公开(公告)号：KR1020070113094A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：KR1020067024397

申请日：2006-03-06

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 다나베다츠야 ,  미우라고우헤이 ,  기야마마코토 ,  사쿠라다다카시

IPC: H01L21/338

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003

Abstract: Disclosed is a group III nitride semiconductor device wherein leakage current from a Schottky electrode is reduced. In a high-electron-mobility transistor (11), a supporting substrate (13) is specifically composed of AlN, AlGaN and GaN. An AlYGa1-YN epitaxial layer (15) has a full width at half maximum of the (0002) plane XRD of not more than 150 sec. A GaN epitaxial layer (17) is formed between the gallium nitride supporting substrate and the AlYGa1-YN epitaxial layer (0

Abstract translation: 公开了一种III族氮化物半导体器件，其中来自肖特基电极的漏电流减小。 在高电子迁移率晶体管（11）中，支撑衬底（13）特别地由AlN，AlGaN和GaN构成。 AlYGa1-YN外延层（15）的（0002）面XRD的半峰全宽不超过150秒。 在氮化镓支撑衬底和AlYGa1-YN外延层（0

公开(公告)号：KR100955634B1

公开(公告)日：2010-05-03

申请号：KR1020040101099

申请日：2004-12-03

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 나가이요우이치 ,  기야마마코토 ,  나카무라다카오 ,  사쿠라다다카시 ,  아키타가츠시 ,  우에마츠고지 ,  이케다아야코 ,  가타야마고지 ,  요시모토스스무

IPC: H01L33/20

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 비저항 0.5 Ω·cm 이하의 질화물 반도체 기판(1)과, 질화물 반도체 기판의 제1 주표면 측에, n형 질화물 반도체층(3)과, 질화물 반도체 기판에서 보아 n형 질화물 반도체층(3)보다 멀리에 위치하는 p형 질화물 반도체층(5)과, n형 질화물 반도체층(3)과 p형 질화물 반도체층(5) 사이에 위치하는 발광층(4)을 구비하며, 질화물 반도체 기판(1) 및 p형 질화물 반도체층(5) 중 어느 한 쪽을 빛을 방출하는 톱 측에, 또 다른 쪽을 다운 측에 실장하고, 그 톱 측에 위치하는 전극이 하나로 구성된다. 이에 따라, 소형화가 가능하고, 또한 구조가 간단하기 때문에 제조가 용이하며, 큰 발광 효율을 장기간 안정적으로 얻을 수 있는 발광 소자를 얻을 수 있다.

Abstract translation: 一种发光器件，包括电阻率为0.5Ω·cm或更小的氮化物半导体衬底（1），n型氮化物半导体层（3）和p型氮化物半导体层（5），所述p型氮化物半导体层 在所述氮化物半导体衬底（1）的第一主表面侧处具有比所述n型氮化物半导体层（1）更高的氮化物半导体衬底（1），以及位于所述n型氮化物半导体层（3）和 所述p型氮化物半导体层（5），其中所述氮化物半导体衬底（1）和所述p型氮化物半导体层（5）中的一个安装在发射光的顶侧，而另一个位于所述衬底的下侧 ，并将单个电极放置在顶侧。 因此，提供了一种发光装置，其具有简单的构造，从而使其易于制造，可以提供长时间的高发光效率，并且可以容易地小型化。

公开(公告)号：KR1020080011264A

公开(公告)日：2008-02-01

申请号：KR1020067027121

申请日：2006-03-03

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 하시모토신 ,  기야마마코토 ,  사쿠라다다카시 ,  다나베다츠야 ,  미우라고우헤이 ,  미야자키도미히토

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: Disclosed is a high-electron-mobility transistor having a high-purity channel layer and a high-resistance buffer layer. Specifically disclosed is a high-electron-mobility transistor (11) comprising a supporting base (13) composed of a gallium nitride, a buffer layer (15) composed of a first gallium nitride semiconductor, a channel layer (17) composed of a second gallium nitride semiconductor, a semiconductor layer (19) composed of a third gallium nitride semiconductor, and an electrode structure (a gate electrode (21), a source electrode (23) and a drain electrode (25)) for the transistor (11). The band gap of the third gallium nitride semiconductor is larger than that of the second gallium nitride semiconductor. The carbon concentration Nc1 in the first gallium nitride semiconductor is not less than 4 X 10^17 cm-3, and the carbon concentration Nc2 in the second gallium nitride semiconductor is less than 4 X 10^16 cm-3.

