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公开(公告)号：KR1019980068689A
公开(公告)日：1998-10-26
申请号：KR1019970005429
申请日：1997-02-22
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/3205
Abstract: 본 발명은 다결성 규소박막의 제조방법에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 플라즈마 기상 화학 증착 방법을 이용하여 이중층 구조를 갖는 비정질 규소 박막을 증착한 후 이를 저온에서 열처리하여 입자 크기가 큰 다결성 규소박막의 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 목적은 종래의 방법에 비하여 비정질 규소박막의 증착시 증착 조건만을 변화시켜 추가비용 증가가 없고, 또한 기존의 방법과 병행하여 사용할 경우 더욱 좋은 결과를 얻을 수 있는 새로운 다결성 규소박막의 제조방법을 제공함에 있다.
즉, 본 발명은 이중층 구조의 비정질 규소박막의 증착도중 증착변수를 변화시켜 고상결정화하여 입자크기를 조절함을 특징으로 하는 다결정 규소박막의 제조방법이다.
본 발명에 의한 다결정 규소박막은 액정 디스플레이, SRAM 등에 사용되는 TFT용 활성층, 태양전지 및 SOI 등에 사용될 수 있다.-
公开(公告)号：KR101322652B1
公开(公告)日：2013-10-29
申请号：KR1020120037165
申请日：2012-04-10
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 용액성장법(chemical bath deposition)으로 성장한 황화아연(ZnS) 버퍼층을 이용하여 고효율 Cu(In,Ga)Se
2 (이하 CIGS) 박막태양전지를 제조하는 방법으로서, CIGS 박막 위에 얇은 황화아연 버퍼층을 증착한 후 산화아연(ZnO) 투명전도막을 증착하는 과정에서 스퍼터링에 의한 황화아연과 CIGS 광흡수층의 손상을 최소화하면서 비저항의 증가도 최소화하는 것이다. 이를 위해서 낮은 스퍼터링 파워에서 증착한 얇은 산화아연층과 높은 스퍼터링 파워에서 증착한 두꺼운 산화아연층으로 이루어지는 이중층 산화아연 투명전도막의 구조와 그 제조방법을 제공한다.-
公开(公告)号：KR1020130006020A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：KR1020110067802
申请日：2011-07-08
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/072 , H01L31/18 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/072 , H01L31/04 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a heterojunction solar cell using zinc compounds is provided to simply control a thin film forming process by forming all thin film layers including a light absorption layer with binary compounds. CONSTITUTION: A transparent electrode(11) is formed on a glass substrate(10). A window layer(12) is formed on the transparent electrode. A light absorption layer(13) is formed on the window layer. A rear surface field layer(14) is formed on the light absorption layer. A metal electrode(15) is formed on the rear surface field layer.
Abstract translation: 目的：提供一种使用锌化合物制造异质结太阳能电池的方法，以通过形成包括具有二元化合物的光吸收层的所有薄膜层来简单地控制薄膜形成工艺。 构成：在玻璃基板（10）上形成透明电极（11）。 在透明电极上形成窗口层（12）。 在窗口层上形成光吸收层（13）。 背光场层（14）形成在光吸收层上。 金属电极（15）形成在背面场层上。
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公开(公告)号：KR101090144B1
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：KR1020100055511
申请日：2010-06-11
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/20 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02667 , H01L21/02672
Abstract: PURPOSE: A poly-silicon crystallization technique is provided to reduce the leakage current of a TFT(Thin Film Transistor) by controlling the amount of a metal which is still remained within a poly silicon thin film. CONSTITUTION: An amorphous silicon layer includes two layers which are crystallized on a substrate. One of two crystallized layers is crystallized using a metal element. The metal element is selected one from a group which consists of nickel, aluminum, copper, gold, lead, and cobalt. The other of two crystallized layers is crystallized with a silicide phase. The metal density of a layer which is crystallized using the metal element is higher than that of the layer which is crystallized with the silicide phase.
Abstract translation: 目的：提供多晶硅结晶技术，通过控制仍然保留在多晶硅薄膜内的金属的量来减少TFT（薄膜晶体管）的漏电流。 构成：非晶硅层包括在衬底上结晶的两层。 使用金属元素使两个结晶层中的一个结晶。 金属元素选自由镍，铝，铜，金，铅和钴组成的组中的一种。 两个结晶层中的另一个用硅化物相结晶。 使用金属元素结晶的层的金属密度高于用硅化物相结晶的层的金属密度。
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公开(公告)号：KR1020100094228A
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：KR1020090013552
申请日：2009-02-18
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/18 , H01L31/0445
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/0445
Abstract: PURPOSE: An apparatus for forming the thin film of a thin film solar cell is provided to perform a manufacturing process under a high temperature condition using a graphite substrate which is highly resistant to high temperature. CONSTITUTION: A first discharging unit forms a p-type semiconductor layer which has a wide band-gap. A second discharging unit forms a p-type semiconductor layer which has a narrow band-gap. A third discharging unit forms an n-type semiconductor layer. A fourth discharging unit includes a discharging hole through which thermal treating vapor on a graphite substrate(11) on which the n-type semiconductor layer is formed. A transferring unit transfers the graphite substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成薄膜太阳能电池薄膜的装置，以使用高耐高温的石墨基板在高温条件下进行制造。 构成：第一放电单元形成具有宽带隙的p型半导体层。 第二放电单元形成具有窄带隙的p型半导体层。 第三放电单元形成n型半导体层。 第四排出单元包括排出孔，在其上形成有n型半导体层的石墨基板上的热处理蒸气。 转印单元转移石墨基底。
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Patent Agency Ranking26.发明授权
公开(公告)号：KR100786801B1
公开(公告)日：2007-12-18
申请号：KR1020060091310
申请日：2006-09-20
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/02667
Abstract: A method for manufacturing a high quality polycrystalline silicon thin film by using a silicon epitaxial layer, and an electronic device including the polycrystalline silicon thin film are provided to reduce metal pollution of the surface of the silicon thin film by growing a silicon epitaxial layer on the thin film. A polycrystalline silicon thin film(20) is formed by crystallizing an amorphous silicon thin film which is formed on a substrate(10). A silicon epitaxial layer(30) is grown on the crystallized polysilicon thin film. The amorphous silicon thin film is formed by a CVD, a sputtering or a vacuum evaporation method.
