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公开(公告)号：KR1020070044761A
公开(公告)日：2007-04-30
申请号：KR1020060059134
申请日：2006-06-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 본 발명은 박막을 구성하는 원소를 포함하는 전구체들 간의 표면화학반응을 이용하여 저온에서 형성한 투명한 ZnO 박막을 포함하는 박막 트랜지스터에 관한 것으로, (a) 기판 상에 게이트 금속막을 증착하고, 포토리소그래피와 선택적 식각을 통해 게이트 전극을 형성하는 단계와, (b) 상기 게이트 전극이 형성된 기판 상에 게이트 인슐레이터를 증착하는 단계와, (c) 상기 게이트 인슐레이터 상에 소오스/드레인용 금속막을 증착하고, 포토리소그래피와 선택적 식각을 통해 소오스/드레인 전극을 형성하는 단계와, (d) 상기 소오스/드레인 전극 상에 원자층 증착법을 이용하여 ZnO 박막을 증착하는 단계를 포함하여 이루어지는데 있다.
투명 트랜지스터, 휘어지는 트랜지스터, ZnO 반도체막, 원자층 증착법-
公开(公告)号：KR100696195B1
公开(公告)日：2007-03-20
申请号：KR1020050085167
申请日：2005-09-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/052 , H01L51/0055 , H01L51/0545
Abstract: 본 발명은 저온 경화형 고분자 게이트 절연막 및 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 게이트 절연막은 아크릴레이트계 화합물, 안하이드라이드계 화합물 및 에폭시계 화합물로부터 저온에서 형성될 수 있으며, 저온 형성이 가능하기 때문에 선공정막에 미치는 영향이 최소화될 수 있고, 이렇게 형성된 게이트 절연막은 내화학성, 고내열성 및 우수한 표면 특성을 갖는다.
또한, 본 발명에 따른 게이트 절연막을 유기 활성막, 게이트 전극 및 소스-드레인 전극을 구비하는 유기 박막 트랜지스터에서 게이트 전극 상부에 형성시킴으로써 우수한 전기적 특성을 갖게 한다.
게이트 절연막, 저온 경화, 유기 박막 트랜지스터-
公开(公告)号：KR1020070027939A
公开(公告)日：2007-03-12
申请号：KR1020050079915
申请日：2005-08-30
IPC: C07C245/10
Abstract: Provided are pentacene precursors, which are synthesized by a Diels-Alder reaction, have high solubility in organic solvent, and produce pentacene via a retro Diels-Alder reaction by pyrolysis without using vacuum devices. The pentacene precursor is a Diels-Alder reaction product of an aromatic azine compound and a benzyne equivalent and comprises at least one -N=N- bridge on a 2 to 4-positioned benzene ring of the following formula(I). The aromatic azine compound is selected from phthalazine, pyridazine, or tetrazine. The benzyne equivalent is selected from tetrabromobenzene, 2,3-dibromonaphthalene, or phthalic anhydride.
Abstract translation: 通过Diels-Alder反应合成的并五苯前体在有机溶剂中具有很高的溶解度，并且通过热解而不使用真空装置通过复古Diels-Alder反应产生并五苯。 并五苯前体是芳族吖嗪化合物和苯并对等物的Diels-Alder反应产物，并且在下述式（I）的2至4位苯环上包含至少一个-N = N-桥。 芳族吖嗪化合物选自酞嗪，哒嗪或四嗪。 苯并对当量选自四溴苯，2,3-二溴萘或邻苯二甲酸酐。
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公开(公告)号：KR100593300B1
公开(公告)日：2006-06-26
申请号：KR1020040091257
申请日：2004-11-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C08J5/22 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/052 , H01L51/0052
Abstract: 본 발명은 열경화성 유기고분자 게이트 절연막 조성물 및 이를 이용한 유기박막 트랜지스터를 개시한다. 본 발명에 따른 열경화성 유기고분자 게이트 절연막 조성물은 유기고분자 게이트 절연막 소재로써 폴리비닐 페놀에 열경화성 물질을 포함시켜 내화학성과 절연특성을 향상시킨 것이고, 유기박막 트랜지스터는 상기 조성물로부터 형성된 유기고분자 게이트 절연막을 구비한다.
본 발명에 따른 유기고분자 게이트 절연막 조성물은 유기 고분자에 열경화성을 부여하여 내화학성과 절연특성을 향상시키면서, 소자 특성이 향상된 막을 형성시킬 수 있다.