Abstract translation: 公开了具有高纯度沟道层和高电阻缓冲层的高电子迁移率晶体管。 具体公开了一种高电子迁移率晶体管（11），包括由氮化镓构成的支撑基底（13），由第一氮化镓半导体构成的缓冲层（15），由第二氮化镓构成的沟道层（17） 氮化镓半导体，由第三氮化镓半导体构成的半导体层（19）和用于晶体管（11）的电极结构（栅电极（21），源电极（23）和漏电极（25））， 。 第三氮化镓半导体的带隙大于第二氮化镓半导体的带隙。 第一氮化镓半导体中的碳浓度Nc1为4×10 ^ 17cm -3以上，第二氮化镓半导体中的碳浓度Nc2小于4×10 ^ 16cm-3。

公开(公告)号：KR1020110041440A

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：KR1020107029290

申请日：2009-06-25

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 아라카와사토시 ,  사쿠라다다카시 ,  야마모토요시유키 ,  사토잇세이 ,  다니자키게이스케 ,  나카하타히데아키 ,  미즈하라나호 ,  미야나가미치마사

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  G02B1/02 ,  G02B3/00

CPC classification number: G02B1/02 ,  C30B23/025 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  G02B3/00 ,  G02B13/143 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/24355 ,  C30B29/40 ,  C30B23/06

Abstract: 본 발명의 Al
x Ga
(1-x) N(0 x Ga
(1-x) N 단결정(10)을 성장시키는 방법으로서, 이하의 공정을 포함한다. 하지 기판이 준비된다. 고순도의 원료가 준비된다. 원료를 승화시켜 하지 기판 상에 Al
x Ga
(1-x) N 단결정(10)이 성장한다. 또한, Al
x Ga
(1-x) N 단결정(10)에 있어서, 300K에서 측정된, 250 ㎚ 이상 300 ㎚ 이하의 파장의 빛에 대한 굴절률은 2.4 이상이고, 또한 300 ㎚ 초과 350 ㎚ 미만의 파장의 빛에 대한 굴절률은 2.3 이상이다.

公开(公告)号：KR1020110040814A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：KR1020117000149

申请日：2009-06-25

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 아라카와사토시 ,  사쿠라다다카시 ,  야마모토요시유키 ,  사토잇세이 ,  다니자키게이스케 ,  나카하타히데아키 ,  미즈하라나호 ,  미야나가미치마사

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  G02B1/02

CPC classification number: G02B1/02 ,  C30B23/025 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  G02B13/143 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/2973

Abstract: Al
x Ga
(1-x) N(0 x Ga
(1-x) N 단결정을 성장시키는 방법으로서, 이하의 공정을 포함하고 있다. Al
x Ga
(1-x) N 단결정과 동일한 조성비(x)를 갖는 하지 기판이 준비된다. 고순도의 원료가 준비된다. 원료를 승화시켜 하지 기판 상에 Al
x Ga
(1-x) N 단결정이 성장된다. 또한, Al
x Ga
(1-x) N 단결정(10)은, 300 K로 측정된, 250 ㎚ 이상 300 ㎚ 미만의 파장의 광에 대한 흡수 계수가 100 cm
-1 이하이며, 300 ㎚ 이상 350 ㎚ 미만의 파장의 광에 대한 흡수 계수가 21 cm
-1 이하이다.

公开(公告)号：KR1020100130939A

公开(公告)日：2010-12-14

申请号：KR1020097024482

申请日：2009-03-06

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사토잇세이 ,  미즈하라나호 ,  다니자키게이스케 ,  미야나가미치마사 ,  사쿠라다다카시 ,  나카하타히데아키

IPC: C30B23/08 ,  H01L21/203 ,  C23C14/28 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B23/066 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0254

Abstract: 화합물 반도체 단결정의 제조 장치(1)는, 원료에 레이저광을 조사함으로써 원료를 승화시킬 수 있는 레이저 광원(6)과, 레이저 광원(6)으로부터 출사되는 레이저광을 투과시켜 용기 내부에 도입할 수 있는 레이저 도입창(5)을 가지며, 승화된 원료를 재결정화시키는 하지 기판(3)을 유지할 수 있는 반응 용기(2)와, 하지 기판(3)을 가열할 수 있는 히터(7)를 구비한다. 반응 용기(2) 내의 원료에 레이저광을 조사하여 가열함으로써 승화시키고, 승화된 원료를 하지 기판(3) 위에서 재결정화시켜 화합물 반도체 단결정을 성장시키며, 그 후에 레이저광을 이용하여 화합물 반도체 단결정을 하지 기판(3)으로부터 분리한다.
화합물 반도체 단결정

公开(公告)号：KR1020100116109A

公开(公告)日：2010-10-29

申请号：KR1020097021671

申请日：2009-02-18

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사토잇세이 ,  미즈하라나호 ,  다니자키게이스케 ,  미야나가미치마사 ,  사쿠라다다카시 ,  야마모토요시유키 ,  나카하타히데아키

IPC: C23C14/04 ,  C23C14/48 ,  H01L21/203

CPC classification number: C30B29/403 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/28 ,  C30B23/02

