고열전도 클래드 메탈 제조방법
    21.
    发明授权
    고열전도 클래드 메탈 제조방법 有权
    具有高导电性的复合金属的制造方法

    公开(公告)号:KR101307141B1

    公开(公告)日:2013-09-10

    申请号:KR1020110106870

    申请日:2011-10-19

    Abstract: 본 발명은 수직 방향으로의 고방열 특징을 갖는 클래드 메탈 제조방식에 관한 것으로 상하부 금속층과 망사 또는 타공판 형상을 갖는 중간 금속 모재층과의 기계적, 전기적 특성 향상을 위해 도금된 중간 모재층을 사용하여 클래드 메탈을 제조하는 것을 특징으로 한다. 클래드 메탈 제조에서 상하부 금속층과 중간 모재층의 결합력 및 계면에서의 불순물 제거는 클래드 메탈의 전기적, 기계적 특성 향상에 매우 중요하다. 특히 본 발명에서 구현하고자 하는 수직 고방열 특성의 경우 망사 또는 타공판 형상을 가진 중간 모재층의 경우 기존 판상형 모재층과는 달리 금속 표면의 산화막 제거가 용이하지 않아 클래드 메탈 제조 후 계면 결함의 원인이 될 수 있다. 본 발명에서는 이러한 단점을 극복하기 위해서 망사 또는 타공형 중간 모재층에 상하부 금속과 같은 계열의 금속층을 도금함으로써 클래드 메탈 제조 공정 후 계면의 결합력 향상과 망사 형태의 중간 모재층에서 발생하기 쉬운 결함을 억제할 수 있다. 또한 도금된 금속층의 경우 중간 모재층의 표면에 산화막 생성을 억제하여 클래드 메탈 제조 공정 중 사용되는 산화막 제거 공정을 최소화할 수 있는 장점이 있다. 특히 Cu 또는 Cu 합금을 도금한 망사형 중간 모재층을 적용한 클래드 메탈 구조에서는 상하부 금속층과 같은 Cu계 금속층 이므로 결합력뿐만 아니라 높은 열전도율의 특성까지 유지할 수 있어, 종래의 클래드 메탈에서 확보하기 어려운 수직방향의 고 열전도도 특성을 구현할 수 있다. 이러한 본 발명을 계기로 그동안 수직 고방열 특성을 가진 고강도의 클래드 메탈 부재로 인한 광전소자 및 통신소자 제작의 어려움을 극복하고 우수한 고효율의 소자 제작이 가능하게 될 것으로 기대된다.

    고방열 클래드 메탈 제조 방법
    22.
    发明公开
    고방열 클래드 메탈 제조 방법 有权
    用于高热再生沥青的金属制造方法

    公开(公告)号:KR1020130042777A

    公开(公告)日:2013-04-29

    申请号:KR1020110106855

    申请日:2011-10-19

    Abstract: PURPOSE: A high radiant heat clad metal manufacturing method is provided to connect high thermal conductivity of an upper layer to a lower metal layer by improving a shape of a middle basic material layer as a mesh-shape or a punched shape. CONSTITUTION: A high radiant heat clad metal manufacturing method comprises an upper or a lower metal layer(11,12) and a different kind of basic material layer which is a middle layer. A part of the different kind of the basic material layer is removed so that the upper metal layer and the lower metal are directly connected. The middle basic material layer is manufactured as a mesh shape and comprises clad metal with the upper metal layer and the lower metal layer. The middle basic material layer is manufactured as a punched shape and comprises the clad metal with the upper metal layer and the lower metal layer. [Reference numerals] (11) Lower metal layer; (12) Upper metal layer; (31) Middle basic material layer;

