公开(公告)号：KR1020000019683A

公开(公告)日：2000-04-15

申请号：KR1019980037894

申请日：1998-09-15

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김충기 ,  한철희 ,  윤의식 ,  윤준보

IPC: H01F41/00

Abstract: PURPOSE: A solenoid inductor including an air core and a magnetic core is provided to have no limit for length and to be manufactured simply. CONSTITUTION: A method for an air solenoid inductor comprises following steps: a board having conductive lines on its upper surface is prepared(S1 Step); a three dimensional bridge mold is formed on the board by MESD (Multi-Exposure and Single Development) process(S2 Step); an iron bridge is formed on both the three dimensional bridge mold and the board(S3 Step). The method for solenoid inductor having magnetic core consists of: a board having conductive lines on its upper surface is prepared(S1 Step); a sacrificial layer is formed on the board(S2 Step); the board has magnetic core(S3 Step); the three dimensional bridge mold is formed on the board by SD(Single Development) process(S4 Step); the iron bridge is formed on both the three dimensional bridge mold and the board(S3 Step). The solenoid inductor has iron bridge which has both conductive lines and conductive posts in one body and which has no limit for length. As all processes is undertaken below 120 deg.C, it has high compatibility, many kinds of boards can be used for it.

Abstract translation: 目的：提供包括空芯和磁芯的螺线管电感器，其长度没有限制，并且简单地制造。 构成：空气螺线管电感的方法包括以下步骤：准备在其上表面具有导线的板（S1步骤）; 通过MESD（多曝光和单次显影）工艺（S2步骤）在板上形成三维桥模; 在三维桥模和板上形成铁桥（S3步）。 具有磁芯的螺线管电感器的方法包括：在其上表面上具有导线的板（S1步骤）; 在板上形成牺牲层（S2步骤）; 板上有磁芯（S3 Step）; 通过SD（Single Development）工艺（S4 Step）在板上形成三维桥模; 在三维桥模和板上形成铁桥（S3步）。 螺线管电感器具有铁桥，其在一个主体中具有导电线和导电柱，并且对于长度没有限制。 由于所有工艺都在120摄氏度以下进行，因此具有很高的相容性，因此可以使用多种板材。

公开(公告)号：KR100250806B1

公开(公告)日：2000-04-01

申请号：KR1019970009096

申请日：1997-03-18

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 한철희 ,  이내인 ,  허성회 ,  이진우

IPC: H01L27/115

Abstract: PURPOSE: An EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) and a flash memory using N2O plasma oxide layer as an insulator and a method for manufacturing the same are provided to form a memory cell by using a triple structure of the N2O plasma oxide layer/a nitride layer/an oxide layer. CONSTITUTION: A source/drain region(2) is formed on a predetermined region of a silicon substrate(1). A thermal oxide layer or a gate oxide layer(3) is formed on the source/drain region(2). A floating gate(4), an insulator(5), and a control gate(6) are formed on the thermal oxide layer or the gate oxide layer(3). The insulator(5) is formed with a single layer. The single layer of the insulator(5) is formed with a plasma oxide layer. The single layer of the insulator(5) is formed with an N2O plasma oxide layer. The single layer of the insulator(5) is formed with a triple structure of the N2O plasma oxide layer/a nitride layer/an oxide layer.

Abstract translation: 目的：提供使用N2O等离子体氧化物层作为绝缘体的EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）和闪速存储器及其制造方法，以通过使用N2O等离子体氧化物层/ 氮化物层/氧化物层。 构成：在硅衬底（1）的预定区域上形成源/漏区（2）。 在源极/漏极区域（2）上形成热氧化物层或栅极氧化物层（3）。 在热氧化物层或栅极氧化物层（3）上形成浮置栅极（4），绝缘体（5）和控制栅极（6）。 绝缘体（5）形成有单层。 绝缘体（5）的单层形成有等离子体氧化物层。 绝缘体（5）的单层由N 2 O等离子体氧化物层形成。 绝缘体（5）的单层由N 2 O等离子体氧化物层/氮化物层/氧化物层的三重结构形成。