Abstract: 본 발명은 평탄하고 얇은 AlN 박막 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. AlN 박막(2)은 III족 원소, IV족 원소 및 V족 원소로부터 선택된 1종 이상의 첨가 원소를 0.001 wt% 이상 10 wt% 이하 함유한다. 이 AlN 박막(2)은, III족 원소, IV족 원소 및 V족 원소로부터 선택된 1종 이상의 첨가 원소를 0.001 wt 이상 10 wt% 이하 함유하는 AlN 소결체를 진공 챔버 내에 세팅하고, 기재(1)를 진공 챔버 내에 세팅한 상태에서 AlN 소결체에 레이저를 조사함으로써 발생한 플라즈마를 이용하여 기재(1) 상에 형성할 수 있다.
질화 알루미늄 박막

公开(公告)号：KR1020050053518A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：KR1020040101099

申请日：2004-12-03

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 나가이요우이치 ,  기야마마코토 ,  나카무라다카오 ,  사쿠라다다카시 ,  아키타가츠시 ,  우에마츠고지 ,  이케다아야코 ,  가타야마고지 ,  요시모토스스무

IPC: H01L33/20

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: A light emitting device includes a nitride semiconductor substrate (1) with a resistivity of 0.5 ©-cm or less, an n-type nitride semiconductor layer (3) and a p-type nitride semiconductor layer (5) placed more distantly from the nitride semiconductor substrate (1) than the n-type nitride semiconductor layer at a first main surface side of the nitride semiconductor substrate (1), and a light emitting layer (4) placed between the n-type nitride semiconductor layer (3) and the p-type nitride semiconductor layer (5), wherein one of the nitride semiconductor substrate (1) and the p-type nitride semiconductor layer (5) is mounted at the top side which emits light and the other is placed at the down side, and a single electrode is placed at the top side. Therefore, there is provided a light emitting device which has a simple configuration thereby making it easy to fabricate, can provide a high light emission efficiency for a long time period, and can be easily miniaturized.

公开(公告)号：KR1020110052569A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：KR1020117000709

申请日：2009-06-26

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미치마사 ,  미즈하라나호 ,  다니자키게이스케 ,  사토잇세이 ,  나카하타히데아키 ,  아라카와사토시 ,  야마모토요시유키 ,  사쿠라다다카시

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  C30B33/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/025 ,  C30B25/18

Abstract: 본 발명은 큰 두께를 가지며 또 고품질인 III족 질화물 결정을 성장시키는 III족 질화물 결정의 제조 방법 및 III족 질화물 결정을 제공하는 것을 목적으로 한다. III족 질화물 결정(13)의 제조 방법은 이하의 공정을 포함한다. 우선, (0001)면에서 방향으로 경사진 주표면(11a)을 갖는 하지 기판(11)이 준비된다. 그리고, 기상 성장법에 의해 하지 기판(11)의 주표면(11a) 상에 III족 질화물 결정(13)이 성장된다. 하지 기판(11)의 주표면(11a)은 {01-10}면에서 -5° 이상 5° 이하 경사진 면인 것이 바람직하다.

公开(公告)号：KR1020090008321A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：KR1020087027015

申请日：2007-04-24

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 우에무라도모키 ,  사쿠라다다카시 ,  후지와라신스케 ,  오카히사다쿠지 ,  우에마츠고지 ,  나카하타히데아키

IPC: C30B25/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/208 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02623 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: This invention provides a method for manufacturing a gallium nitride crystal, which, when a gallium nitride crystal is grown using a gallium nitride substrate including a translocation aggregation region and an inversion region is used as a seed crystal substrate, can manufacture a gallium nitride crystal, which has low translocation density and, at the same time, has good crystallinity and, in addition, is less likely to cause cracking upon polishing after slicing. In embedding the translocation aggregation region and the inversion region (17a) for growth of a gallium nitride crystal (79), the gallium nitride crystal (79) is grown at a growth temperature of above 1100°C and 1300°C or below. According to this constitution, the translocation taken from the translocation aggregation region and inversion region (17a) can be reduced, and the occurrence of new translocation on the translocation aggregation region and inversion region (17a) can be suppressed. Good crystallinity of the gallium nitride crystal (79) can be realized, and, at the same time, cracking is less likely to occur in polishing after slicing of the gallium nitride crystal (79).

Abstract translation: 本发明提供了一种用于制造氮化镓晶体的方法，当使用包含易位聚集区域的氮化镓衬底和反转区域来生长氮化镓晶体作为晶种衬底时，可以制造氮化镓晶体， 其易位密度低，同时具有良好的结晶度，另外在切片后不太可能引起研磨时的开裂。 在嵌入用于氮化镓晶体（79）的生长的易位聚集区域和反转区域（17a）中，氮化镓晶体（79）在高于1100℃和1300℃以下的生长温度下生长。 根据该构成，可以减少从易位聚集区域和反转区域（17a）取得的移位，能够抑制易位聚集区域和反转区域（17a）的新易位化。 可以实现氮化镓晶体（79）的良好的结晶度，并且同时在氮化镓晶体（79）切割之后的抛光中也不太可能发生裂纹。