公开(公告)号：KR1020160021785A

公开(公告)日：2016-02-26

申请号：KR1020157035801

申请日：2014-06-11

Applicant: 소이텍

Inventor： 랑드뤼디디에 ,  코농슈크올레그 ,  구델크리스토프 ,  다비드카롤 ,  무젤세바스티엥 ,  슈네이데자비에

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/673 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67309 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/7624

Abstract: 이프로세스는, a) 상기복수개의구조물(S)을수용하기에적합한체임버(10)를제공하는단계, b) 상기체임버(10)가비산화분위기를가지도록상기체임버(10) 안에가스흐름(F)을순환시키는단계, c) 상기유전체의상기산화물내에존재하는산소가상기활성레이어를통하여확산되어상기활성레이어의상기반도체재료와반응하여휘발성재료가생성되는문턱값위의온도에서상기복수개의구조물(S)을열 처리하는단계를포함하며, 상기프로세스는상기가스흐름(F)이상기복수개의구조물(S) 사이의순환속도(rate of circulation)를가지고, 상기순환속도가상기휘발성재료의상기가스흐름안으로의확산속도(rate of diffusion)보다크도록상기단계 b)가수행되는점에서주목할만하다.

Abstract translation: 一种方法包括以下步骤：a）设置适于接收多个结构的室，b）将气流循环到室中，使得室具有非氧化气氛，c）多个 高于该阈值的结构，电介质的氧化物中存在的氧扩散通过有源层与活性层的半导体材料反应并产生挥发性材料，该过程值得注意的是步骤b）是 使得气流在多个结构之间的循环速率大于挥发性物质扩散到气流中的速率。

公开(公告)号：KR1020150140313A

公开(公告)日：2015-12-15

申请号：KR1020157030956

申请日：2014-03-21

Applicant: 소이텍

Inventor： 케르딜세바스티앙 ,  샤반길롬 ,  보에프랑수와 ,  피에르오렐리아 ,  슈네이데자비에 ,  랑드뤼디디에

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/683 ,  H01L21/31 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L27/12 ,  H01L29/0649

Abstract: 본발명은합성구조물을제조하는방법에관한것이며, 상기방법은 a) 도너기판(50) 및캐리어기판(10)을제공하는단계; b) 유전체층(30)을형성하는단계; c) 커버링층(20)을형성하는단계; d) 상기도너기판(50) 내에취약구역(60)을형성하는단계; e) 상기지지기판(10)과상기도너기판(50)을조립하는단계; f) 상기취약구역(60)을통하여상기도너기판(50)을절단하는단계;를포함하며, 단계들 b) 및 e)는윤곽(Cz)이윤곽(Cs) 내에들어맞도록수행되며, 단계 c)는상기커버링층(20)이상기유전체층(30)의주변표면을커버하도록수행된다.

Abstract translation: 本公开涉及一种用于制造复合结构的方法，该方法包括以下步骤：a）提供施主衬底和载体衬底; b）形成电介质层; c）形成覆盖层; d）在供体衬底中形成弱化区; e）通过具有轮廓的接触表面接合载体基底和施主基底; f）通过弱化区域破坏施主衬底，执行步骤b）和e），使得轮廓被刻划在轮廓中，并且步骤c）被执行以使覆盖层覆盖电介质层的周边表面。

公开(公告)号：KR101303723B1

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：KR1020117017527

申请日：2010-02-11

Applicant: 소이텍

Inventor： 리우그레고리 ,  랑드뤼디디에

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76264 ,  H01L21/76243

Abstract: 본 발명은 혼합 기판 위에 컴포넌트들을 제조하는 방법에 관한 것이다. 이 방법은 지기 기판(11)과 얇은 층(13) 사이의 매립된 산화물층(12)을 포함하는, 반도체-온-절연체(SeOI)형의 기판(1)을 제공하고, 상기 기판(1)에 상기 얇은 층의 자유 표면(130)에서 개방되고, 그것이 상기 얇은 층(13) 및 상기 매립된 산화물층(12)을 통과하도록 어떤 깊이를 넘어 확장하는, - 이들 주 트렌치들(3, 3')은 상기 SeOI 기판(1)의 적어도 하나의 아일랜드(island)(30)의 범위를 정하고- 복수의 트렌치들(3, 3')을 형성하는, 상기 주 트렌치들(3, 3') 내부에 그리고 상기 아일랜드들(30) 외부 위에 배치된 상기 얇은 층(13)의 상기 자유 표면(13)의 영역들을 덮는 층으로서 마스크를 형성하는 단계, 산화물층의 두께를 감소시키기 위해 상기 아일랜드들(30)에 존재하는 상기 매립된 산화물층을 용해하기 위한 열 처리를 계속하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020130007435A