    Abstract translation: 目的:提供高辐射热复合金属制造方法,通过改善中间基材层的形状作为网状或冲压形状,将上层的高导热性与下金属层连接。 构成:高辐射热复合金属制造方法包括上金属层或下金属层(11,12)和作为中间层的不同种类的基材层。 去除不同种类的基本材料层的一部分,使得上金属层和下金属直接连接。 中间的基本材料层被制造成网状,并且包括具有上金属层和下金属层的复合金属。 中间基体材料层被制造成冲压形状,并且包括具有上金属层和下金属层的复合金属。 (11)下金属层; (12)上金属层; (31)中间基材层;

    점진적인 굴절률의 투명전극을 가진 질화갈륨 기반의 태양전지 및 그 제조방법
    24.
    发明授权
    점진적인 굴절률의 투명전극을 가진 질화갈륨 기반의 태양전지 및 그 제조방법 有权
    一种具有渐进折射率的透明电极的氮化镓基太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:KR101677430B1

    公开(公告)日:2016-11-22

    申请号:KR1020150040273

    申请日:2015-03-23

    CPC classification number: Y02E10/52 Y02P70/521

    Abstract: 태양전지에있어서, 상기태양전지의 P형화합물반도체층과 P전극사이에적층되는적어도하나이상의물질층으로써, 상기 P형화합물반도체층에가장인접한물질층으로부터상기 P전극에가장인접한물질층까지의각 물질층이점진적으로낮은굴절률을갖는물질로이루어진굴절률조정부를포함하는것을특징으로하는본 발명의일 실시예에따른태양전지가개시된다.

    Abstract translation: 1。一种太阳能电池,包括:至少一个材料层,层压在所述太阳能电池的P型化合物半导体层和P电极之间,其中所述至少一个材料层距离所述P型化合物半导体层最近的材料层, 根据本发明实施例的太阳能电池,其特征在于,材料层包括由具有逐渐降低的折射率的材料制成的折射率调节部分。

    자연 배수 장치 및 자연 배수 장치의 제조 방법
    25.
    发明公开
    자연 배수 장치 및 자연 배수 장치의 제조 방법 无效
    自然排水装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020160063712A

    公开(公告)日:2016-06-07

    申请号:KR1020140167327

    申请日:2014-11-27

    CPC classification number: E03F5/06 E03F5/14 E03F2005/061

    Abstract: 일실시예에따른자연배수장치는내부공간에격자구조가형성된프레임; 상기프레임의격자구조상에배치되는망 부재; 상기망 부재의외주면에부착되는분리부재; 및상기망 부재상에배치되어상기분리부재의내부공간에채워지는공극부재;를포함하고, 상기분리부재에의해상기공극부재가상기프레임의내부공간으로부터분리될수 있다.

    Abstract translation: 根据本发明的实施例的自然排水装置包括:在其内部空间中具有网格结构的框架; 布置在框架的网格结构上的网状构件; 分离构件,其连接到所述网状构件的外表面; 以及布置在网状构件上并被填充在分离构件的内部空间中的多孔构件,其中多孔构件可以通过分离构件与框架的内部空间分离。 因此,本发明能够容易地移除或更换多孔构件。

    금속 분말층을 구비한 고방열 클래드 메탈 및 그의 제조 방법
    27.
    发明公开
    금속 분말층을 구비한 고방열 클래드 메탈 및 그의 제조 방법 无效
    高电导率金属与金属粉末层及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020150014021A

    公开(公告)日:2015-02-06

    申请号:KR1020130088594

    申请日:2013-07-26

    Abstract: Disclosed is a high heat dissipation clad metal and a fabrication method thereof, having an intermediate basic material layer for vertical heat dissipation. The present invention includes: a matrix of a first metal; and a metallic powder comprised of a second metal dispersed inside the matrix. The matrix penetrates between the dispersed metallic powders to be connected, and the first metal has a higher stiffness than the second metal. According to the present invention, the clad metal shows high heat conductivity in the vertical direction by thermally and electrically connecting the upper and the lower side of the clad metal by providing an intermediate basic material layer including rigid particles inside the matrix of the high heat dissipation inside the clad metal.