公开(公告)号：KR1019980016629A

公开(公告)日：1998-06-05

申请号：KR1019960036296

申请日：1996-08-29

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 서상훈 ,  최강식 ,  권명석 ,  김정형 ,  윤석민 ,  장홍영 ,  한철희 ,  이정용

IPC: H01L21/205

Abstract: 이 발명은 펄스신호로써 압전밸브를 제어하여 가스의 분사량을 제어하는 것에 관한 것으로 반도체소자의 금속 에칭공정 등과 같이 플라즈마를 이용하는 공정에 적용가능하다. 이 발명은, 종래의 플라즈마 에칭 공정에서는 고온 또는 고에너지 이온 방사가 필요했지만, 활성가스의 분사량을 제어할 수 있으며 낮은 공정온도에서도 반응실 내의 활성가스 분압을 낮추어 높은 에칭률과 높은 선택비를 얻을 수 있어, 종래의 유도결합 플라즈마 장치에 분사되는 활성가스의 분사량을 제어할 수 있는 가스변조분사 장치아디. 가스의 분사량을 정밀 제어할 수 있어 최적의 공정조건을 만들 수 있고, 반도체 공정에서 에칭이 끝난 후 잔류량의 제거를 위해 일정 시간 다시 에칭하는 오버 에칭 공정으로의 응용 또한 가능하다.

公开(公告)号：KR1019970073328A

公开(公告)日：1997-12-10

申请号：KR1019960017990

申请日：1996-05-27

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 한철희 ,  이희덕 ,  김재관

IPC: H01L21/308

Abstract: 본 발명은 일반 실리콘 기판 위에 소자를 제조하고 소자 영역이 아닌 부분은 전기 화학적 방법으로 식각해내는 공정을 통해 SOI형 소자와 유사한 구조를 갖도록 하여, 일반의 실리콘 기판을 사용하면서도 SOI형 소자의 장점을 가지는 SOI형 반도체 소자 및 이를 화소 스위칭 소자로 이용하는 능동구동 액정표시장치의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 SOI형 반도체 소자의 제조방법은, SOI 기판에 비해 저가인 일반의 실리콘 기판을 사용하면서도 SOI형 소자와 같이 소자간의 전기적 절연 특성이 우수하고 누설 전류가 작으며 기생 용량이 작은 소자를 제조할 수 있는 장점이 있다. 또한, 본 발명에 의한 능동구동 액정표시장치의 제조방법에 의하면, 구동회로 및 부가회로의 일체 집적이 용이하고 현재의 반도체 집적기술을 그대로 이용할 수 있게 되므로, 소자의 크기를 다결정 실리콘을 사용할 때에 비해 더욱 줄여 고해상도와 고집적도를 얻을 수 있으며, 낮은 구동 전압이 가능해 전력소모를 줄일 수 있는 장점이 있음을 물론, 식각된 구멍이 기판 앞면의 미세 구조와 자동으로 정열되게 하므로서 매우 정교하게 구멍의 크기와 위치를 결정하게 되며, 기판 위의 이미 형성된 구조물에 화학적, 기계적 피해를 주지 않게 된다.

公开(公告)号：KR100374204B1

公开(公告)日：2003-03-04

申请号：KR1020000023620

申请日：2000-05-03

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이재덕 ,  한철희 ,  이춘섭 ,  천기철

IPC: B41J2/145

CPC classification number: B41J2/1607 ,  B41J2/14072 ,  B41J2/15 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1643 ,  B41J2/2128 ,  B41J2202/13

Abstract: A high-speed, high-resolution inkjet printhead. At least two ink-supply paths used to supply ink to the ink chamber are arranged on the substrate in a two-dimensional array. The present invention overcomes the disadvantages of conventional inkjet printheads, i.e., low degree of integration arising from nozzles aligned in a line around a single ink-supply path. Thus, according to the present invention, a large number of nozzles can be integrated on the substrate, thus resulting in high-speed, high-resolution printing.