公开(公告)日：2013-01-18

申请号：KR1020120065367

申请日：2012-06-19

Applicant: 소이텍

Inventor： 레테트르파브리스 ,  랑드뤼디디에

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor structure is provided to recycle a handle substrate to reduce the waste of substrates. CONSTITUTION: A handle substrate comprises a seed substrate(1) and a sacrificial layer(2) covering the seed substrate. The handle substrate is connected to the carrier substrate. The carrier substrate is selectively processed. The handle substrate is divided from the sacrificial layer to form a semiconductor structure. The residues on the sacrificial layer are removed.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体结构的方法以再循环手柄基板以减少基板的浪费。 构成：处理衬底包括种子衬底（1）和覆盖种子衬底的牺牲层（2）。 手柄基板连接到载体基板。 选择性地处理载体衬底。 将手柄基板从牺牲层分割以形成半导体结构。 去除牺牲层上的残留物。

公开(公告)号：KR1020120102502A

公开(公告)日：2012-09-18

申请号：KR1020120002529

申请日：2012-01-09

Applicant: 소이텍

Inventor： 랑드뤼디디에 ,  리우그레고리

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76243

Abstract: PURPOSE: A process for treating a semiconductor-on-insulator structure is provided to precisely perform a local dissolution process by a thermal treatment to promote oxygen diffusion from an oxide or oxynitride layer to the surface of a semiconductor layer. CONSTITUTION: A support substrate(1) provides rigidity to an SeOl structure. A semiconductor layer(3) is composed of a multi layer of semiconductors. An oxide or oxynitride layer(2) is filled between the support substrate and the semiconductor layer and is located in a bonding boundary side. A mask(4) is formed on the surface of the semiconductor layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于处理绝缘体上半导体结构的方法，以通过热处理精确地进行局部溶解过程，以促进从氧化物或氧氮化物层到半导体层的表面的氧扩散。 构成：支撑衬底（1）为SeO1结构提供刚性。 半导体层（3）由多层半导体构成。 氧化物或氧氮化物层（2）填充在支撑衬底和半导体层之间并且位于结合边界侧。 在半导体层的表面上形成掩模（4）。

公开(公告)号：KR1020120013454A

公开(公告)日：2012-02-14

申请号：KR1020117031016

申请日：2009-10-29

Applicant: 소이텍

Inventor： 랑드뤼디디에 ,  라뒤로뉘 ,  뱅상세바스티앙

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/187 ,  H01L21/76251

Abstract: 본 발명은 UTBOX 타입의 구조물들을 제조하기 위한 방법에 관한 것으로서, 상기 방법은, a) "도너" 기판으로 알려진 기판(1)을 "리시버" 기판으로 알려진 기판(2)과 조립하는 단계로서, 상기 두 기판들 중 적어도 하나는 50 ㎚ 미만의 두께를 갖는 절연층(3)을 포함하는 단계; b) 상기 조립하는 단계 동안 및/또는 상기 조립하는 단계 후에, 상기 두 기판들 사이의 조립을 보강하기 위해 400℃ 미만의 온도에서 상기 조립을 보강하기 위한 제1 열 처리하는 단계; 및 c) 900℃ 초과의 온도에서 제2 열처리하는 단계로서, 400℃ 내지 900℃ 사이의 노출 시간은 1분 또는 30초 미만인 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020110098007A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：KR1020117017527

申请日：2010-02-11

Applicant: 소이텍

Inventor： 리우그레고리 ,  랑드뤼디디에

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76264 ,  H01L21/76243

Abstract: 본 발명은 혼합 기판 위에 컴포넌트들을 제조하는 방법에 관한 것이다. 이 방법은 지기 기판(11)과 얇은 층(13) 사이의 매립된 산화물층(12)을 포함하는, 반도체-온-절연체(SeOI)형의 기판(1)을 제공하고, 상기 기판(1)에 상기 얇은 층의 자유 표면(130)에서 개방되고, 그것이 상기 얇은 층(13) 및 상기 매립된 산화물층(12)을 통과하도록 어떤 깊이를 넘어 확장하는, - 이들 주 트렌치들(3, 3')은 상기 SeOI 기판(1)의 적어도 하나의 아일랜드(island)(30)의 범위를 정하고- 복수의 트렌치들(3, 3')을 형성하는, 상기 주 트렌치들(3, 3') 내부에 그리고 상기 아일랜드들(30) 외부 위에 배치된 상기 얇은 층(13)의 상기 자유 표면(13)의 영역들을 덮는 층으로서 마스크를 형성하는 단계, 산화물층의 두께를 감소시키기 위해 상기 아일랜드들(30)에 존재하는 상기 매립된 산화물층을 용해하기 위한 열 처리를 계속하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020110055676A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：KR1020117006368