    Abstract translation: 公开了一种高散热复合金属及其制造方法,具有用于垂直散热的中间基材层。 本发明包括:第一金属的基体; 以及由分散在基体内的第二金属组成的金属粉末。 基体穿透待连接的分散的金属粉末,第一金属具有比第二金属更高的刚度。 根据本发明,通过在基体内提供高散热性的包含刚性粒子的中间基体材料层,通过热电连接复合金属的上侧和下侧,使复合金属在垂直方向上显示出高导热性 在复合金属内。

    산화물 기반의 고 유연성 투명전극
    28.
    发明授权
    산화물 기반의 고 유연성 투명전극 有权
    高柔性和透明电极基氧化物

    公开(公告)号:KR101449258B1

    公开(公告)日:2014-10-08

    申请号:KR1020130032237

    申请日:2013-03-26

    Abstract: 본 발명에 따른 산화물 기반의 고 유연성 투명전극은 차세대 디스플레이인 고 유연 디스플레이 소자에 적용할 수 있는 고유연의 특성을 갖으며 동시에 전기적, 광학적 특성이 뛰어난 투명 전극에 관한 것으로 유리 또는 폴리머 소재의 유연한 기판을 준비하는 제 1단계와 상기의 기판을 챔버내에 구비된 로테이터에 회전가능토록 고정한 후 고진공 펌프와 저진공 펌프 및 진공 벨브에 의하여 진공을 발생시키고, 3족 원소(Ga, Al)가 도핑된 ZnO 타겟(target)을 장착한 제 1스퍼터건과 ITO 타겟을 장착한 제 2스퍼터건에 각각 RF파워를 가함으로써 플라즈마 밀도를 조절하여 ZITO:Ga 또는 ZITO:Al 박막의 전체적인 두께와 물질에서 In(인듐)이 차지하는 함량을 조절하여 ZITO:Ga 또는 ZITO:Al의 박막을 형성(증착)하는 제 2단계 및 상기의 제 2단계를 완료한 기판을 200℃~300℃에 서 50초~70초 동안 열처리하는 제 3단계로 제작되어 고 유연성을 가지는 것은 물론이고 우수한 전기적 특성과 높은 광투과율을 가지며 ITO의 주된 물질이자 희토류 금속인 인듐의 사용량을 감소시킬 수 있도록 3족 원소가 도핑된 ZnO-ITO의 다성분계 금속산화물계 투명 전극으로 다성분 금속 산화물계 투명전극의 제조 시 공정 조건 등을 최적화시킴으로써 산화물 기반의 고 유연성 투명전극을 제공하는 효과가 있다.

    원통형 스퍼터링 캐소드
    30.
    发明公开
    원통형 스퍼터링 캐소드 无效
    圆柱喷雾阴极

    公开(公告)号:KR1020160089952A

    公开(公告)日:2016-07-29

    申请号:KR1020150009502

    申请日:2015-01-20

    CPC classification number: C23C14/3407 C23C14/35

    Abstract: 본발명은, 원통형의스퍼터링타깃(10), 스퍼터링타깃(10)의내부에스퍼터링타깃(10)의길이방향으로배치되며자기장을형성하는마그넷(20), 마그넷(20)을지지하는마그넷지지유닛(30)을포함하고, 마그넷(20)은스퍼터링타깃(10)의내주면과간극(G)을두고대면하는대향면(22)을가지며대향면(22)이스퍼터링타깃(10)의내주에대응되는곡률을갖도록형성된원통형스퍼터링캐소드를제공한다.

    Abstract translation: 本发明提供一种圆柱形溅射阴极,包括:圆柱形溅射靶(10); 在所述溅射靶(10)内沿所述溅射靶(10)的纵向布置的磁体(20),形成磁场; 以及支撑所述磁体(20)的磁体支撑单元(30)。 所述磁体(20)具有与所述溅射靶(10)的内周面对置的相反面(22),同时留有间隙(G),所述相对面(22)形成为具有与所述内周 的溅射靶(10)。

Patent Agency Ranking