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公开(公告)号：KR1020140131713A
公开(公告)日：2014-11-14
申请号：KR1020130050633
申请日：2013-05-06
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/0008 , H01L33/22 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L2924/12041
Abstract: 본 발명은 수직형 발광다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 수직형 발광다이오드는 pn접합 구조를 갖는 질화물 반도체를 기반으로 하며, p형 클래드층 상에 p형 클래드층과 굴절율이 상이하며 패턴 구조를 갖는 투명소재층을 형성한다. 투명소재층 상에는 p-전극으로서 반사 금속 전극층을 형성한다. 투명소재층에 입체적인 패턴을 형성한 후 p-전극을 증착함으로써 p-전극에 패턴이 형성된다. p-전극에 형성된 패턴에 의해 활성층에서 방출된 빛이 넓은 방사각으로 방출되며, 패턴된 형태와 물질의 굴절률에 따라 반사율을 향상시킨다.
본 발명에 따른 수직형 발광다이오드는 간단한 공정에 의해 제조되면서도, p-전극의 패턴에 의해 빛이 넓은 각도로 방출되어 높은 반사효율로 인해서 고효율의 수직형 발광다이오드를 제공할 수 있다.Abstract translation: 本发明涉及垂直发光二极管及其制造方法。 根据本发明的垂直发光二极管基于具有p-n结的氮化物半导体，并且形成在p型覆盖层上具有与p型覆盖层不同的折射率和图案结构的透明材料层。 垂直发光二极管在透明材料层上形成作为p电极的折射金属电极层，并通过在透明材料层上形成立体图案并沉积p电极而在p电极上形成图案。 本发明通过形成在p电极上的图案从有源层发射具有宽的辐射角的光，并且根据图案化类型和材料的折射率提高反射率。 根据本发明的垂直发光二极管通过简单的工艺制造时，通过p电极上的图案以广角发射光，从而由于高反射效率而提高效率。
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公开(公告)号：KR1020140117155A
公开(公告)日：2014-10-07
申请号：KR1020130032237
申请日：2013-03-26
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단 , (주) 누리베큠
IPC: H01B13/00 , H01B5/14 , G02F1/1343
Abstract: An oxide based highly flexible transparent electrode according to the present invention has a highly flexible characteristic which can be applied to a highly flexible display device, which is a next generation display, and concurrently has excellent electrical and optical characteristics. The transparent electrode is manufactured by a first step of preparing a flexible substrate made of glass or polymer; a second step of fixating the substrate at a rotator arranged within a chamber to be rotatable, generating a vacuum by a high vacuum pump, a low vacuum pump and a vacuum pump, and adjusting the density of plasma and adjusting an indium content in overall thickness and materials of a ZITO:Ga or ZITO:Al thin film to form (deposit) the ZITO:Ga or ZITO:Al thin film by applying RF power to each of a first sputter gun equipped with a ZnO target doped with group 3 elements (Ga, Al) and a second sputter gun equipped with an ITO target; and a third step of performing heat treatment for the substrate that has passed the second step, at 200-300°C for 50-70 seconds. The present invention provides the oxide based highly flexible transparent electrode by optimizing process conditions when manufacturing a multi-component metal oxide based transparent electrode made of ZnO-ITO doped with the 3 group elements, to have excellent electrical characteristics and high light transmittance as well as high flexibility and to reduce usage of indium which is a main material of the ITO and a rare earth metal.