申请日：2009-09-21

Applicant: 소이텍

Inventor： 베이티주크리스텔르 ,  그리띠파브리스 ,  기오에릭 ,  코논추크올레크 ,  랑드뤼디디에

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2924/00014

Abstract: 본 발명은 차례로 지지기판 (1), 산화물 층 (2) 및 얇은 반도체 층 (3)을 포함하는 반도체-온-절연체 (semiconductor-on-insulator) 유형 구조를 처리하는 프로세스이며, 상기 프로세스는
(a) 실리콘 나이트라이드 (silicon nitride) 또는 실리콘 옥시 나이트라이드 (silicon oxinitride) 마스크 (4)를 얇은 반도체 층 (3)에 형성하여, 상기 층 (3)의 표면에 마스크 (40)에 의해 덮히지 않고 원하는 패턴으로 배열되는 소위 노출 영역 (3a)을 정의하는 단계,
(b) 중성 또는 제어된 감소 분위기 (controlled reducing atmosphere)에서, 그리고 온도 및 시간의 제어된 조건 하에 열 처리를 적용하여, 상기 산화물 층 (2)의 산소의 적어도 일부가 얇은 반도체 층 (3)을 통해 확산되도록 유도하여, 이에 의해 상기 원하는 패턴에 상응하는 산화물 층의 영역들 (2a)의 산화물 두께의 제어된 감소를 얻는 단계를 포함하며,
단계 (a)에서, 상기 마스크 (4)는 얇은 반도체 층 (3)의 두께에 적어도 부분적으로 묻히도록 (buried) 형성되는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR101972914B1

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：KR1020147018986

申请日：2012-12-13

Applicant: 소이텍

Inventor： 랑드뤼디디에 ,  데이비드카롤 ,  라두이오누트 ,  카펠로루시아나 ,  신쿠인얀

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/20 ,  H01L27/12

公开(公告)号：KR1020160064011A

公开(公告)日：2016-06-07

申请号：KR1020150165535

申请日：2015-11-25

Applicant: 소이텍 ,  꼼미사리아 아 레네르지 아또미끄 에 오 에네르지 알떼르나띠브스

Inventor： 랑드뤼디디에 ,  델라쥬카푸치네 ,  푸르넬프랑크 ,  베슈엘로디

IPC: C09J5/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B32B37/0007 ,  B32B38/0036 ,  B32B2038/0048 ,  B32B2250/02 ,  B32B2307/728 ,  B32B2309/60 ,  B32B2313/00 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76254

Abstract: 본발명은분자접착에의한두 개의기판들(1, 2)의조립방법에관한것으로, - 조립체계면(4)을구비하는조립체(3)를형성하기위하여제1 및제2 기판(1, 2)을근접접촉시키는제1 단계 (a); - 상기조립체계면을따라물이더 이상확산되지않는임계접착값 이상으로상기조립체(3)의접착정도를강화시키는제2 단계 (b)를포함한다. 본발명에따르면, 상기방법은, -10℃아래의이슬점을갖는처리분위기내에서ㅇ,; 상기제1 및제2 기판들(1, 2)의무수(anhydrous) 처리단계 (c); 및상기조립체계면에서접합결함들의출현을제한하거나방지하도록상기무수처리단계 (c)로부터상기제2 단계 (b)의마지막까지상기제1 및제2 기판들(1, 2)이노출되는작업분위기의이슬점을조절하는단계를포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及通过分子粘合装配两个基片（1,2）的方法，其中该方法包括以下步骤：第一步（a）使第一和第二基片（1,2）接触形成 具有组装接口（4）的组件（3）; 以及第二步骤（b），用于将组件（3）中的粘合程度提高至临界粘附值或更高，其中水不再沿着组装界面膨胀。 该方法还包括：在露点为-10℃或更低的处理气氛下的第一和第二基底（1,2）的无水处理步骤（c） 以及从无水处理步骤（c）到第二步骤（b）的结束，控制第一和第二基板（1,2）暴露的处理气氛的露点的步骤，以防止 在组装界面出现缺陷。