폴리비닐 페놀, 게이트 절연막, 열경화성, 유기박막 트랜지스터-
25.发明公开유기물 전도체막의 미세 패터닝 방법, 이로부터 형성된미세 패턴화된 유기물 전도체막 및 이를 적용한 유기 박막트랜지스터 有权有机导电膜的精细图案方法，使用该方法的有机薄膜晶体管形成的精细图案导电膜
公开(公告)号：KR1020060064995A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：KR1020040103698
申请日：2004-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L51/40 , H01L21/027
CPC classification number: H01L51/0016 , H01L21/0272
Abstract: 본 발명은 유기물 전도체막의 미세 패터닝 방법, 이로부터 형성된 미세 패턴화된 유기물 전도체막 및 미세 패턴화된 유기물 전도체막을 적용시킨 유기 박막 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 유기물 전도체의 미세 패터닝 방법은 노광조건을 제어하고, 리프트 오프 방법을 적용하여 유기물의 특성에 영향을 주지 않으면서 미세 패터닝이 가능한 방법을 제공하는 것이다.
유기물, 미세 패터닝, 감광막, 리프트 오프-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020040070623A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：KR1020030006797
申请日：2003-02-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/205
Abstract: PURPOSE: A cold wall type low-vacuum organic vapor deposition system for an organic thin film and an organic device and a depositing method thereof are provided to form a high-pressure organic thin film by using a carrier gas for transporting organic source vapor of a low molecular organic source to the surface of a substrate. CONSTITUTION: A substrate part(139) is installed within a process chamber(110) of a cold wall type in order to support a substrate and maintain the temperature of the substrate. An organic source part(115) is used for generating an organic source gas deposited on the surface of the substrate. A vacuum pump part(200) is used for maintaining total pressure of the process chamber under the low-vacuum state during a deposition process. A carrier gas part(300) is installed within the chamber in order to distribute uniformly the organic source vapor to the surface of the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种用于有机薄膜的冷壁型低真空有机气相沉积系统及其有机装置及其沉积方法，以通过使用载气输送有机源蒸气形成高压有机薄膜 低分子有机源到基底表面。 构成：衬底部分（139）安装在冷壁型处理室（110）内，以便支撑衬底并保持衬底的温度。 有机源部分（115）用于产生沉积在基板表面上的有机源气体。 真空泵部件（200）用于在沉积过程中将处理室的总压力保持在低真空状态。 载体气体部分（300）安装在腔室内，以将有机源蒸气均匀地分布到基底表面。
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公开(公告)号：KR100378597B1
公开(公告)日：2003-04-03
申请号：KR1020000080802
申请日：2000-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01J31/127
Abstract: A high-resolution field emission display that applies a field emission device(or a field emission array) being an electron source element to a flat panel display device. The field emission display includes an upper plate and a lower plate that fac each other, wherein the lower plate and the upper plate are vacuum-packaged in parallel positions. A dot pixel of the lower plate includes a high-voltage amorphous silicon thin film transistor formed on the glass substrate of the lower plate, a diode type field emission film partially formed on the drain of the high-voltage amorphous silicon TFT, a passivation insulation layer formed on the high-voltage amorphous silicon TFT and the lateral side of the diode type field emission film, and an electron beam focusing electrode/light-shading film which vertically overlaps with the high-voltage amorphous silicon TFT on some parts of the passivation insulation layer and is formed on a lateral side of the diode type field emission film. A dot pixel of the upper plate includes a transparent electrode formed on the glass substrate of the upper plate, and a red, green or blue phosphor formed on some parts of the transparent electrode. Therefore, the high-resolution field emission display device can obtain an effect of focusing the electron beam trajectory and a light-shading effect for the TFT at the same time, and thus remarkably enhance the performance and the resolution of the field emission display.