Abstract translation: 高速，高分辨率的喷墨打印头。 用于将墨供应到墨室的至少两个墨供应路径以二维阵列布置在基板上。 本发明克服了常规喷墨打印头的缺点，即，由围绕单个墨水供应路径排成一行的喷嘴产生的低集成度。 因此，根据本发明，可以在基底上集成大量的喷嘴，从而导致高速，高分辨率的印刷。

公开(公告)号：KR100345285B1

公开(公告)日：2002-07-25

申请号：KR1019990032464

申请日：1999-08-07

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 한철희 ,  정훈주 ,  이승우

IPC: G09G3/36

CPC classification number: G09G3/3688 ,  G09G2310/027

Abstract: 본발명은비트정보를시간에따라차례로처리함으로서비트정보가지나가는버스선의개수와열 방향과수직한방향으로필요한데이터래치의개수를줄여서구동회로가차지하는폭을감소시켜고밀도로집적이가능하게하는액정표시기용디지털구동회로에관한것으로서, 데이터버스를통해입력되는 n-비트의디지털영상정보를비트별로차례로입력받아표시하는액정표시기에있어서; 데이터버스를통해디지털영상정보의데이터를순서대로저장하는제1 데이터래치와, 상기제1 데이터래치의동작을외부에서입력되는디지털영상정보의위치와동기시키는쉬프트레지스터와, 상기제1 데이터래치에저장되었던디지털정보를아날로그로변환하기전에저장하는제2 데이터래치와, 상기제2 데이터래치에저장되어있는디지털영상정보의데이터를비트별로차례로입력받아서아날로그신호로변환하는디지털-아날로그변환기를포함하는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR1020010107232A

公开(公告)日：2001-12-07

申请号：KR1020000028569

申请日：2000-05-26

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이춘섭 ,  이재덕 ,  한철희

IPC: H01J9/24

Abstract: 본 발명은 화학적 기계적 연마(Chemical-Mechanical-Polishing: CMP) 방법을 이용한 측면형 전계 방출 소자의 제조방법에 관한 것이다. 기존의 측면형 전계 방출 소자는 열적 스트레스 방법이나 전기적 스트레스를 이용하여 제조하기 때문에 전계 방출을 위한 간격의 재현성에 문제가 있는데 반하여, 본 발명에서는 전계 방출 소자 탐침의 간격이 산화막 두께에 의해 결정되기 때문에 초 미세 간격의 형성이 가능하다. 즉, 초 미세 간격이므로 전계 방출 소자의 구동 전압이 매우 낮고, 구동 전류가 커지게 된다. 또한, 제조 공정이 매우 간단하며, 넓은 면적도 제조가 가능해서 디스플레이로도 응용 가능한 장점을 가진다.

公开(公告)号：KR1020010068217A

公开(公告)日：2001-07-23

申请号：KR1020000000017

申请日：2000-01-03

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이춘섭 ,  한철희

IPC: B81C1/00

CPC classification number: G02B3/0056 ,  G02B3/0012

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method for a subminiature refractive silicon lens is provided to make an infrared silicon lens array of subminiature two-dimensional arrangement to be mounted on an infrared sensing element for improving the detectivity of the element by a refractive index of silicon. CONSTITUTION: A manufacturing method for a subminiature refractive silicon lens includes the steps of forming boron doping area(130) on a silicon substrate, and selectively removing parts except the boron doping area, wherein the boron doping areas are formed by the steps of forming a diffusion preventing film pattern having an opening part for exposing a front surface of the substrate on the substrate, forming a curved part(130a) by diffusing the boron only in the exposure part of the substrate by using the diffusion preventing film pattern as a diffusion mask, forming a modified diffusion preventing film pattern having an opening of which width is larger than the curved part by patterning the diffusion preventing film pattern to expose the substrate surface including the curved part, and forming a flat plate part(130b) by diffusing the boron in the exposure part of the substrate again by using the modified diffusion preventing film pattern as a diffusion mask.

