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公开(公告)号：KR100544091B1
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：KR1020020076779
申请日：2002-12-05
IPC: C04B35/491 , C04B35/472 , H01L41/187
Abstract: 본 발명은 전기 기계 결합 계수가 크고 기계적 품질 계수가 높으며 저온에서 소결이 가능하여 압전 부품의 재료로써 유용한 물성을 가지는 압전 세라믹 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 화학식 (1-xy)Pb(Zr
1-a ,Ti
a )O
3 - xPb(Mn
1/3 Nb
2/3 )O
3 - yPb(Cu
1/3 Nb
2/3 )O
3 로 표시되고,
상기 식에서 x, y 및 a가 각각 0Abstract translation: 本发明涉及一种压电陶瓷组合物具有有用的特性如在低温下进行烧结的压电元件的材料为大和高的机械品质因数，机电耦合系数，并且更具体的式（1-XY）的Pb（Zr的
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公开(公告)号：KR1020060002123A
公开(公告)日：2006-01-09
申请号：KR1020040051043
申请日：2004-07-01
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01P1/203
CPC classification number: H01P1/20345 , H01P3/18 , H03H7/0115
Abstract: 본 발명은 이동통신단말기 송/수신부용 적층 필터에 관한 것으로서, 본 발명은, 고유전율의 유전체 시트에 커패시터 패턴을 형성하고 그 이외의 부분은 저유전율의 유전체 시트에 각기 필요한 패턴을 인쇄하여 적층 형성함으로써, 설계의 자유도를 높일 수 있을 뿐만 아니라, 기본 주파수대역인 통과 대역으로부터 고조파 대역이 멀리 떨어져 나타나게 할 수 있으며 동시에 고조파 대역에서 양호한 대역저지특성도 구현할 수 있어 스퓨리어 특성을 향상시킨다.
적층, 필터, 유전율, 시트, 대역, 특성-
公开(公告)号：KR1020030092381A
公开(公告)日：2003-12-06
申请号：KR1020020030021
申请日：2002-05-29
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: C04B35/50 , C04B35/46 , C04B35/64 , C04B2111/00844 , C04B2111/90 , C04B2235/3224 , C04B2235/3232 , H01B3/12
Abstract: PURPOSE: Provided is a low temperature co-firing dielectric composition which has excellent dielectric property, and is low in signal transfer delay and loss when used in a multi-layer RF composite module to improve the property of the module. CONSTITUTION: The low temperature co-firing dielectric ceramic composition is characterized by comprising CeO2-TiO2 as a base to which B2O3 is added as a low temperature firing additive. Particularly, the CeO2-TiO2 is composed of 0.6-0.9 wt% of CeO2 and 0.1-0.4 wt% of TiO2. Further, the composition is represented by the formula of (1-x)wt%(0.75CeO2-0.25TiO2)-xwt%B2O3 in which x is 1 to 20.
Abstract translation: 目的：提供一种具有优良介电性能的低温共烧电介质组合物，并且当用于多层RF复合模块中时，信号传递延迟和损耗低，以提高模块的性能。 构成：低温共烧电介质陶瓷组合物的特征在于包含CeO 2 -TiO 2作为添加B 2 O 3的碱作为低温烧结添加剂。 特别地，CeO 2 -TiO 2由CeO 2的0.6-0.9重量％和TiO 2的0.1-0.4重量％组成。 此外，组合物由式（1-x）wt％（0.75CeO 2 -0.25TiO 2）-xwt％B 2 O 3表示，其中x为1至20。
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公开(公告)号：KR100248197B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019970062038
申请日：1997-11-21
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01G4/12
Abstract: 고주파 대역에서 높은 유전율(dielectric constant)과 높은 Q[1/유전손실(dielectric loss)]값을 갖는 유전체 세라믹 조성물을 개시한다. 본 발명은 일반식 (Pb
1-x ,Ca
x )(Zr
1-y ,A
y )O
3 으로 표현되는 유전체 세라믹 조성물을 제공한다. 이때, x 및 y는 각각 0.350≤x≤0.38, 0＜y≤0.05로 주어지며, A는 Ce, Te 또는 Mn을 나타낸다. 이와 같은 유전체 세라믹 조성물은 고주파 대역에서 대략 90 내지 110 정도의 높은 유전율과 대략 3,500 내지 5,200 정도의 보다 높은 Qㆍf값을 가진다.-
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101903861B1
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：KR1020160178282
申请日：2016-12-23
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L49/02
Abstract: 본발명의일실시예는전기전도성을갖는반도체기판으로형성되며, 하면으로전기신호가출입하는캐패시터하부전극, 상기캐패시터하부전극상에형성되는절연층, 상기절연층상에형성되며, 상면으로상기전기신호가출입하는캐패시터상부전극및 상기캐패시터하부전극의하면과상면사이를통과하는상기전기신호가상기캐패시터하부전극의측면을따라전달되도록, 상기캐패시터하부전극의측면에형성된제1 도전체층을포함하며, 상기제1 도전체층은전기전도도가상기캐패시터하부전극의전기전도도보다높은엠아이에스캐패시터를제공한다.