Abstract translation: 一种高分辨率场发射显示器，其将作为电子源元件的场发射装置（或场发射阵列）应用于平板显示装置。 场发射显示器包括彼此相对的上板和下板，其中下板和上板被平行地真空包装。 下板的点像素包括形成在下板的玻璃基板上的高压非晶硅薄膜晶体管，部分形成在高压非晶硅TFT的漏极上的二极管型场发射膜，钝化绝缘层 形成在高压非晶硅TFT和二极管型场致发射膜的侧面上的电子束聚焦电极/遮光膜以及在钝化的一些部分上与高压非晶硅TFT垂直交叠的电子束聚焦电极/ 绝缘层并形成在二极管型场发射膜的侧面上。 上板的点像素包括在上板的玻璃基板上形成的透明电极以及在透明电极的一些部分上形成的红色，绿色或蓝色磷光体。 因此，高分辨率场致发射显示装置可以同时获得聚焦电子束轨迹和遮光效果的效果，从而显着提高了场发射显示器的性能和分辨率。
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公开(公告)号：KR100340926B1
公开(公告)日：2002-06-20
申请号：KR1019990029172
申请日：1999-07-19
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은전자가흐르는방향은물론다른방향으로도수 나노미터의크기를가지며, 상온에서스위칭동작가능한공명투과트랜지스터를제공하고자하는것으로, 이를위한본 발명의공명투과트랜지스터는, 소스로서작용하는제1 탄소나노튜브; 드레인으로서작용하는제2 탄소나노튜브; 전자중첩영역을구성하는 C분자; 및상기 C분자에상기제1 및제2 탄소나노튜브를각각연결하여주면서전자의투과장벽으로작용하는금속뭉치화합물을포함하여이루어지는것을특징으로하며, 또한상기제1 탄소나노튜브와상기제2 탄소나노튜브는스위칭동작을위하여서로다른길이를갖는것을특징으로한다. 본발명에따르면, 탄소나노튜브가자연적인반도체이어서도핑의과정이필요치않고, 전자가흐르는방향뿐아니라모든방향으로나노미터크기를가져진정한의미의나노전자소자를만들수있을뿐 아니라, 분자전자소자의특징을가지고있기때문에상온에서도트랜지스터의특성인스위칭동작을이루게된다. 따라서탄소나노튜브를소스와드레인으로사용하고이들을분자레벨에서전기적으로연결하면종래의반도체보다수만배이상의집적도를가진전자소자를제작할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020020025281A
公开(公告)日：2002-04-04
申请号：KR1020000056925
申请日：2000-09-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C09K11/62
CPC classification number: C09K11/642 , C04B35/10 , C04B35/64 , C04B2235/3217
Abstract: PURPOSE: A green fluorescent substance for the fluorescent display for the anode plate of an FED fluorescent substance and its preparation method are provided, to prevent the breakage of a fluorescent substance due to the electron scanning for a long time and not to break the vacuum of the space between a cathode plate and an anode plate. CONSTITUTION: The green fluorescent substance has the composition of xZnO + (2-x-y/2)Ga2O3 + yAl2O3 : zMn2+, wherein 0.8
Abstract translation: 目的：提供用于FED荧光物质的阳极板的荧光显示器的绿色荧光物质及其制备方法，以防止长时间由于电子扫描引起的荧光物质的破坏，并且不会破坏荧光物质的真空度 阴极板和阳极板之间的空间。 构成：绿色荧光物质具有xZnO +（2-x-y / 2）Ga2O3 + yAl2O3：zMn2 +的组成，其中0.8 <= x <1.0,0
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公开(公告)号：KR100319453B1
公开(公告)日：2002-01-05
申请号：KR1019990031976
申请日：1999-08-04
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: B82Y10/00 , G09G3/22 , H01J31/126 , H01J2201/30457 , H01J2201/30469 , H01J2201/319
Abstract: 본발명은전계방출소자(field emission device, field emitter)를평판디스플레이(flat panel display) 장치에응용한전계방출디스플레이(Field Emission Display: FED)에관한것이다. 본발명에의한, 2극형전계에미터를가진전계방출디스플레이는, 서로평행하게진공패키징된상판과하판을구비한 2극형전계에미터를가진전계방출디스플레이에있어서, 상기하판은, 행렬어드레싱을가능하게하는금속으로이루어진행 신호선들및 열신호선들과; 상기임의의행 신호선과열 신호선으로이루어진픽셀내에위치한막 형의전계에미터; 및상기행 신호선과열 신호선, 및전계에미터에각각접속된적어도 3개의단자들을구비하여, 상기행 신호선과열 신호선에각각인가되는스캔신호와데이터신호에따라상기전계에미터를구동하는스위칭수단을포함하고, 상기상판은, 상기전계에미터에대향하여상기전계에미터로부터방출되는전자를고에너지로가속시키는아노드전극을포함한다.
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