cm인것을특징으로한다. 본발명에의하여제조된다공성산화규소박막은박막내에많은기공을포함하고있어박막의굴절률이낮으므로, 입사광의반사율감소및 투과율증대를통하여입사광이용률이향상된반사방지막을구현할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有优异性能的抗反射膜的制造方法，以及由该反射膜制造的防反射膜，以提高入射光的利用率，同时随着反射率的降低和作为多孔的入射光的透射率的增加 氧化硅薄膜通过大输出脉冲溅射法沉积在玻璃基板的表面上。 根据本发明，在通过磁控溅射将抗反射膜沉积在基板上时，施加到沉积源的脉冲直流电力的峰值功率密度为0.1-10kW / cm 2。 根据本发明，多孔氧化硅薄膜在薄膜内部包含大量孔，以减少薄膜的反射率，从而起反射膜的作用，通过反射率的降低改善了入射光的利用率， 入射光透过率的增加。
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公开(公告)号：KR101503000B1
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：KR1020130125355
申请日：2013-10-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20 , H01L21/203 , H01L21/265
Abstract: 본 발명은 스트레인이 완화된 실리콘-게르마늄 버퍼층(strain-relaxed SiGe buffer layer) 제조하는 방법 및 이에 의하여 제조된 실리콘-게르마늄 버퍼층에 관한 것이다, 본 발명은 게르마늄(Ge)을 실리콘 웨이퍼에 직접 플라즈마 이온주입하고 후속 열처리 공정을 이용함으로써, 기존의 제작 방법에 비하여 매우 간단한 공정으로 스트레인이 완화된 실리콘-게르마늄 버퍼층을 제조하는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造应变松弛Si-Ge缓冲层和由其制成的Si-Ge缓冲层的方法。 与现有的制造方法相比，本发明通过简单的工艺制造应变松弛的Si-Ge缓冲层，其通过在硅晶片中直接注入等离子体离子中的Ge并使用后热处理工艺。
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公开(公告)号：KR1020150021776A
公开(公告)日：2015-03-03
申请号：KR1020130099157
申请日：2013-08-21
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G02B1/113 , C23C14/358 , G02B1/115
Abstract: 광투과율이 우수한 반사방지막의 제조방법 및 그에 의하여 제조된 반사방지막에 관한 것이다. 본 발명은 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 기판상에 반사방지막을 형성하는 함에 있어서, 진공조 내부의 가스 공정 압력이 20 ~ 200 mTorr 이고, 상기 반사방지막은 다공성 박막인 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 20~ 200 mTorr의 높은 공정압력에서 마그네트론 증착원을 이용한 반응성 증착으로 다공성 박막을 증착하게 되면, 박막의 기공 형성에 의해 유리 기판의 반사율이 감소하고 투과율이 증가할 수 있다. 또한, 본 발명에 의한 반사방지막을 비정질 실리콘 태양전지에 적용하면 에너지 변환효율을 증가시킬 수 있다. 또한 본 발명에 의하면, 다층 반사방지막 방법 또는 글랜싱 앵글 증착 방법이 아닌, 하나의 진공조 내에서 높은 공정 압력 조건에서 다공성 산화규소 박막을 유리 기판에 증착할 수 있기 때문에, 한층 간단한 방법으로 별도의 과정 없이 비정질 실리콘 박막 태양전지의 유리 기판에 반사방지막을 제작할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及通过该方法制造的具有优异透光性的抗反射膜和抗反射膜的制造方法。 通过使用磁控溅射法在基板上形成防反射膜。 真空室中的工艺气体压力为20-200mTorr，防反射膜为多孔薄膜。 根据本发明，如果在20-200mTorr的高工艺压力下通过使用磁控管沉积源的反应沉积法沉积多孔薄膜，则玻璃基板的反射率可以降低，透光率可以是 由薄膜的孔形成增加。 此外，当将本发明的抗反射膜应用于硅太阳能电池时，可以提高能量转换效率。 此外，根据本发明，不使用多层防反射膜法或扫视角淀积法，在玻璃基板上，在高压处理条件下，可以在玻璃基板上沉积多孔氧化硅膜 真空室，因此无需额外的工艺，可以在非晶硅薄膜太阳能电池的玻璃基板上制造防反射膜。
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公开(公告)号：KR1020140038771A
公开(公告)日：2014-03-31
申请号：KR1020120105293
申请日：2012-09-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/3485 , H01J37/3405 , H01J37/3467
Abstract: A method for depositing a metal thin film on a substrate is disclosed. The method for depositing a metal thin film on a substrate, according to the present invention, comprises the steps of mounting a substrate on a substrate mounting stand located inside a vacuum chamber; vacuuming the inside of the vacuum chamber using a vacuum pump; maintaining the internal pressure of the vacuum chamber to be constant by injecting a gas to be used into the vacuum chamber; and applying a bipolar pulsed direct current generated at a bipolar pulsed direct current generator to a magnetron sputtering deposition source mounted on the vacuum chamber.
Abstract translation: 公开了一种在衬底上沉积金属薄膜的方法。 根据本发明的在基板上沉积金属薄膜的方法包括以下步骤：将基板安装在位于真空室内的基板安装台上; 使用真空泵对真空室的内部进行抽真空; 通过将真空室内的气体注入真空室来保持真空室的内部压力恒定; 以及将在双极脉冲直流发电机处产生的双极脉冲直流电应用到安装在真空室上的磁控溅射沉积源。
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公开(公告)号：KR101369729B1
公开(公告)日：2014-03-07
申请号：KR1020120079437
申请日：2012-07-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 상하부 전극과 광흡수층 사이에 도핑(doping) 공정 없이도 전기장 (electric field)을 가해줄 수 있는 중간층(interfacial layer)을 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 도핑공정이 없으므로 유독한 도핑가스를 사용하지 않아도 될 뿐만 아니라, 정공(hole)을 수송하는 역할을 하면서 광투과도가 높은 금속산화물을 빛이 입사되는 윈도우층(window layer)으로 사용함으로써 광흡수층에 도달하는 빛의 손실을 최소화시켜, 광전류밀도가 향상된 고효율 태양전지를 제조할 수 있다.
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