Abstract translation: 根据本发明的基于氧化物的高柔性透明电极具有高度灵活的特性，其可以应用于作为下一代显示器的高度柔性的显示装置，并且同时具有优异的电气和光学特性。 通过制备由玻璃或聚合物制成的柔性基底的第一步制造透明电极; 将基板固定在室内的旋转体上以便可旋转的第二步骤，通过高真空泵，低真空泵和真空泵产生真空，并调节等离子体的密度并调整铟的总厚度 和ZITO：Ga或ZITO：Al薄膜的材料，通过向配备有掺杂有3族元素的ZnO靶的第一溅射枪施加RF功率来形成（沉积）ZITO：Ga或ZITO：Al薄膜 Ga，Al）和配备有ITO靶的第二溅射枪; 对经过第二工序的基板进行热处理，在200〜300℃下进行50〜70秒的第三工序。 本发明通过在制造掺杂有3组元素的ZnO-ITO制成的多组分金属氧化物基透明电极的工艺条件下优化提供氧化物高柔性透明电极，具有优异的电特性和高透光率 高灵活性和减少作为ITO和稀土金属的主要材料的铟的使用。
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公开(公告)号：KR101307141B1
公开(公告)日：2013-09-10
申请号：KR1020110106870
申请日：2011-10-19
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 수직 방향으로의 고방열 특징을 갖는 클래드 메탈 제조방식에 관한 것으로 상하부 금속층과 망사 또는 타공판 형상을 갖는 중간 금속 모재층과의 기계적, 전기적 특성 향상을 위해 도금된 중간 모재층을 사용하여 클래드 메탈을 제조하는 것을 특징으로 한다. 클래드 메탈 제조에서 상하부 금속층과 중간 모재층의 결합력 및 계면에서의 불순물 제거는 클래드 메탈의 전기적, 기계적 특성 향상에 매우 중요하다. 특히 본 발명에서 구현하고자 하는 수직 고방열 특성의 경우 망사 또는 타공판 형상을 가진 중간 모재층의 경우 기존 판상형 모재층과는 달리 금속 표면의 산화막 제거가 용이하지 않아 클래드 메탈 제조 후 계면 결함의 원인이 될 수 있다. 본 발명에서는 이러한 단점을 극복하기 위해서 망사 또는 타공형 중간 모재층에 상하부 금속과 같은 계열의 금속층을 도금함으로써 클래드 메탈 제조 공정 후 계면의 결합력 향상과 망사 형태의 중간 모재층에서 발생하기 쉬운 결함을 억제할 수 있다. 또한 도금된 금속층의 경우 중간 모재층의 표면에 산화막 생성을 억제하여 클래드 메탈 제조 공정 중 사용되는 산화막 제거 공정을 최소화할 수 있는 장점이 있다. 특히 Cu 또는 Cu 합금을 도금한 망사형 중간 모재층을 적용한 클래드 메탈 구조에서는 상하부 금속층과 같은 Cu계 금속층 이므로 결합력뿐만 아니라 높은 열전도율의 특성까지 유지할 수 있어, 종래의 클래드 메탈에서 확보하기 어려운 수직방향의 고 열전도도 특성을 구현할 수 있다. 이러한 본 발명을 계기로 그동안 수직 고방열 특성을 가진 고강도의 클래드 메탈 부재로 인한 광전소자 및 통신소자 제작의 어려움을 극복하고 우수한 고효율의 소자 제작이 가능하게 될 것으로 기대된다.
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公开(公告)号：KR1020130042777A
公开(公告)日：2013-04-29
申请号：KR1020110106855
申请日：2011-10-19
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: B23K20/04 , B23K20/227
Abstract: PURPOSE: A high radiant heat clad metal manufacturing method is provided to connect high thermal conductivity of an upper layer to a lower metal layer by improving a shape of a middle basic material layer as a mesh-shape or a punched shape. CONSTITUTION: A high radiant heat clad metal manufacturing method comprises an upper or a lower metal layer(11,12) and a different kind of basic material layer which is a middle layer. A part of the different kind of the basic material layer is removed so that the upper metal layer and the lower metal are directly connected. The middle basic material layer is manufactured as a mesh shape and comprises clad metal with the upper metal layer and the lower metal layer. The middle basic material layer is manufactured as a punched shape and comprises the clad metal with the upper metal layer and the lower metal layer. [Reference numerals] (11) Lower metal layer; (12) Upper metal layer; (31) Middle basic material layer;
Abstract translation: 目的：提供高辐射热复合金属制造方法，通过改善中间基材层的形状作为网状或冲压形状，将上层的高导热性与下金属层连接。 构成：高辐射热复合金属制造方法包括上金属层或下金属层（11,12）和作为中间层的不同种类的基材层。 去除不同种类的基本材料层的一部分，使得上金属层和下金属直接连接。 中间的基本材料层被制造成网状，并且包括具有上金属层和下金属层的复合金属。 中间基体材料层被制造成冲压形状，并且包括具有上金属层和下金属层的复合金属。 （11）下金属层; （12）上金属层; （31）中间基材层;
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101677430B1
公开(公告)日：2016-11-22
申请号：KR1020150040273
申请日：2015-03-23
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L31/054 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지에있어서, 상기태양전지의 P형화합물반도체층과 P전극사이에적층되는적어도하나이상의물질층으로써, 상기 P형화합물반도체층에가장인접한물질층으로부터상기 P전극에가장인접한물질층까지의각 물질층이점진적으로낮은굴절률을갖는물질로이루어진굴절률조정부를포함하는것을특징으로하는본 발명의일 실시예에따른태양전지가개시된다.