Abstract translation: 提供一种通过使用硅外延层制造高质量多晶硅薄膜的方法和包括多晶硅薄膜的电子器件，以通过在硅薄膜上生长硅外延层来减少硅薄膜表面的金属污染 薄膜。 通过使形成在基板（10）上的非晶硅薄膜结晶来形成多晶硅薄膜（20）。 在结晶的多晶硅薄膜上生长硅外延层（30）。 非晶硅薄膜通过CVD，溅射或真空蒸发法形成。
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公开(公告)号：KR100578104B1
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：KR1020030092079
申请日：2003-12-16
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L29/665 , H01L21/28518
Abstract: 본 발명은 코발트-질소 박막을 이용한 코발트 다이실리사이드 에피층의 형성방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 기가 디램(Giga DRAM)이나 기가 플래쉬 메모리(Giga flash memory) 등의 초고집적회로의 구성요소로 사용되는 수십 나노미터 크기의 모스 트랜지스터의 소스/드레인과 게이트 전극인 폴리실리콘에 실리사이드를 형성시키는 샐리사이드(salicide) 공정에서 코발트-질소 박막을 이용한 코발트 다이실리사이드(CoSi
2 ) 에피층의 형성방법에 관한 것이다.
본 발명은 소스/드레인 및 게이트를 포함하는 실리콘 기판과 코발트 사이에 중간층을 형성하지 않고 코발트-질소 박막을 이용하여 실리콘 기판의 소스/드레인 및 게이트에 CoSi
2 에피층을 형성할 수 있는 코발트 다이실리사이드 형성방법 제공을 목적으로 한다.-
公开(公告)号：KR100372753B1
公开(公告)日：2003-02-17
申请号：KR1020000036539
申请日：2000-06-29
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/324
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a polycrystalline silicon thin film is provided to form the polycrystalline silicon thin film at a low temperature even by using an amorphous silicon thin film evaporated on a substrate like glass or quartz which is not easily heated by microwave, and to reduce thermal stress to the substrate by maintaining the substrate at a temperature lower than the temperature at which the substrate is crystallized. CONSTITUTION: The amorphous silicon thin film is evaporated on the substrate by a conventional method. The amorphous silicon thin film of the substrate is heated by using a heating element. Simultaneously, microwave is applied to the amorphous silicon thin film so that a heat treatment is performed regarding the amorphous silicon thin film to crystallize the amorphous silicon thin film.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造多晶硅薄膜的方法，即使通过使用蒸发在基片上的非晶硅薄膜（例如不易被微波加热的玻璃或石英）在低温下形成多晶硅薄膜， 通过将衬底保持在低于衬底结晶温度的温度下来降低对衬底的热应力。 构成：通过常规方法在衬底上蒸发非晶硅薄膜。 通过使用加热元件来加热衬底的非晶硅薄膜。 同时，将微波施加到非晶硅薄膜上，从而对非晶硅薄膜进行热处理以使非晶硅薄膜结晶。
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公开(公告)号：KR100372752B1
公开(公告)日：2003-02-17
申请号：KR1020000026610
申请日：2000-05-18
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/0256
Abstract: 본 발명은 CBD(Chemical bath deposition)법을 이용하여 황화카드뮴(CdS) 박막을 제조함에 있어서, 카드뮴(Cd) 이온과 황(S) 이온이 용해되어 있는 용액을 가열시키는 열원을 기판의 상부에 설치함으로써 기판에서 Cd 이온과 S 이온이 반응하여 CdS 막을 형성하는 CdS막의 제조방법 및 장치에 관한 것이다.
본 발명은 용액에 함침되어 있는 기판 상부에 용액을 가열시키는 열원인 히터를 설치하여 기판이 가장 높은 온도를 갖도록 하고, 용액의 온도는 기판에서 멀어질수록 감소하게 함으로써 기판부근의 용액중에서 Cd 이온과 S 이온이 반응하여 CdS 입자의 생성을 억제하는 동시에 기판에서 Cd 이온과 S 이온이 반응하여 CdS 막이 생성되는 불균일 반응을 촉진하고 CdS막의 성장을 증가시키는 것을 목적으로 한다.-
公开(公告)号：KR100361971B1
公开(公告)日：2002-11-23
申请号：KR1020000068610
申请日：2000-11-17
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/324
Abstract: 본 발명은 다결정 규소 박막의 제조 방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 비정질 규소 박막을 알루미늄화합물 분위기에서 열처리함으로써, 낮은 온도에서 다결정 규소 박막을 경제적으로 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 제조방법은 기판을 세척하고 화학기상증착법(CVD) 또는 스퍼터링법에 의하여 비정질 규소박막을 증착시키는 공정; 알루미늄 화합물 분위기에서 전기 공정에서 수득한 비정질 규소 박막을 400℃내지 600℃의 온도로 열처리하여 결정화시키는 공정을 포함한다. 본 발명에 의해 금속성분과의 직접적 접촉 없이 1% 이하의 알루미늄이 포함된 다결정 규소 박막을 제조할 수 있다.
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