Abstract translation: 目的：提供一种用于超小型折射硅透镜的制造方法，以使得将小型二维布置的红外硅透镜阵列安装在红外感测元件上，以通过硅的折射率改善元件的检测性。 构成：用于超小型折射硅透镜的制造方法包括以下步骤：在硅衬底上形成硼掺杂区域（130），并且选择性地除去除了硼掺杂区域之外的部分，其中硼掺杂区域通过以下步骤形成： 扩散防止膜图案，其具有用于使基板的前表面暴露在基板上的开口部，通过使用扩散防止膜图案作为扩散掩模，仅将硼扩散到基板的曝光部分而形成弯曲部（130a） 通过对扩散防止膜图案进行构图以形成包括弯曲部的基板表面，形成具有宽度大于弯曲部的开口的改性扩散防止膜图案，通过使硼扩散而形成平板部（130b） 通过使用改性扩散防止膜图案作为扩散掩模，再次在基板的曝光部分中。

公开(公告)号：KR100228719B1

公开(公告)日：1999-11-01

申请号：KR1019960017990

申请日：1996-05-27

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 한철희 ,  이희덕 ,  김재관

IPC: H01L21/308

CPC classification number: H01L21/2007 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/76251 ,  Y10S438/977

Abstract: 본 발명은 일반 실리콘 기판 위에 소자를 제조하고 소자 영역이 아닌 부분은 전기 화학적 방법으로 식각해 내는 공정을 통해 SOI형 소자와 유사한 구조를 갖도록 하여, 일반의 실리콘 기판을 사용하면서도 SOI형 소자의 장점을 가지는 SOI형 반도체 소자 및 이를 화소 스위칭 소자로 이용하는 능동구동 액정표시장치의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 SOI형 반도체 소자의 제조방법은, SOI 기판에 비해 저가인 일반의 실리콘 기판을 사용하면서도 SOI형 소자와 같이 소자간의 전기적 절연 특성이 우수하고 누설 전류가 작으며 기생 용량이 작은 소자를 제조할 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명에 의한 능동구동 액정표시장치의 제조방법에 의하면, 구동회로 및 부가회로의 일체 집적이 용이하고 현재의 반도체 집적기술을 그대로 이용할 수 있게 되므로, 소자의 크기를 다결정 실리콘을 사용할 때에 비해 더욱 줄여 고해상도와 고집적도를 얻을 수 있으며, 낮은 구동 전압이 가능해 전력소모를 줄일 수 있는 장점이 있음은 물론, 식각된 구멍이 기판 앞면의 미세 구조와 자동으로 정열되게 함으로써 매우 정교하게 구멍의 크기와 위치를 결정하게 되며, 기판 위의 이미 형성된 구조물에 화학적, 기계적 피해를 주지 않게 된다.

公开(公告)号：KR1019970077299A

公开(公告)日：1997-12-12

申请号：KR1019960017989

申请日：1996-05-27

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 한철희 ,  이희덕 ,  김재관

IPC: H01L21/306

Abstract: 본 발명은 실리콘 기판 앞면에 멤브레인 패턴을 형성하고 멤브레인 패턴을 통해 실리콘 기판에 전류나 전압을 가하여 실리콘 기판 뒷면에서부터 전기화학적 식각이 일어나도록 하여, 실리콘 전체를 식각하면서 n-형 및 p-형 멤브레인이 형성되는 공정을 포함하는 실리콘 멤브레인의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법에의해 제조되는 실리콘 멤브레인은 다음과 같은 효과가 있다 : 첫째, 실리콘 멤브레인 패턴을 기판의 앞면에 형성하므로 종래의 비등방성 식각방법과는 달리, 값이싼 단면연마된 실리콘 기판을 사용할 수 있다. 둘째, n-형 및 p-형 실리콘 멤브레인을 동시에 형성할 수 있으며, 따라서 NMOSFET 와 PMOSFET을 동시에 형성 할 수 있다. 셋째, 실리콘 멤브레인 제조 시간이 매우 단축되므로 생산성이 증대된다. 넷째, 제조된 실리콘 멤브레인은 SOI형 소자에 응용이 적합하다.