Abstract translation: 1。一种太阳能电池，包括：至少一个材料层，层压在所述太阳能电池的P型化合物半导体层和P电极之间，其中所述至少一个材料层距离所述P型化合物半导体层最近的材料层， 根据本发明实施例的太阳能电池，其特征在于，材料层包括由具有逐渐降低的折射率的材料制成的折射率调节部分。
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公开(公告)号：KR2020160000978U
公开(公告)日：2016-03-25
申请号：KR2020140006782
申请日：2014-09-17
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: A45D29/00 , B01J19/08 , H05B37/02 , F21K99/00 , G01R15/22 , F21V33/00 , F21L4/02 , F21L4/08 , H01L33/00
CPC classification number: A45D29/00 , B01J19/08 , F21K9/00 , F21L4/02 , F21L4/08 , F21V33/00 , G01R15/22 , H01L33/00 , H05B37/02
Abstract: 본고안은크기가작아서휴대가가능한젤네일경화기에관한것으로, 하나이상의관통공이형성된하우징; 상기하우징내부에설치되고, 상기관통공을통하여빛을발산하는발광소자; 상기하우징내부에설치되고, 상기발광소자를제어하는 PCB;를포함하여구성되며, 상기발광소자가 360~410nm 파장범위의빛을발광하는 LED 소자인것을특징으로한다. 그리고제품의소형화를위하여, 자체전원이아닌외부전원과연결하기위한연결포트를구비하는것이좋으며, 연결포트가 USB 방식의포트로서외부전원이휴대전화기특히스마트폰인것이바람직하다. 이때, USB 방식으로연결된스마트폰에설치된어플리케이션에의해서젤네일경화기를제어할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150014021A
公开(公告)日：2015-02-06
申请号：KR1020130088594
申请日：2013-07-26
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: Disclosed is a high heat dissipation clad metal and a fabrication method thereof, having an intermediate basic material layer for vertical heat dissipation. The present invention includes: a matrix of a first metal; and a metallic powder comprised of a second metal dispersed inside the matrix. The matrix penetrates between the dispersed metallic powders to be connected, and the first metal has a higher stiffness than the second metal. According to the present invention, the clad metal shows high heat conductivity in the vertical direction by thermally and electrically connecting the upper and the lower side of the clad metal by providing an intermediate basic material layer including rigid particles inside the matrix of the high heat dissipation inside the clad metal.
Abstract translation: 公开了一种高散热复合金属及其制造方法，具有用于垂直散热的中间基材层。 本发明包括：第一金属的基体; 以及由分散在基体内的第二金属组成的金属粉末。 基体穿透待连接的分散的金属粉末，第一金属具有比第二金属更高的刚度。 根据本发明，通过在基体内提供高散热性的包含刚性粒子的中间基体材料层，通过热电连接复合金属的上侧和下侧，使复合金属在垂直方向上显示出高导热性 在复合金属内。
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公开(公告)号：KR101449258B1
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：KR1020130032237
申请日：2013-03-26
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단 , (주) 누리베큠
IPC: H01B13/00 , H01B5/14 , G02F1/1343
Abstract: 본 발명에 따른 산화물 기반의 고 유연성 투명전극은 차세대 디스플레이인 고 유연 디스플레이 소자에 적용할 수 있는 고유연의 특성을 갖으며 동시에 전기적, 광학적 특성이 뛰어난 투명 전극에 관한 것으로 유리 또는 폴리머 소재의 유연한 기판을 준비하는 제 1단계와 상기의 기판을 챔버내에 구비된 로테이터에 회전가능토록 고정한 후 고진공 펌프와 저진공 펌프 및 진공 벨브에 의하여 진공을 발생시키고, 3족 원소(Ga, Al)가 도핑된 ZnO 타겟(target)을 장착한 제 1스퍼터건과 ITO 타겟을 장착한 제 2스퍼터건에 각각 RF파워를 가함으로써 플라즈마 밀도를 조절하여 ZITO:Ga 또는 ZITO:Al 박막의 전체적인 두께와 물질에서 In(인듐)이 차지하는 함량을 조절하여 ZITO:Ga 또는 ZITO:Al의 박막을 형성(증착)하는 제 2단계 및 상기의 제 2단계를 완료한 기판을 200℃~300℃에 서 50초~70초 동안 열처리하는 제 3단계로 제작되어 고 유연성을 가지는 것은 물론이고 우수한 전기적 특성과 높은 광투과율을 가지며 ITO의 주된 물질이자 희토류 금속인 인듐의 사용량을 감소시킬 수 있도록 3족 원소가 도핑된 ZnO-ITO의 다성분계 금속산화물계 투명 전극으로 다성분 금속 산화물계 투명전극의 제조 시 공정 조건 등을 최적화시킴으로써 산화물 기반의 고 유연성 투명전극을 제공하는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR101924070B1
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：KR1020160115595
申请日：2016-09-08
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본발명은, 란탄족물질도핑기반의고 전도성유연투명전극및 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 기판; 및상기기판상에형성되고, 국부적으로나노결정닷이분포된란탄족물질을도핑한비정질박막; 을포함하는, 란탄족물질도핑기반의고 전도성유연투명전극및 이의제조방법에관한것이다. 본발명은, 플렉서블또는웨어러블소자에적용가능한유연성과전기적특성을갖는, 고전도성유연투명전극을제공할수 있다.
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