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公开(公告)号：KR1020180074317A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：KR1020160178282
申请日：2016-12-23
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L49/02
CPC classification number: H01L28/60 , H01G4/06 , H01L28/87 , H01L28/75 , H01L29/49 , H01L2924/1205 , H01L2924/19041
Abstract: 본발명의일실시예는전기전도성을갖는반도체기판으로형성되며, 하면으로전기신호가출입하는캐패시터하부전극, 상기캐패시터하부전극상에형성되는절연층, 상기절연층상에형성되며, 상면으로상기전기신호가출입하는캐패시터상부전극및 상기캐패시터하부전극의하면과상면사이를통과하는상기전기신호가상기캐패시터하부전극의측면을따라전달되도록, 상기캐패시터하부전극의측면에형성된제1 도전체층을포함하며, 상기제1 도전체층은전기전도도가상기캐패시터하부전극의전기전도도보다높은엠아이에스캐패시터를제공한다.
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公开(公告)号：KR101845150B1
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：KR1020160048300
申请日：2016-04-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/433 , H01L23/48 , H01L23/043 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/3675 , H01L21/52 , H01L21/56 , H01L21/568 , H01L23/13 , H01L23/142 , H01L23/367 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L23/485 , H01L23/5389 , H01L2224/04105 , H01L2224/19
Abstract: 본발명은적어도하나이상의수용홀을포함하며, 금속재질로형성되는베이스기판, 상기수용홀에실장되는적어도하나이상의반도체칩 및상기수용홀의내측면과상기반도체칩 사이의이격공간에형성되는방열부재를포함하는반도체패키지를제공한다.
Abstract translation: 本发明包括至少一个接收孔，形成在所述金属材料之间的间隔空间中的散热部件，其在基底基板，在至少一个半导体芯片和所述内侧表面和所述半导体芯片，其中，所述容纳孔被安装到形成在容纳孔 还有一个半导体封装。
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公开(公告)号：KR1020170127979A
公开(公告)日：2017-11-22
申请号：KR1020160058995
申请日：2016-05-13
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L23/373 , H01L23/29 , H01L23/053 , H01L23/055 , H01L23/522 , H01L23/498 , H01L21/78 , H01L23/48
CPC classification number: H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L2924/18162
Abstract: 본발명의일실시예에따른반도체패키지는적어도하나이상의수용홀을포함하며, 상기수용홀을중심으로일정간격이격되어, 복수개로분할된베이스기판, 상기수용홀에실장되는적어도하나이상의반도체칩 및상기수용홀의내측면과상기반도체칩 사이의이격공간에형성되는충진부재를포함한다.
Abstract translation: 和根据本发明的一个实施例的半导体封装件包括至少一个接收孔中，隔开预定间隔相对于所述容纳孔中，至少一个半导体芯片，其被划分基底基板片多个，安装在容纳孔和 以及形成在容纳孔的内表面和半导体芯片之间的间隔空间中的填充构件。
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公开(公告)号：KR1020160077927A
公开(公告)日：2016-07-04
申请号：KR1020140188449
申请日：2014-12-24
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01P1/203
CPC classification number: H01P1/203 , H01P1/20309 , H01P1/20318
Abstract: 하모닉제거용필터가제공된다. 이필터는특정대역의주파수를통과시키는대역통과필터및 상기대역통과필터의전단및 후단에각각구비된하모닉제거용공진기를포함하고, 상기하모닉제거용공진기는스터브(stub)로구현됨을특징으로한다.
Abstract translation: 提供了一种用于谐波抑制的滤波器。 滤波器包括：通过特定频带频率的带通滤波器; 以及在带通滤波器的前端和后端制备的用于谐波抑制的谐振器。 用于谐波抑制的谐振器由短截线实现。
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