곡면형 압전장치
    29.
    发明公开
    곡면형 압전장치 有权
    弯曲压电装置

    公开(公告)号:KR1020160145348A

    公开(公告)日:2016-12-20

    申请号:KR1020150081799

    申请日:2015-06-10

    CPC classification number: H01L41/113

    Abstract: 본발명은곡면기판의일면또는양면상에압전물질이구비되는구조를제시함과함께곡면기판과압전물질의두께, 단면적및 탄성계수를제어하여중립면(neutral plane)의위치가곡면기판내부에위치되도록함으로써외부의기계적응력에대응한압전물질의전기적포텐셜(electrical potential)을최대화할수 있는곡면형압전장치에관한것으로서, 본발명에따른곡면형압전장치는곡면기판; 및상기곡면기판의일면또는양면상에구비된압전물질을포함하여이루어지며, 응력인가시압축응력과인장응력이균형을이루는중립면은곡면기판내부에위치하며, 상기중립면의위치는아래식 1 또는식 2의 y와 y에의해결정되며, 상기중립면의위치는, 곡면기판과압전물질각각의두께(d), 단면적(A), 탄성계수(E)의조절에의해제어가능한것을특징으로한다. (식 1),(여기서,) (y은곡면기판의중심선과중립면사이의거리, y는압전물질의중심선과중립면사이의거리, d은곡면기판의두께, d는압전물질의두께, E은곡면기판의탄성계수, E는압전물질의탄성계수) (식 2),(여기서,) (y은곡면기판의중심선과중립면사이의거리, y는압전물질의중심선과중립면사이의거리, d은곡면기판의두께, d는압전물질의두께, E은곡면기판의탄성계수, E는압전물질의탄성계수, A은곡면기판의단면적, A는압전물질의단면적)

    거대 결정 입자를 갖는 금속 산화물 박막 및 그 제조방법
    30.
    发明公开
    거대 결정 입자를 갖는 금속 산화물 박막 및 그 제조방법 无效
    具有大理石颗粒的金属氧化物薄膜及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020160112348A

    公开(公告)日:2016-09-28

    申请号:KR1020150037964

    申请日:2015-03-19

    Abstract: 본발명의일 실시예에따른거대결정을갖는금속산화물박막제조방법은기판상에비정질시드층을형성하는단계및 상기비정질시드층상에상기비정질시드층의두께에대응되는크기의결정립을갖는금속산화물층을형성하는단계를포함할수 있다.

    Abstract translation: 根据本发明的一个实施方案,具有大块晶粒的金属氧化物薄膜的制造方法包括以下步骤:在基板上形成非晶种晶层; 以及在所述非晶态种子层上形成金属氧化物层,所述非晶种子层的晶粒尺寸对应于所述无定形籽晶层的厚度。

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