公开(公告)号：KR1020100116109A

公开(公告)日：2010-10-29

申请号：KR1020097021671

申请日：2009-02-18

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사토잇세이 ,  미즈하라나호 ,  다니자키게이스케 ,  미야나가미치마사 ,  사쿠라다다카시 ,  야마모토요시유키 ,  나카하타히데아키

IPC: C23C14/04 ,  C23C14/48 ,  H01L21/203

CPC classification number: C30B29/403 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/28 ,  C30B23/02

Abstract: 본 발명은 평탄하고 얇은 AlN 박막 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. AlN 박막(2)은 III족 원소, IV족 원소 및 V족 원소로부터 선택된 1종 이상의 첨가 원소를 0.001 wt% 이상 10 wt% 이하 함유한다. 이 AlN 박막(2)은, III족 원소, IV족 원소 및 V족 원소로부터 선택된 1종 이상의 첨가 원소를 0.001 wt 이상 10 wt% 이하 함유하는 AlN 소결체를 진공 챔버 내에 세팅하고, 기재(1)를 진공 챔버 내에 세팅한 상태에서 AlN 소결체에 레이저를 조사함으로써 발생한 플라즈마를 이용하여 기재(1) 상에 형성할 수 있다.
질화 알루미늄 박막

公开(公告)号：KR1019960009806A

公开(公告)日：1996-03-22

申请号：KR1019950025340

申请日：1995-08-18

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 야마모토요시유키 ,  타나베케이이치로 ,  후지모리나오지 ,  오오타노부히로

IPC: H05G1/00

Abstract: 본 발명의 X선발생장치는 고열전도성 기판과, 전자의 조사에 의해 X선을 발생시키는 목표물로 이루어진 대음극을 구비하고, 상기 목표물은 상기 고열전도성 기판을 관통하도록 배치하고, 상기 고열전도성 기판은 기상합성법에 의해 합성된 다이아몬드인 것을 특징으로 한다. 따라서 본 발명은 대음극의 냉각효율 및 내구성을 대폭 향상시킴과 동시에, X선발생장치의 소형화 및 간략화를 도모한 결과, 마침내 고출력 및 고강도의 X선발생장치발명을 완성하였다.